等离子体刻蚀

..----可修编-等离子体刻蚀等离子体刻蚀的任务时除去因集中在硅片边缘形成的一层N型层,假设该N消耗会降低电池的转换效率,在分档测试段可表现为转化效率低,并联I-VI I并联电阻偏小 V 正常曲线V48刻蚀机.本设备的工作原理是,CF4电离成等离子体态,这样CF4的活性被激发,使之与硅反响,带走硅片边缘的硅原子,进而除去硅片边缘因集中形成的N的.其工作分为预抽,主抽,送气,辉光,清洗,充气.预抽和主抽反响腔内CF4CF4要工艺参数是:辉光功率,反射功率,辉光时间.掌握好这三个参数,根本整个刻蚀过程就自动按要求完成.辉光功率过大,时间过长的话,会使硅片被刻蚀过度,等离子体中高能电子会轰击硅原子,造成缺陷,影响电池质量,而影响整个硅片的转换效率.刻蚀功率过小时间过长也不好,会使刻蚀不完全,漏电流增大.因此功率过大,过小,时间过长过短都会影响电池的性能.所以必需找到每台机器功率和辉光时间之间平衡点,使刻蚀完全,又不会对电池造成损伤.目前的设备功率设定在500W,辉光时间设定为820S.这是比较适宜的一组选择,经过长期实践证明是可行的.固然,在以后的工作要求下,该参数可能被更改,但是有一条是在不损伤硅片的状况下使硅片刻蚀完全.目前的设备状况有几台机器不是很稳定,有时辉光功率显示值与设定值偏差太大,反射功率也很大,这就需要工艺人员在现场时刻关注着,保证功率在工艺要求的范围内.等离子刻蚀工艺段在操作方面要留意的是装片时尽量将硅片的边缘对齐,由于在等离子体中,电子速度要远大于原子速度,因此在界面处,进入界面的电子要多于原子,这样就会在界面处形成电势,在这个电势的影响下,等离子体活化的CF4N另外每次一起刻蚀的片子和玻璃夹具接触的一片要求反放以保护正面的N也很重要,假设太松,会使硅片脱落,即使不脱落,由于缝隙的存在,硅片会造成硅片的碎裂.以上的各种操作方法都是为了使硅片刻蚀完全,而又不受到损伤,操作工人们应当严格依据规程操作.等离子体刻蚀是否已经刻蚀完全呢,这就需要一个检验的方法.首先,刻蚀完的硅片四周很光亮,不会有发暗的阴影.再就用仪器进展检测.用冷热探针法进展检验,其步骤是:首先确认电压表工作正常,将量程置于200mw,冷探针与电压表的正极相连,热探与电压表的负极相连,用冷,热探针接触硅片一个边沿不相连的两个点,电压显示正值且正值越来越大,这就说明导电类型为P的外表,电压显示为负值,并且负值越来越大,那么为N型.其中要留意的是,测试时先放冷探针(电压表的正极),再放热探针(电压表的负极)2-5mm5下一道工序便是清洗了.经过磷集中的硅片外表有一层含磷的二氧化硅层.它是不导电的,所以必需将其去除,清洗用到的化学反响方程式为:P2O5+Si==SiO2+P(磷硅玻璃生成的化学方程式)SiO2+HF==SiF4+H2O(去处磷硅玻璃的化学方程式,用的是5HF硅片再HF中浸泡几分钟后放到热水中清洗.清洗不干净的硅片,在枯燥以后外表会有水痕,PECVD完毕后,能在其外表看到很明显的白斑,这影响了电池的外观.水痕掌握也就是延长清洗时间,但现在根本都使用甩干机甩干,与烘干相比,水纹片要少痕多,依据当月的产量要求可以略微削减清洗时间.二PECVDPECVD全称是 ,既该工段的目的和任务是在硅片外表镀上以成SixNx减反射膜,利用光的干预原理,将照耀在硅片上的光线尽量少的反射出去,以提高电池的H硅片外表的硅原子结合形成共价键,中和硅片的电性,提高电子在电池中的存在时间,即提高少子寿命.有关化学方程式是:SiH4+NH4==SixNx+H2(高温,低气压)本设备承受的是德国SINA.PECVD镀膜机,分为进料腔,加热腔,工艺腔,冷却腔,出料腔.首先在石墨框上放上硅片,留意要正面朝下,进料腔充氮气,压强到达和外界全都是,11号门,进料腔抽真空,当压强到达与工艺腔全都时开2加热腔,依据设定的带速渐渐驶向工艺腔,镀膜完毕,翻开3号门,石墨框进入出料腔,关34由操作工人将硅片用真空吸嘴留神取下.整个工艺自动完成.PECVD主要工艺参数就是8这两个参数是影响镀膜质量的主要方面.其他一些参数是最根本的参数,一般不会改动.PECVD镀膜不均.这也分好几种不均匀,要针对不同的状况,实行不同的措施.有:同一框片子,左红(膜太薄)右白(膜太厚)或者左白右红,这时就需要调整两边微波源的功率,以均匀等离子体场.还有的状况就是两边红,中间白,这是就需要同时提高两边微波源的功率,然后在略微提高传送带的带速就可以.还有就是整框的发红或者发白,这是只需要调整带速就可以.卡盘掉片的问题.消灭这样的问题首先要看看是不是石墨框的问题,由于石墨框使用时间过长的话,整体变形会很严峻,中间都会凹下去,和传送滚轮接触局部磨损也很严峻.这就可能与机器发生摩擦阻挡,进而卡住石墨框,使片子掉落.倘假设在工艺腔里面掉片子,阻挡了等离子体在硅片外表的沉积,会影响好几框的片子都会镀膜不均.因此,卡盘掉片状况肯定要尽量不发生.消灭了就马上检查缘由,是石墨框的问题要马上停用,或更换挂钩.石英管更换问题由于石英管工作是在其外表会沉积很多的SixNx固体,时间长了变的厚了就会阻挡微波,影响了镀膜的质量.一般国产4030200度才可以翻开工艺腔,由于工艺腔和加热腔时连在一起的.翻开以后将石英管取出,用盖子挡住和微波源相连的局部,防止有杂物进入.清理干净U型槽,通好气孔.石英管必需用胶带裹严实,不能有露在外面的.由于在工作的时候,会有大量的SixNx由于石英管的延展性不好很简洁裂开.微波天线要擦干净并且要和石英管的铜管连接好.各项工作都按要求完成了才能关盖,开工艺生产.一般每次更换石英管后都要进展测片,其流程如下:首先在石墨框托盘中间放置一片正片(从清洗工艺流下来的清洁硅片)其四周放置假片,淀积氮化硅减反膜.看反射膜颜色是否满足工艺要求(沉积在有绒面的硅片的减反射膜颜色从正面看为深蓝色,侧面看为蓝色)假设发白,说明太厚,加快带速.假设发红,说明太薄,放慢带速.然后在石墨框托盘一侧放一行正片,其外一侧放置假片,淀积氮化硅减反膜.观看