半导体CMP工艺介绍课件

IntroductionofCMP化学机械抛光制程简介（ChemicalMechanicalPolishing-CMP)精选课件目录CMP的发展史CMP简介为什么要有CMP制程CMP的应用CMP的耗材CMP

Mirra-Mesa机台简况IntroductionofCMP精选课件CMP发展史1983:CMP制程由IBM发明。1986:氧化硅CMP（Oxide-CMP）开始试行。1988:金属钨CMP（WCMP）试行。1992:CMP开始出现在SIARoadmap。1994:台湾的半导体生产厂第一次开始将化学机械研磨应用于生产中。1998:IBM首次使用铜制程CMP。IntroductionofCMP精选课件CMP制程的全貌简介IntroductionofCMP精选课件CMP机台的基本构造(I)压力pressure平台Platform研磨垫Pad芯片Wafer研磨液SlurryWafercarrier终点探测EndpointDetection钻石整理器DiamondConditionerIntroductionofCMP精选课件CMP机台的基本构造(II)IntroductionofCMP精选课件Mirra机台概貌SiliconwaferDiamonddiskIntroductionofCMP精选课件Teres机台概貌IntroductionofCMP精选课件

线性平坦化技术IntroductionofCMP精选课件IntroductionofCMPTeres

研磨均匀性(Non-uniformity)的气流控制法精选课件

研磨皮带上的气孔设计(Air-beltdesign)IntroductionofCMP精选课件F-Rex200机台概貌IntroductionofCMP精选课件终点探测图（STICMPendpointprofile）光学摩擦电流精选课件为什么要做化学机械抛光（WhyCMP）?IntroductionofCMP精选课件没有平坦化之前芯片的表面形态IntroductionofCMPIsolation0.4um0.5umIMDM2M2M1M11.2um0.7um0.3um1.0um2.2um精选课件没有平坦化情况下的PHOTOIntroductionofCMP精选课件各种不同的平坦化状况

IntroductionofCMP没有平坦化之前平滑化局部平坦化全面平坦化精选课件平坦化程度比较CMPResistEtchBackBPSGReflowSOGSACVD,Dep/EtchHDP,ECR0.1110100100010000(Gapfill)LocalGlobal平坦化范围(微米)IntroductionofCMP精选课件StepHeight（高低落差）&LocalPlanarity（局部平坦化过程）高低落差越来越小H0=stepheight局部平坦化：高低落差消失IntroductionofCMP精选课件初始形貌对平坦化的影响ABCACBRRTimeIntroductionofCMP精选课件CMP制程的应用精选课件CMP制程的应用前段制程中的应用Shallowtrenchisolation(STI-CMP)后段制程中的应用Pre-mealdielectricplanarization(ILD-CMP)Inter-metaldielectricplanarization(IMD-CMP)Contact/Viaformation(W-CMP)DualDamascene(Cu-CMP)另外还有Poly-CMP,RGPO-CMP等。IntroductionofCMP精选课件STI&OxideCMP什么是STICMP?所谓STI（ShallowTrenchIsolation），即浅沟槽隔离技术，它的作用是用氧化层来隔开各个门电路（GATE），使各门电路之间互不导通。STICMP主要就是将wafer表面的氧化层磨平，最后停在SIN上面。STICMP的前一站是CVD区，后一站是WET区。

STISTIOxideSINSTISTISINCMP前CMP后精选课件所谓OxideCMP包括ILD(Inter-levelDielectric)CMP和IMD

(Inter-metalDielectric)CMP,它主要是磨氧化硅(Oxide),将Oxide磨到一定的厚度，从而达到平坦化。Oxide

CMP

的前一站是长Oxide的CVD区，后一站是Photo区。什么是OxideCMP?CMP前CMP后STI&OxideCMP精选课件W（钨）CMP流程-1Ti/TiNPVDWCMPTi/TiNN-WellP-WellP+P+N+N+WCVDTi/TiNN-WellP-WellP+P+N+N+WWCVD功能：Glue（粘合）andbarrier（阻隔）layer。以便W得以叠长。功能：长W膜以便导电用。精选课件POLYCMP流程简介-2aFOXFOXCellP2P2P2FOXFOXCellP2P2P2FOXPOLYDEPOPOLYCMP+OVERPOLISH功能：长POLY膜以填之。功能：刨平POLY膜。ENDPOINT（终点）探测界限+OVERPOLISH（多出研磨）残留的POLY膜。精选课件ROUGHPOLYCMP流程-2bCELLARRAYCROSSSECTIONFOXFOXCellP2P2P2CELLARRAYCROSSSECTIONFOXFOXCellP2P2P2PRCOATING功能：PR填入糟沟以保护糟沟内的ROUGHPOLY。ROUGHPOLYCMP功能：刨平PR和ROUGHPOLY膜。ENDPOINT（终点）探测界限+OVERPOLISH（多出研磨）残留的ROUGHPOLY膜。精选课件CMP耗材

IntroductionofCMP精选课件CMP耗材的种类研磨液（slurry）研磨时添加的液体状物体，颗粒大小跟研磨后的刮伤等缺陷有关。研磨垫（pad）研磨时垫在晶片下面的片状物。它的使用寿命会影响研磨速率等。研磨垫整理器（conditiondisk）钻石盘状物，整理研磨垫。IntroductionofCMP精选课件CMP耗材的影响随着CMP耗材（consumable）使用寿命（lifetime）的增加，CMP的研磨速率（removalrate），研磨均匀度（Nu%）等参数都会发生变化。故要求定时做机台的MONITOR。ROUTINEMONITOR是用来查看机台和制程的数字是否稳定，是否在管制的范围之内的一种方法。精选课件IntroductionofCMPCMPMirra-Mesa机台简况精选课件IntroductionofCMPFABSMIRRAMESAMirra-Mesa机台外观-侧面

SMIFPODWETROBOT精选课件IntroductionofCMP

Mirra(Mesa)TopviewMirra-Mesa机台外观-俯视图精选课件IntroductionofCMPMirra-Mesa机台-运作过程简称

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2:FABS的机器手从cassette中拿出未加工的WAFER并送到WAFER的暂放台。2

3:Mirra的机器手接着把WAFER从暂放台运送到LOADCUP。LOADCUP是WAFER上载与卸载的地方。34:HEAD将WAFER拿住。CROSS旋转把HEAD转到PLATEN1到2到3如此这般顺序般研磨。43:研磨完毕后，WAFER将在LOADCUP御载。35:Mirra的机器手接着把W