(高清版)GBT 12604.10-2023 无损检测 术语 第10部分：磁记忆检测

代替GB/T12604.10—2011无损检测术语第10部分：磁记忆检测IGB/T12604.10—2023前言 l2规范性引用文件 13术语和定义 1附录A(资料性)本文件删除GB/T12604.10—2011的术语 附录B(资料性)本文件与GB/T12604.10—2011相比增加的术语 附录C(资料性)本文件与GB/T12604.10—2011相比修改的术语 参考文献 索引 图1磁记忆信号平面显示图 5图2磁记忆信号时基显示图 6图3磁记忆信号A扫描显示图 7图4磁记忆信号极坐标显示图 7图5磁记忆信号色斑显示图 8图6磁记忆信号三维显示图 9图7磁记忆信号管状显示图 9表A.1本文件删除GB/T12604.10—2011的术语 表B.1本文件与GB/T12604.10—2011相比增加的术语 表C.1本文件与GB/T12604.10—2011相比修改的术语 Ⅲ本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。本文件是GB/T12604《无损检测术语》的第10部分。GB/T12604已经发布了以下部分：——GB/T无损检测术语超声检测；——GB/T无损检测术语射线照相检测；——GB/T无损检测术语渗透检测；——GB/T无损检测术语声发射检测；——GB/T无损检测术语磁粉检测；——GB/T无损检测术语——GB/T无损检测术语泄漏检测；——GB/T无损检测术语中子检测；——GB/T无损检测术语红外热成像；——GB/T无损检测术语第10部分：磁记忆检测；——GB/T无损检测术语X射线数字成像检测；——GB/T无损检测术语第12部分：工业射线计算机层析成像检测；—-GB/T无损检测术语第13部分：阵列超声检测。本文件代替GB/T12604.10—2011《无损检测术语磁记忆检测》,与GB/T12604.10—2011相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下：a)删除了部分术语(见附录A);b)增加了部分术语(见附录B);c)更改了部分术语(见附录C)。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由全国无损检测标准化技术委员会(SAC/TC56)提出并归口。本文件起草单位：爱德森(厦门)电子有限公司、上海材料研究所有限公司、中国特种设备检测研究院、中国科学院金属研究所、国家能源集团科学技术研究院、南昌航空大学、中国铁道科学研究院集团有限公司金属及化学研究所、中国人民解放军陆军装甲兵学院、清华大学、厦门大学。本文件于2011年首次发布，本次为第一次修订。无损检测技术是人类工业化和社会发展不可或缺的重要工具，是产品质量控制和保障设备设施安全运行的主要手段，其同时也对生产工艺进行反馈。无损检测利用物质的热、力、声、光、电和磁等特性，以不损害预期使用性能和可靠性的方式，探测、定位和测量材料与零部件中的缺陷或异常，评价其性无损检测的方法和技术众多，应用对象广泛。建立无损检测各个方法和技术的基础通用的术语，是国内外各类无损检测标准化机构开展无损检测标准化活动的首要任务。GB/T12604《无损检测术语》是指导我国无损检测标准化活动的基础性和通用性标准。GB/T12604《无损检测术语》旨在确立普遍适用于无损检测标准化文件的术语，由十三个部分构成。——GB/T无损检测术语超声检测。目的在于界定了超声检测的术语。——GB/T无损检测术语射线照相检测。目的在于界定了射线照相检测的术语。——GB/T无损检测术语渗透检测。目的在于界定了渗透检测的术语。——GB/T无损检测术语声发射检测。目的在于界定了声发射检测的术语。——GB/T无损检测术语磁粉检测。目的在于界定了磁粉检测的术语。——GB/T无损检测术语涡流检测。目的在于界定了涡流检测的术语。——GB/T无损检测术语泄漏检测。目的在于界定了泄漏检测的术语。——GB/T无损检测术语中子检测。目的在于界定了中子检测的术语。——GB/T无损检测术语红外热成像。目的在于界定了红外热成像的术语。 -GB/T无损检测术语第10部分：磁记忆检测。目的在于界定了磁记忆检测的术语。 -GB/T12604.11无损检测术语X射线数字成像检测。目的在于界定了X射线数字成像检测的术语。 GB/T12604.12无损检测术语第12部分：工业射线计算机层析成像检测。目的在于界定了工业射线计算机层析成像检测的术语。 -GB/T12604.13无损检测术语第13部分：阵列超声检测。目的在于界定了阵列超声检测的术语。本文件是GB/T12604的第10部分，分别从通用、原理方法、仪器、传感器、测量及应用等方面对磁记忆检测术语进行定义。本次对GB/T12604.10的修订，重点考虑了磁记忆检测涵盖的原理、仪器、传感器、检测工艺和方法等，明确了相关常用的术语和定义，使得在制定磁记忆检测方法和产品文件时有据可依，从而发挥术语文件的基本通用的支撑功能，更好地促进无损检测贸易、交流以及技术合作。1无损检测术语第10部分：磁记忆检测1范围本文件界定了用于金属磁记忆检测的术语。本文件适用于金属磁记忆检测。2规范性引用文件本文件没有规范性引用文件。3术语和定义金属磁记忆metalmagneticmemory;MMM铁磁性物体经历磁场变化和磁-机械效应积累作用后的磁状态。注：对于给定的磁场(例如地磁场),在其制造过程或运行过程中形成的铁磁物体，由于影响磁畴(3.21)分布的各种环境因素，改变了其剩余磁化强度(例如：温度、机械载荷或材料的微观结构变化)。表面磁场magneticstrayfield;SF离开或进入零件表面且非有意磁化该零件的磁场。注1:铁磁材料在其自身体积和周围空间中产生磁场。材料本身的磁化分布所产生的场称为表面磁场或其内的退磁场。退磁场和表面磁场是几何相关的，当磁化强度不均匀或具有与外部或内部表面法向的分量时，表面磁场就会出现。表面磁场的高局部变化类似于磁通泄漏，用来表明材料性能的不均匀性。注2:文献中使用的其他术语是，例如自发漏磁场、残余磁场、表面磁场、漏磁场、磁场密度或表面场。当用于无损检测时，表面磁场是被动磁场测量的推荐术语，而漏磁定义了在检测之前或检测期间由于外部磁化放大的磁通量。表面磁场梯度strayfieldgradient同一探头位置上，表面磁场(3.2)随探头位置变化和/或时间变化的变化率。表面磁场矢量strayfieldvector采用被动磁场传感法测定的被检对象表面磁场(3.2)在i方向(i=x,y,z)上的分量。表面磁场指示strayfieldindication;SFI由高机械应力/应变梯度引起的SF(表面磁场)的偏离。2注1:在具有局部磁导率变化的位置也形成SFI,这可能是由缺陷集中(例如引起的裂纹、点蚀),金属组织中强异质的边界、杂质、突然的几何变化、内部和外部表面、与被检查物体的分离、不可逆变形(位错密度高)和化学成分的变化(例如，沉积或浸出)等引起的。注2:表面磁场指示不一定是缺陷的指示。力磁耦合效应force-magneticcouplingeffect应力与应变对铁磁材料磁化过程的影响规律。进行金属磁记忆检测(3.9)时用作参考的磁场。注：通常为地磁场。对磁记忆检测系统(3.29)有影响的由外部物体产生的磁场。注：背景磁场对磁记忆信号(3.34)有影响。金属磁记忆检测metalmagneticmemorytesting;MMMtesting通过测量和分析被检对象表面磁场(3.2)分布且无需主动磁化的无损检测技术。注：磁场敏感探头用于测量表面磁场(3.2)分布。磁-位错磁滞效应magneto-dislocationhysteresiseffect在弱磁环境中，由于位错团对磁畴壁的钉扎引起的磁滞现象。表面磁场(3.2)的最大梯度值与其平均值之比。表面磁场平均梯度medianstrayfieldgradient测量线和/或测量线之间SF的平均斜率。注1:它与被检对象的形状各向异性及其磁极化有关。如果被检对象初始工作状态的磁化状态未知，则平均梯度表征被检对象磁状态的估计值。特别是SF法向分量常显示为正负值之间的特征曲线。注2:周期(△t、时间相关)测量和/或被检对象工作条件之间中位梯度的变化，例如，在役状态和无工作载荷可能与磁-机械效应有关。表征铁磁体在磁化过程中磁场强度与磁感应强度之间关系的曲线。磁滞回线hysteresisloop表征铁磁体磁滞现象的闭合磁化曲线(3.13)。3铁磁体在被外磁场磁化时，其体积和长度发生变化的现象。注：包括线性磁致伸缩和体积磁致伸缩。磁机械效应magnetomechanicaleffect在非人为磁化(例如地磁)情况下，铁磁材料中机械应力对其自磁化产生影响的现象。磁弹性效应magnetoelasticeffect铁磁性材料的磁性随机械应力(应变)的变化而改变的现象。磁致伸缩系数magnetostrictioncoefficient表征磁致伸缩效应(3.15)强弱程度的磁学参数。表征钉扎效应的参数。注：钉扎效应是指费米能级不随掺杂等而发生位置变化的效应。用来评价SFI的SF局部梯度与SF平均梯度的比值。铁磁体在自发磁化的过程中为降低静磁能而产生分化的方向各异的小型磁化区域。提离lift-off被检对象表面与磁探头传感区域体积中心之间的距离。注：小的提离对SFI评价的可靠性至关重要。位置分辨力positionresolution有效辨别两个相邻测量点之间位置的能力。探头中心点之间的距离和/或两条相邻测量线之间的距离。表面磁场大小或分量的两个相邻测量点之间的距离。4磁记忆检测通道magneticmemorytestingcha磁记忆检测仪(3.27)采集、处理磁记忆信号的物理通道。磁记忆检测仪magneticmemorytestinginstrument利用金属磁记忆检测技术对铁磁性材料或焊缝表面的自有漏磁场实施检测和分析，并对可能存在的应力集中和损伤区域进行评估的无损检测仪器。多通道磁记忆检测仪multichannelmagneticmemorytestinginstrument具有4个或4个以上检测通道的磁记忆检测仪(3.27)。磁记忆检测系统magneticmemorytestingsystem至少包括磁记忆检测仪(3.27)、具有一定排布的磁记忆传感器(3.30)和相应的连接电缆，对金属磁记忆(3.1)进行检测或测量的系统。磁记忆传感器magneticmemorysensor具有拾取磁记忆信号并转化为电信号的检测元件或单元组件。磁记忆阵列传感器magneticmemoryarraysensor按直线、矩阵等方式排布的多单元集成的传感器。磁敏传感器magneticsensor将磁学物理量转换成电信号的传感器。磁记忆检测系统标定magneticmemorytestingsystemcalibration调整磁记忆检测系统(3.29)初始显示与参考磁场(3.7)一致的过程。磁记忆信号magneticmemorysignal磁记忆检测系统(3.29)的输出信号。磁记忆信号最大值magneticmemorysignalmaximum磁记忆信号(3.34)中表面磁场强度的最大值。磁记忆信号最小值magneticmemorysignalminimum磁记忆信号(3.34)中表面磁场强度的最小值。磁记忆异常信号abnormalmagneticmemorysignal磁记忆检测仪(3.27)在被检件表面扫查获取的随时间或空间变化突变量超过一定阈值时的信号。表面磁场图magneticstrayfielddiagram显示表面磁场分布和/或表面磁场梯度(3.3)和/或表面磁场平均梯度(3.12)与扫查路径的关系图。5磁记忆显示图magneticmemorydisplaydiagram磁记忆信号幅值或其他信号特征量与扫查时间或位移变化之间的轨迹图形。磁记忆信号平面显示图magneticmemorysignalplanedisplaydiagram以被检对象表面x(或y或x)轴方向磁场强度为横坐标，y(或²或x)轴方向磁场强度为纵坐标显示磁记忆信号随时间或位移变化的二维轨迹图形。注：见图1,图中左边为磁记忆信号时基显示图，右边为磁记忆信号的二维轨迹图形。图1磁记忆信号平面显示图磁记忆信号时基显示图magneticmemorysignaltimebasedisplaydiagram以时间为横坐标，x(或y或x)轴方向磁场强度为纵坐标，显示磁记忆信号随时间变化的图形。注：磁记忆信号时基显示图包括曲线和阴影两种显示模式，曲线显示模式见图2a),阴影显示模式见图2b),其中水平数据代表时间变化，垂直数据代表磁场强度，S1～S8代表检测通道。6b)阴影显示模式图2磁记忆信号时基显示图利用具有定位功能的磁记忆传感器(3.30)实施轴向检测时，以检测位置信息为横坐标，x(或y或x)轴方向磁场强度为纵坐标，显示磁记忆信号随检测位置变化的图形。注：磁记忆信号A扫描显示图包括曲线和阴影两种显示模式，曲线显示模式见图3a),阴影显示模式见图3b),其中水平数据代表检测位置，垂直数据代表磁场强度值。7a)曲线显示模式b)阴影显示模式图3磁记忆信号A扫描显示图利用具有定位功能的磁记忆传感器(3.30)实施周向检测时，以检测角度信息为极角，x(或y或x)轴方向磁场强度为极径，显示磁记忆信号随角度变化的图形。注：磁记忆信号极坐标显示图包括曲线和阴影两种显示模式，曲线显示模式见图4a),阴影显示模式见图4b),其中角度以度为单位，极轴代表磁场强度。a)曲线显示模式图4磁记忆信号极坐标显示图8b)阴影显示模式图4磁记忆信号极坐标显示图(续)磁记忆信号色斑显示图magneticmemorysignalcolorandsplashdisplaydiagram利用具有定位功能的磁记忆阵列传感器(3.31)实施检测时，以磁记忆阵列传感器移动方向的位置信息为横坐标，以磁记忆阵列传感器垂直于移动方向的覆盖距离为纵坐标，以不同颜色代表的表面磁场强度值的图形。注：见图5,其中水平数据代表距离(mm),垂直数据代表检测通道，颜色代表磁场强度。图5磁记忆信号色斑显示图磁记忆信号三维显示图magneticmemorysignalthreedimensionsdisplaydiagram利用具有定位功能的磁记忆阵列传感器(3.31)实施检测时，以磁记忆阵列传感器移动方向的位置信息为x轴坐标，以磁记忆阵列传感器垂直于移动方向的覆盖距离为y轴坐标，以x(或y或≈)轴方向9表面磁场强度值为=轴坐标的图形。y轴——检测通道(从1开始);图6磁记忆信号三维显示图磁记忆信号管状显示图magneticmemorysignaltubulardisplaydiagram利用具有定位功能的磁记忆阵列传感器(3.31)实施管道检测时，在管道的三维模型表面，以磁记忆阵列传感器移动方向的位置信息为轴向坐标，以磁记忆阵列传感器垂直于移动方向的覆盖距离为周向坐标，以不同颜色代表的表面磁场强度值的图形。图7磁记忆信号管状显示图(资料性)本文件删除GB/T12604.10—2011的术语见表A.1。表A.1本文件删除GB/T12604.10—2011的术语序号GB/T12604.10—2011的术语条目编号GB/T12604.10—2011的术语1局部稳定性破环区的临界值2自有漏磁场的强度3强屈评价因子4干扰因素(资料性)本文件与GB/T12604.10—2011相比增加的术语本文件与GB/T12604.10—2011相比增加的术语见表B.1。表B.1本文件与GB/T12604.10—2011相比增加的术语序号本文件的术语条目编号术语1表面磁场矢量2表面磁场指示3力磁耦合效应4参考磁场5背景磁场6表面磁场平均梯度7磁化曲线8磁滞回线9磁致伸缩效应磁机械效应磁弹性效应磁致伸缩系数钉扎系数磁指数磁畴提离位置分辨力磁记忆检测仪磁记忆检测系统磁敏传感器磁记忆信号磁记忆信号最大值磁记忆信号最小值表面磁场图磁记忆信号管状显示图(资料性)本文件与GB/T12604.10—2011相比修改的术语本文件与GB/T12604.10—2011相比修改的术语见表C.1。表中的术语为修改前GB/T12604.10—表C.1本文件与GB/T12604.10—2011相比修改的术语序号本文件的术语条目编号GB/T12604.10—2011的术语条目编号GB/T12604.10—2011的术语1金属磁记忆2自有漏磁场3磁记忆检测4磁记忆显示图5磁记忆异常信号6磁记忆检测通道7多通道磁记忆检测仪8磁记忆阵列传感器92.10磁位错磁滞回线2.13自有漏磁场的梯度2.14梯度因子2.16两个检测通道之间的基准距离2.17磁记忆信号的记录间距2.18磁记忆检测仪的标定2.20磁记忆信号平面显示图2.21磁记忆信号时基显示图2.22磁记忆信号A扫描显示图[1]GB/T26641无损检测磁记忆检测总体要求汉语拼音索引B背景磁场………………3.8表面磁场……………………………3.2表面磁场平均梯度………………3.12表面磁场矢量…………………………3.4表面磁场梯度…………………………3.3表面磁场图………………………3.38表面磁场指示………………………3.5C采样间距…………………………3.25参考磁场………………3.7磁畴…………………3.21磁弹性效应………………………3.17磁化曲线…………………………3.13磁机械效应………………………3.16磁记忆传感器……………………3.30磁记忆检测通道…………………3.26磁记忆检测系统…………………3.29磁记忆检测系统标定……………3.33磁记忆检测仪……………………3.27磁记忆显示图……………………3.39磁记忆信号…………………………3.34磁记忆信号A扫描显示图………………………3.42磁记忆信号管状显示图…………………………3.46磁记忆信号极坐标显示图………………………3.43磁记忆信号平面显示图…………………………3.40磁记忆信号三维显示图…………………………3.45磁记忆信号色斑显示图…………………………3.44磁记忆信号时基显示图…………………………3.41磁记忆信号最大值………………3.35磁记忆信号最小值………………3.36磁记忆异常信号…………………3.37磁记忆阵列传感器………………3.31磁敏传感器………………………3.32GB/T12604.10—2023磁—位错磁滞效应…………………3.10磁致伸缩系数………………………3.18磁致伸缩效应………………………3.15磁滞回线……………………………3.14D钉扎系数……………………………3.19多通道磁记忆检测仪………………3.28J金属磁记忆……………………………3.1金属磁记忆检测………………………3.9L力磁耦合效应…………………………3.6S扫查线间距…………………………3.24T梯度因子……………………………3.11提离…………………3.22W位置分辨力…………………………3.23英文对应词索引ABDdiscretesamplingdistanceinthescanninglineFforce-magneticcouplingeffect……………………3.6GB/T12604.10—2023Hhysteresisloop…………………3.14Llift-off……………………………3.22Mmagneticdomain………………3.21magneticindex…………………3.20magneticmemoryarraysensor………………3.31magneticmemorydisplaydiagram……………3.39magneticmemorysensor………………………3.30magneticmemorysignal………………………3.34magneticmemorysignalcolorandsplashdisplaydiagram………………3.44magneticmemorysignalmaximum……………3.35magneticmemorysignalminimum……………3.36magneticmemorysignalplanedisplaydiagram………………3.40magneticmemorysignalthreedimensionsdisplaydiagram………………3.45magneticmemorysignaltimebasedismagneticmemorysignaltubulardisplaydiagram……………3.46magneticmemorytestingchannel……………3.26magneticmemorytestinginstrument…………