电池片衰减原因强分析_第1页
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文档简介

错对电池性能的影响，浅谈组件功率下降的原因与解决方式等。一、相关概念1、少子N

型半导体中,P

半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。2、光致衰减对于硼掺杂的

Cz

法生长的单晶硅太阳能电池，当它暴露于光照下时，电池性能会衰减，并最终达到一个稳定的效率，这种现象叫作光致衰减。3、热斑素构成，分别与内阻和太阳电池自身暗电流大小有关。4、反向电流（reversecurrent）弱的电流流过二极管，这个电流就是反向电流。从反向电流和漏电流都可以判断

Si

片中杂质含量高低。5、暗电流（darkcurrent）与暗电流曲线隔绝光线。压有关。二、少子寿命对电池性能的影响（光或电好。明少子寿命短，在少子被激发出来后很快的被复合掉。寿命下降直接导致片子的短路电流减小，导致转换率下降，因此通过判断暗电流的大小，我们可以知道片子的基本状况，是好是坏，坏在哪里也就一清二楚了。三、早期光致衰减对电池性能的影响1、光伏组件输出功率的衰减的两个阶段少子寿命。化有关。其中第一阶段的早期光致衰减是由硅片质量问题导致的。2、早期光致衰减的危害（1）危害早期光致衰减一方面会引起组件功率在使用的最初几天内发生较大幅度的加快老化变黄，使该区域透光率下降，从而使热斑进一步恶化，导致组件的早期失效。（2）如何如何消除或减小热斑间并联一个旁路二极管，以避免光照组件所产生的能量被受遮蔽的组件所消耗池片出现问题而产生发电电路不通的情况。能解决热斑的二极管很多,但目前的关键是选择结温最低的，产生热斑时，

线盒内部构件的融化温度，接线盒将被烧毁。IEC61215

75

度烘箱中至热稳定，在二极管中通组件的实际短路电流，热稳定后（R*U*I

R

为热阻系数，由二极管厂家给出，se

是二极管表面温度（用热电偶测出U是二极管两端压降（实测值，I

j

不能超过二极管规格书上的结温范围。所以，对于这个测试，选择二极管要看以下几个量：电流（大的好、最大大的好（小的好（小的好40V

远远够了。3、解决办法1）改善硅单晶质量利用磁控直拉硅单晶工艺到改善，但需配置磁场设备并提供激磁电源，增加成本和工艺难度；N型硅片PN

本上还没有优势，一些关键工艺有待解决P型掺杂剂0.5-6

欧姆的规格范围，这并不是个问题，现有电池工艺完全可以接受。采用稼替代硼作为

P

型掺杂剂的优势主要有：①对现有拉晶设备和工艺无任何影响，仅需将硼掺杂剂改为稼掺杂剂；②对现有电池制造工艺无任何影响；③每

50

千克硅料仅需掺稼

1~2

克，成本约为

10

元2）电池片光照预衰减四、位错对电池性能的影响池和组件性能的严重下降。五、太阳能电池生产工艺中每个工序的工艺难点1发白等现象；2PN结的深浅控制（合硅片情况；3、去边要求刻去边上的

PN

结，对与刻边的控制，刻后漏电流要小；4、去

PSG

就是去除表面的磷硅玻璃，腐蚀过后表面清洁，沥水效果好；5（1/4

光波长6、印刷可以说是比较重要的环节，背面

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