半导体器件型号命名方法

.1常用开关器件及分类(2)型号命名法(国产器件)拼音符号额定电流ZK1%峰值电压 P—普通、K—快速、S—双向、N—逆导、Q—汽车、B—雪崩、L—光触发….例:ZK1000-8表示额定平均正向电流1000A，反向阻断电压800VKS200-12表示额定电流（有效值）200A，断态阻断电压1200V注意：电流—平均值（KS除外）电压—峰值—德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：

第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6～1.0eV如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0～1.3eV如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化镓、D-器件使用材料的Eg＜0.6eV如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料

第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。

第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。

第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。

除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：

1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。

2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。

3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。

如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。半导体器件型号命名方法发表于：2009年12月23日一、中国半导体器件组成部分的符号及意义

表1

中国半导体器件组成部分的符号及意义第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用数字表示器件电极数目用汉语拼音字母表示器件的材料和极性用汉语拼音字母表示器件的类型用数字表示器件的序号汉语拼音字母表示规格号符号意义符号意义符号意义符号意义

2\o"二极管专题栏目"二极管AN型锗材料P普通管D低频大功率管

BP型锗材料V微波管A高频大功率管

CN型硅材料W稳压管T半导体闸流管

DP型硅材料C参量管X低频小功率管

Z整流管G高频小功率管

3\o"三极管资料专栏"三极管APNP型锗材料L整流堆J阶跃恢复管

BNPN型锗材料S隧道管CS场效应管

CPNP型硅材料N阻尼管BT特殊器件

DNPN型硅材料U光电器件FH复合管

E化合物材料K开关管PINPIN管

B雪崩管JG激光器件

Y体效应管

备注低频小功率管指截止频率<3MHZ、耗散功率<1W，高频小功率管指截止频率≥3MHZ、耗散功率<1W，低频大功率管指截止频率<3MHZ、耗散功率≥1W，高频大功率管指截止频率≥3MHZ、耗散功率≥1W。例如锗PNP高频小功率管为3AG11C。３（三极管）Ａ（PNP型锗材料）Ｇ（高频小功率管）１１（序号）Ｃ（规格号）二、美国电子半导体协会半导体器件型号命名法表2美国电子半导体协会半导体器件型号命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用符号表示用途的类别用数字表示PN结的数目美国电子半导体协会（EIA）注册标志美国电子半导体协会（EIA）登记顺序号用音字母表示器件分档符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义JAN或J军用品1\o"二极管专题栏目"二极管N该器件已在美国电子半导体协会登记顺序号多位数字该器件已在美国电子半导体协会登记顺序号ABCD同一型号不同档别2\o"三极管资料专栏"三极管无非军用品33个PN结器件4N个PN结器件三、日本半导体器件型号命名方法表3日本半导体器件型号命名方法第一部分：器件

类型或有效电极数第二部分：日本

电子工业协会

注册产品第三部分：类别第四部分：

登记序号第五部分：

产品

改进序号数字含义字母含义字母含义用两位以上的整数表示在日本电子工业协会注册登记的顺序号用字母A、B、C、D……表示对原来型号的改进0光敏二极管、晶体管或其组合管S表示已在日本电子工业协会（JEIA）注册登记的半导体分立器件APNP型高频管BPNP型低频管CNPN型