标准解读
《GB/T 43538-2023 集成电路金属封装外壳质量技术要求》这一国家标准,旨在规范集成电路金属封装外壳的设计、制造与检验过程中的质量控制标准。该文件涵盖了对材料选择、尺寸精度、表面处理、机械性能、电气性能等方面的具体规定,确保了产品在满足功能需求的同时具备良好的可靠性和一致性。
对于材料部分,标准详细列出了适用于不同应用场景下的推荐材质及其物理化学性质要求,比如导电性、热膨胀系数等关键参数。此外,还特别强调了环保材料的使用原则,鼓励采用无害化或低毒性的原材料以减少对环境的影响。
尺寸方面,明确了各种类型封装外壳的关键尺寸公差范围,包括但不限于长宽高尺寸、引脚间距等,并给出了测量方法和允许偏差值。这有助于保证各批次产品的互换性以及与装配设备的良好匹配度。
表面处理章节中,则是针对外观质量和耐腐蚀性能提出了具体要求。例如,通过镀层厚度测试来评估防腐效果;利用显微镜观察等方式检查是否存在划痕、气泡或其他缺陷,确保产品具有优良的防护能力和美观度。
关于机械性能,标准规定了一系列试验方法来验证封装外壳在实际应用中可能遇到的各种应力条件下的表现情况,如抗拉强度试验、弯曲试验等。这些测试能够有效反映出产品结构设计是否合理,能否承受预期载荷而不发生变形或损坏。
电气特性方面,除了常规的绝缘电阻、介质损耗角正切值等基本指标外,还增加了对高频特性的考察,这对于高速信号传输领域尤为重要。同时,也考虑到了静电放电(ESD)防护能力,要求封装必须具备一定的抗静电冲击水平,防止因静电积累导致内部电路损伤。
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....
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- 现行
- 正在执行有效
- 2023-12-28 颁布
- 2024-07-01 实施




文档简介
ICS31200
CCSL.55
中华人民共和国国家标准
GB/T43538—2023
集成电路金属封装外壳质量技术要求
Qualityandtechnicalrequirementsformetalpackagesusedforintegratedcircuits
2023-12-28发布2024-07-01实施
国家市场监督管理总局发布
国家标准化管理委员会
GB/T43538—2023
目次
前言
…………………………Ⅲ
范围
1………………………1
规范性引用文件
2…………………………1
术语和定义
3………………1
技术要求
4…………………5
材料
4.1…………………5
镀覆
4.2…………………5
设计和结构
4.3…………………………5
电特性
4.4………………5
外观质量
4.5……………6
环境适应性
4.6…………………………6
附录规范性镀层质量试验方法
A()……………………7
镀金层质量试验方法
A.1………………7
镀镍层质量试验方法
A.2………………7
附录规范性金属外壳外观质量要求
B()………………9
质量要求
B.1……………9
检验条件
B.2……………29
Ⅰ
GB/T43538—2023
前言
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任
。。
本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出
。
本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口
(SAC/TC78)。
本文件起草单位中国电子技术标准化研究院广东省高智新兴产业发展研究院合肥圣达电子科
:、、
技实业有限公司河北中瓷电子科技股份有限公司青岛凯瑞电子有限公司广东省中绍宣标准化技术
、、、
研究院有限公司深圳市淐樾科技有限公司
、。
本文件主要起草人安琪黄志刚胡海涛赵静陈祥波崔从俊常守生
:、、、、、、。
Ⅲ
GB/T43538—2023
集成电路金属封装外壳质量技术要求
1范围
本文件规定了集成电路金属封装外壳的材料镀覆设计和结构电特性外观质量及环境适应性等
、、、、
方面的技术要求和检验方法
。
本文件适用于集成电路金属封装外壳以下简称外壳的研制生产交付和使用
(“”)、、。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文
。,
件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于
,;,()
本文件
。
半导体器件机械和气候试验方法第部分快速温度变化双液
GB/T4937.11—201811:
槽法
半导体器件机械和气候试验方法第部分盐雾
GB/T4937.13—201813:
半导体器件机械和气候试验方法第部分引出端强度引线牢固
GB/T4937.14—201814:(
性
)
半导体器件机械和气候试验方法第部分可焊性
GB/T4937.21—201821:
半导体器件机械和气候试验方法第部分键合强度
GB/T4937.22—201822:
封装引线间电容和引线负载电容测试方法
GB/T16526
封装引线电阻测试方法
GB/T19248
金属镀覆层厚度测量方法
SJ20129
半导体器件机械和气候试验方法第部分密封
IEC60749-8:20028:(Semiconductor
devices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part8:Sealing)
半导体器件机械和气候试验方法第部分温度循环
IEC60749-25:200325:(Semiconductor
devices—Mechanicalandclimaticte
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