硅片径向电阻率变化测量方法 编制说明

1GB/TXXXXX-XXX是《中国制造2025》中强化工业基础能力中的核心关键基础材料领域。单晶硅产品是重品的生产和深加工制造，其后续产品集成电路和半导体分立器件体材料最基本的参数之一，是衡量硅材料质量的一个重要的参数,它对半导体器件生产的变化显得尤为重要，通过本次修订将硅片电阻率径向变化锗单晶电阻率测定直排四探针法》已经被GB/T1551探针法和直流两探针法》代替，所以原标准需要进行修订，亟待本次修订将适用范围扩大到直径为12英寸的大尺寸硅片,有利于硅片生产企业规范12英寸大尺寸硅片在我国半导体行业的快速2GB/TXXXXX-XXX根据《国家标准化管理委员会关于下达2023年国家标准复审修订计划的通知》（国标委发[2023]64号）的要求，由麦斯克电子材料股份有限公司负责国家标准《硅片径向电阻率变化的测量方法》的修订工作。计划编号为：20233945-T-610，要求于2025年完本项目在下达计划后，标准编制小组对硅片径向电阻率确定了相应的修订内容，于2024年3月完成标准讨论稿，提2024年4月6日，由全国半导体设备和材料标麦斯克电子材料有限公司成立于1995年，是一家集直拉单晶硅、硅切磨片、硅抛光3GB/TXXXXX-XXX3)考虑国内生产企业的生产、测试现状及技术发展趋势，力求做到标准的合理性和根据最新的国内外标准及生产实际，本次修改随着硅单晶拉制技术的进步，更多超低阻和超高阻产品已经生产和应所以增加规范性引用文件GB/T29507硅4GB/TXXXXX-XXX参考GB/T1551硅单晶电阻率的测定-直排四探针法和直流两探针法，将适用于直根据国家标准最新格式要求，增加6试剂或材料。根据生产实际，在从四种选点方案中确定一种方案后增加“或由供需双方商定"；并并增加释义。公式后面注明公式（1）、公式（2）公式（3），且公式（2）公式（3）增在“表A.2由探针位置和直径的公差导致的电阻率最大误差中增加硅片标称直径5GB/TXXXXX-XXX在“表A.3硅片局部厚度变化引起的计算电阻率误差项目/类别原标准创新内容原因和意义剂或材料”“仪器和设备”等内容与现行国标要求接轨适用范围对硅片的适用范围“电阻率向电阻率变化的测量”本次修订适用范围：“室温电阻率在1×N型硅单晶片的径向电阻率变化的测量”。修改后标准的符合生产和技术需求试样制备没有说明选点方案可以由供需双方商定；没有带V槽的硅片的参考面位置描述。根据生产实际，在从四种选点方案中确定一种方案后增加“或由供需双方商定"；并四种选点方案示意图进行重新绘制；因目前大部分8寸硅片参考面为V槽，所以增加带V槽的硅片的参考面位置描述。进一步规范文件算电阻率平均百分变化和最大百分变化的公式不规范。“电阻率平均百分变化和最大百分变化”在公式中使用符号表示并增加释义。公式后面注明公式（1）、公式（2）公式（3），且公式（2）公式（3）增加绝对值。进一步规范文件完善表1几何修正因子F2原表中无直径为300mm的相关内容在“表1几何修正因子F2中增加硅片标称直径300mm的相关内容”增加12寸硅片的技术内容完善表A.2由探针位置和直径的公差导致的电阻率最大误差原表中无直径为300mm的相关内容在“表A.2由探针位置和直径的公差导致的电阻率最大误差中增加硅片标称直径300mm的相关内容”。增加12寸硅片的技术内容完善表A.3硅片局部厚度变化引起的计算电阻率误差原表中无直径为300mm的相关内容在“表A.3硅片局部厚度变化引起的计算电阻率误差