多晶硅片检测标准

多晶硅片技术标准范围本要求规定了多晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验标准等本要求适用于多晶硅片的选购及其检验。标准性引用文件GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸取测量方法GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸取测量方法的试验方法术语和定义TV：硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布状况；〔标准测量是取硅片54；时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出；理或裂痕；垂直度：硅片相邻两边与标准90°相比较的差值。54：125125；156156；210210。5外观V〔〕缺口，崩边、缺0.5mm，深度≤0.3mm，2外表需清洗干净，无可见斑点、玷污及化学残留物；硅片外表局部凹凸不平深度〔如外表划痕、凹坑、台阶等〕≤20μm，切20um。无密集型线痕。弯曲度≤30μm≤30μm；切片前的棒/锭要经化学腐蚀或机械抛光去除损伤层，即切完的硅片边沿是光亮的。外形尺寸5.2.1标称厚度系列为200±20μm；220±20μm；240±20μm；对于每单合同需要明确规定标称厚度。m，160μm、180μmTV±15μm。200μm180μm～220μm他类推；一批硅片厚度必需符合>190μm；15%。其他尺寸要求见表1。相邻边的垂直度：90o±0.3o。材料性质导电类型：P〔Boron〕硅片电阻率：2Ω²cm，可接收电阻率为1Ω²cm～3Ω²cm，<15%〔测试位置为硅片中心点与四个角上距离两边1cm的四个点〕硅棒少子寿命≥2us〔此寿命为硅棒切片前的少子寿命；氧碳含量：氧含量≤11018atoms/cm3，碳含量≤51016atoms/cm3。25℃的室800W/m25〔2.5%的相对效率衰减将被认为硅材料性能不合格所致。弯曲度≤30μm≤30μm；切片前的棒/锭要经化学腐蚀或机械抛光去除损伤层，即切完的硅片边沿是光亮的。外形尺寸5.2.1标称厚度系列为200±20μm；220±20μm；240±20μm；对于每单合同需要明确规定标称厚度。m，160μm、180μmTV±15μm。200μm180μm～220μm他类推；一批硅片厚度必需符合>190μm；15%。其他尺寸要求见表1。相邻边的垂直度：90o±0.3o。材料性质导电类型：P〔Boron〕硅片电阻率：掺硼多晶硅片：目标电率为2Ω²cm，可接收电阻率为1Ω²cm～3Ω²cm，单片电阻率不均匀性1cm点〕硅棒少子寿命≥2us〔此寿命为硅棒切片前的少子寿命；氧碳含量：氧含量≤11018atoms/cm3，碳含量≤51016atoms/cm3。25℃的室800W/m25〔2.5%的相对效率衰减将被认为硅材料性能不合格所致。录A 表检验工程检验要求检验工程检验要求检测工抽样具打算A

B长≤0.5mm≤0.3mm长≤1mm1mm崩边∕缺口外表粗糙度外

数量≤2≤20μm

≤20μm切割线痕凹 坑观

≤20μm，无密集线痕≤30μm，无密集线痕直径＜0.5mm ≤≤30μm20μm

检测灯光照度1000LUX〕裂痕∕鸦爪 无 无孔 洞 无 无

外表无可见花斑、油污、污迹和化学药剂残留尺寸规格〔㎜〕尺

边长〔㎜〕

度〔㎜〕

垂直度〔O〕

游标卡尺 全(边长直 径、倒角差)125³125寸156³156TV

Max125.5156.5±20μm

Min124.5155.5

万能角规＜0.6 90±0.5 (垂直度)90±0.5±30μmTTV电型号电阻率氧含量碳含量

≤30μm≤30μmP1Ω-3Ω≤1³1018

≤40μm50μmPatoms/cm3