半导体行业点评报告：企业级SSD供不应求模组厂影响力不断提升

据外媒报道，三星电子表示，2025据外媒报道，三星电子表示，20253DDRAM3DDRAM技术，包括垂直通道电大厂动态 晶体和堆叠DRAM。相较传统电晶体结构，垂直通道电晶体将通道从水准变为垂直，大幅减少元件面积，但提升刻蚀精确度要求。据悉，随着3DDRAM市场发展，有望2028年达千亿美元规模。事件大厂动态

三星是将向英伟达、AMD等GPU厂商提供下一代GDDR7显存解决方案的三家内存制造商之一，另外两家公司包括SK海力士和美光也宣布了新一代产品，并透露了新产品的性能，能够提供高达40Gbps的引脚速度和高达64Gb（8GB）GDDR7266FBGAGDDR7的两种规格，分32Gbps28GbpsGDDR7。日前在全球芯片制造商聚会日前在全球芯片制造商聚会Memcon2024上，三星公司执行副总裁兼DRAM产品和技术主管HwangSang-joong表大厂动态 示，预计将增加HBM芯片产量，2024年产量是2023年的2.9倍。三星2024年年初在CES2024上给出的预测为2.52026HBM202313.82028年，HBM2023年水平的23.1倍。

美光宣布其位于西安的封装和测试新厂房已正式破土动工。美光曾在2023年宣布在西安追加投资43亿元人民币，包括加建这座新厂房，引入全新产线，制造更广泛的产品解决方案，包括但不限于移动DRAM、NAND及SSD，从而拓展西安工厂现有的DRAM封装和测试能力。同时，美光也在推进收购力成半导体（西安）有限公司（力成西安）的资产，并将向力成西安1,200名全体员工提供新的就业合同。SK海力士CEO郭鲁正3月27日表示，预计用于AI芯片组的HBM芯片在公司DRAM芯片销售中所占比重将从2023年的个位数上升至2024年的两位数。郭鲁正另外就“SK海力士拟投资约40亿美元，在美国印第安纳州西拉斐特建造一座先进芯片封装厂”的媒体报道回应称，工厂最终选址仍在慎重研究中，尚未做出决定，将于2024年内完成选址工作。大厂动态 SK海力士将投资40亿美元在印第安纳州建设芯片封装厂。大厂动态 SK海力士首席执行官预计大厂动态 SK海力士将投资40亿美元在印第安纳州建设芯片封装厂。大厂动态 据台媒报道，台积电将上调2024年资本支出，由原预估280~320亿美元上调至300~340亿美元，调幅超7%。终端需求 乘联会预估终端需求 乘联会预估2024年3月全国新能源乘用车厂商批发销量82万辆，同比增长33%，环比增长84%。终端需求

根据CounterpointResearch的《全球智能手机出货量预测》，2024年全球智能手机出货量预计将增长3%，达到12亿部。在加勒比及拉丁美洲、印度和中东非市场复苏的推动下，中低端市场（150-249美元）将有所反弹。得益于苹果和华为的增长，高端市场（600-799美元）预计将同比增长17%。资料来源：闪存市场、研究所附图1：4月3日中国台湾发生7.3级地震，多家半导体大厂停机检查资料来源：TrendForce850750650550450350本周：+1.26%2024年初至今：+23.18%750700650600550500450400本周：-0.42%2024年初至今：+16.01%附图2：指数：2024年第850750650550450350本周：+1.26%2024年初至今：+23.18%750700650600550500450400本周：-0.42%2024年初至今：+16.01%NAND指数 DRAM指数数据来源：闪存市场、研究所 数据来源：闪存市场、研究所当前价 周涨跌幅2024年初至今涨跌幅（美元）产品名称周涨跌幅2024当前价 周涨跌幅2024年初至今涨跌幅（美元）产品名称周涨跌幅2024年初至今涨跌幅当前价（美元）产品名称Wafer:256GbTLC 2.10 0.00% 23.53% TLC 7.55 0.00% 23.77% 0.00 0.40 0.00 1.45Wafer:512GbTLC 4.05 0.00% 28.57% QLC 7.00 0.00% 27.27% 0.00 0.90 0.00 1.50数据来源：闪存市场、研究所附表3：价格复盘：2024年第14周DDR价格平均下降1.5%产品名称当前价 周涨跌幅2024年初至今涨跌幅 产品名称 当前价 周涨跌幅2024年初至今涨跌幅（美元） （美元）DDR4/8Gb/32001.40 -3.45% -1.41% DDR4/8Gb/eTT 1.16 -2.52% 7.41% -0.05 -0.02 -0.03 0.08DDR4/16Gb/32003.10 -1.59% 6.90% DDR4/4Gb/eTT 0.72 0.00% 2.86% -0.05 0.20 0.00 0.02DDR4/16Gb/eTT2.80 0.00% 15.70% 0.00 0.38数据来源：闪存市场、研究所附表4：价格复盘：2024年第14周SSD（渠道市场）价格基本持平产品名称当前价（美元） 周涨跌幅 2024年初至今涨跌幅SSD/120GB/SATA38.40 -3.45% 9.09% -0.30 0.70SSD/240GB/SATA314.40 -2.70% 16.13% -0.40 2.00SSD/480GB/SATA324.80 -0.80% 15.89% -0.20 3.40SSD/256GB/PCIe3.016.30 -0.61% 17.27% -0.10 2.40SSD/512GB/PCIe3.028.20 0.00% 20.00% 0.00 4.70SSD/1TB/PCIe3.052.00 0.00% 26.83% 0.00 11.00SSD/512GB/PCIe4.037.60 0.00% 22.88% 0.00 7.00SSD/1TB/PCIe4.056.50 -0.88% 31.40% -0.50 13.50SSD/2TB/PCIe4.0110.00 0.00% 34.15% 0.00 28.00数据来源：闪存市场、开源证券研究所附表5：价格复盘：2024年第14周SSD（行业市场）价格平均上涨4.3%产品名称当前价（美元） 周涨跌幅 2024年初至今涨跌幅SSD/256GB/SATA319.00 3.83% 5.56% 0.70 1.00SSD/512GB/SATA333.00 0.61% 3.13% 0.20 1.00SSD/1TB/SATA362.00 6.90% 12.73% 4.00 7.00SSD/256GB/PCIe3.021.80 3.81% 9.00% 0.80 1.80SSD/512GB/PCIe3.037.00 3.35% 8.82% 1.20 3.00SSD/1TB/PCIe3.066.00 7.32% 13.79% 4.50 8.00SSD/512GB/PCIe4.039.00 5.41% 8.33% 2.00 3.00SSD/1TB/PCIe4.068.00 6.25% 13.33% 4.00 8.00SSD/2TB/PCIe4.0125.00 1.63% 26.26% 2.00 26.00数据来源：闪存市场、研究所产品名称 当前价（美元） 周涨跌幅 2024年初至今涨跌幅附表6：价格复盘：2024年第产品名称 当前价（美元） 周涨跌幅 2024年初至今涨跌幅DDR4/UDIMM/8GB/3200 13.00 -5.11% 6.56% -0.70 0.80DDR4/UDIMM/16GB/3200 23.80 -0.83% 5.78% -0.20 1.30DDR4/UDIMM/32GB/3200 48.00 -2.04% 11.63% -1.00 5.00数据来源：闪存市场、研究所产品名称 当前价（美元） 周涨跌幅 2024年初至今涨跌幅附表7：价格复盘：2024产品名称 当前价（美元） 周涨跌幅 2024年初至今涨跌幅DDR4/SODIMM/4GB/3200 11.00 0.00% 22.22% 0.00 2.00DDR4/SODIMM/8GB/3200 18.00 0.00% 16.13% 0.00 2.50DDR4/SODIMM/16GB/3200 30.00 0.00% 15.38% 0.00 4.00数据来源：闪存市场、研究所附表8：价格复盘：2024年3月内存条（服务器）价格平均上涨5.1%产品名称3月价月涨跌幅2024年初至今涨跌幅DDR4RDIMM16GB320048.006.67%23.08%DDR4RDIMM32GB320074.002.78%27.59%DDR4RDIMM64GB3200143.005.93%30.00%数据来源：闪存市场、研究所产品名称 当前价（美元） 周涨跌幅 2024年初至今涨跌幅附表9：价格复盘：2024年第12产品名称 当前价（美元） 周涨跌幅 2024年初至今涨跌幅eMMC/8GB/5.11.85 -5.13% -2.63% -0.10 -0.05eMMC/16GB/5.12.50 0.00% 4.17% 0.00 0.10eMMC/32GB/5.12.70 -1.82% 3.85% -0.05 0.10eMMC/64GB/5.14.75 1.06% 25.00% 0.05 0.95eMMC/128GB/5.19.00 3.45% 32.35% 0.30 2.20eMMC/256GB/5.1 17.80 1.71% 33.83% 0.30 4.50数据来源：闪存市场、研究所产品名称 当前价（美元） 周涨跌幅 2024年初至今涨跌幅附表10：价格复盘：2024年第14周产品名称 当前价（美元） 周涨跌幅 2024年初至今涨跌幅eMCP(eMMC+LPDDR4X)64GB+32Gb 15.00 3.45% 25.00% 0.50 3.00eMCP(eMMC+LPDDR4X)128GB+32Gb 19.00 2.70% 26.67% 0.50 4.00eMCP(eMMC+LPDDR4X)128GB+48Gb 24.50 2.08% 36.11% 0.50 6.50数据来源：闪存市场、研究所附表11：价格复盘：2024年第14周LPDDR价格平均上涨1.7%产品名称当前价 周涨跌幅2024年初至今涨跌幅 产品名称 当前价 周涨跌幅2024年初至今涨跌幅（美元） （美元）LPDDR4X/96Gb27.00 0.75% 42.11% LPDDR4X/32Gb 8.50 0.00% 13.33% 0.20 8.00 0.00 1.00LPDDR4X/64Gb20.50 2.50% 28.13% LPDDR4/16Gb 3.70 0.00% 12.12% 0.50 4.50 0.00 0.40LPDDR4X/48Gb15.00 7.14% 25.00% LPDDR4/8Gb 2.35 0.00% 6.82% 1.00 3.00 0.00 0.15数据来源：闪存市场、研究所产品名称 当前价（美元） 周涨跌幅 2024年初至今涨跌幅附表12：价格复盘：2024年第14周产品名称 当前价（美元） 周涨跌幅 2024年初至今涨跌幅UFS/64GB 5.30 1.92% 20.45% 0.10 0.90UFS/128GB 9.50 3.26% 30.14% 0.30 2.20UFS/256GB 18.30 1.67% 32.61% 0.30 4.50数据来源：闪存市场、研究所产品名称 当前价（美元） 周涨跌幅 2024年初至今涨跌幅附表13：价格复盘：2024年第14周产品名称 当前价（美元） 周涨跌幅 2024年初至今涨跌幅uMCP(LPDDR4X+UFS2.2)4GB+128GB 19.00 2.70% 31.03% 0.50 4.50uMCP(LPDDR4X+UFS2.2)6GB+128GB 24.50 2.08% 28.95% 0.50 5.50uMCP(LPDDR4X+UFS2.2)8GB+128GB 30.00 1.69% 30.43% 0.50 7.00uMCP(LPDDR4X+UFS2.2)8GB+256GB 40.00 1.27% 35.59% 0.50 10.50数据来源：闪存市场、研究所品类 2024Q1（E） 2024Q2（品类 2024Q1（E） 2024Q2（F）PCDRAM up15%~20%（DDR4&DDR5：up15%~20%）ServerDRAM up15%~20%（DDR4：up~20%；DDR5：up15%~20%）

up3~8%（DDR4&DDR5：up3~8%）up3-8%（DDR4：up5~10%；DDR5：up3~8%）MobileDRAM up18~23% up3~8%GraphicsDRAM up13~18% up3~8%ConsumerDRAM up10~15%（DDR3:up8~13%；DDR4:up10~15%）

up3~8%DRAM up~20% up3~8%数据来源：TrendForce、研究所附表15：价格预测：预计2024Q2NANDFLASH产品合约价上涨13%-18%品类2024Q1（E）2024Q2（F）eMMC/UFSup25-30%up10-15%EnterpriseSSDup23-28%up20-25%ClientSSDup23-28%up10-15%3DNANDWafers（TLC&QLC）up23-28%up5-10%TotalNANDFlashup23-28%up13-18%数据来源：TrendForce、研究所附表16：价格预测：2024年DRAM&NANDFLASH产品合约价格全年看涨品类2024Q1（E）2024Q2（E）2024Q3（E）2024Q4（E）BlendedDRAMup13%-18%up3-8%up8%-13%up8%-13%BlendedNANDFlashup18-23%up3-8%up8%-13%up0-5%数据来源：TrendForce、研究所附表17：需求预测：预计2024年三大终端DRAM/NAND单机平均搭载容量将同比增加DRAMNANDFlash20232024（E）20232024（E）智能手机17.50%14.10%19.20%9.30%服务器13.60%17.30%14.90%13.20%笔电9.00%12.40%10.10%9.70%数据来源：TrendForce、研究所附表18：需求预测：2024年智能手机、服务器、PC出货量预计同比增长4%/2%/8%2023E2023YoY2024F2024FYoY智能手机（亿部）11.50-6.00%12.00+4.00%服务器（百万台）13.90-2.00%14.20+2.00%PC（亿台）2.50-14.00%2.70+8.00%数据来源：闪存市场、研究所附图4：供给侧：2023Q4DRAM市场CR3高达96.6% 附图5：供给侧：2023Q4NAND场CR5高达94.1%科技,1.6%美光科技,1.6%美光,19.9%电子,0.8%1.1%三星,44.2%SK海力士32.5%

其他,

美光,10.1%

其他,5.9%西部数据,13.7%

铠侠,14.6%

三星,35.6%SK海力士+Solidigm,20.1%三星 海力士 美光 南亚科技 华邦电子 其他

三星 海力士+Solidigm 铠侠 西部数据 美光 其他数据来源：闪存市场、研究所 数据来源：闪存市场、研究所附表19：供给侧：海外三大原厂集体调升2024Q1-Q2稼动率厂商季度上调前上调后三星电子2024Q177%81%2024Q285%89%SK海力士2024Q192%94%2024Q2-95%美光2024Q195%98%2024Q2--数据来源：集微网、研究所附图6：热点赛道：三大原厂HBM3e预计于2024H2逐季放量资料来源：TrendForce附表20：热点赛道：2023-2024HBM市场竞争格局预计将由三星和SK海力士主导公司20222023（E）2024（F）SK海力士50%46%~49%47%~49%三星40%46%~49%47%~49%美光10%4%~6%3%~5%数据来源：TrendForce、研究所800.87841.520%518.638%3%附图7：热点赛道：2024年HBM800.87841.520%518.638%3%02022 2023 2024EDRAM产业营收（亿美元） HBM营收占比

25%20%15%10%5%0%数据来源：TrendForce，研究所附表21：热点赛道：2024年三星海力士HBM产能规划积极，美光占比提升三星SK海力士美光截至2023年底HBMTSV产能预估45K/m45