SJ∕T 9014.8.2-2018 半导体器件 分立器件 第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范

SJ/T9014.8.2—2018半导体器件分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范Semiconductordevices—DiscretedevicesPart8-2:Blankdetailspecificationforsuperjunctionmetal-oxide-semiconductorfield-effecttransistors2018-04-30发布2018-07-01实施I——半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管(GB/T4586—1994);——半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管第一篇1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范(GB/T6219-1998)——半导体器件第10部付：分立器件和集盛电规节(GBT4589.1—2006);——半导体器件分立器件分规艳(GB/T12560—1999本规范起草单西安新能源种按发意有限公司、上海言虹宏力半导体制造有限公司、华润上华科技有限公同、杜华微良子股份有限公司天水华天电子集组股份有限公司本规范主要据草人：陈梁、周宏伟、工、肖魁、王新、卫兵。1SJ/T9014.8.2—2018半导体器件分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范本规范适用于采用超结原理设计生产的超结金属氧化物半导体场效应晶体管系列产品详细规范的编制。2规范性引用文件凡是不注日期的引用文伴，其最新版木(包括所有的修改单)适用于本文化GB/T24236—2006GB/T2425.42008GB/T2423.13—2008电工电行产器环境第2部分：试会方法试验C定湿热试验电1电子产品环境试除GB/T2423.22—2012GB/T2423gL-2013强度环境试验第2部分：试验方法试验温度变化环境试验第2部分试验学法试验密封电工电子产品环境试验模拟贮存影响的环境试验则GB/T4023-20半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管GB/T4586—1994牢导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管GB/T4589.1—2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范GB/T4937.3—2012单导体器件机械和气候试验方法第3部分，外部目验GB/T6219—1998半导体器件分立器件第8部分场效应晶体管第一篇1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范GB/T7581—1987半导体分立器件外形尺寸GB/T12560—1999半导体器件分立器件分规范GB/T29332—2012半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)3空白详细规范首页的说明[1]授权起草详细规范的行业标准机构名称。[2]详细规范号。2SJ/T9014.8.2—2018[5]器件型号。[7]外形图和(或)引用有关的外形标准。[8]质量评定类别。注2:整个空白详细规范中，当特性或额定值适用时，×表示在详细规范中应填入的值。发布详细规范的标准[1]机构名称详细规范号[2]评定电子器件质量的根据：[3]GB/T4589.1—2006GB/T12560—1999详细规范号、发布日期和标准体系要求的任何更多的资料[有关器件的型号]订货资料：见本规范第7章外形标准：根据GB/T7581—1987[7]外形图：[可在本规范的第10章给出详细外形图]引出端识别[引出端排列图包括图示符号]标志：字母、数字、图形符号或色码[如果可能，详细规范应规定在器件上需标志的内容][见GB/T4589.1—2006的2.5和(或)本规范的第6章][如果采用特殊方法，需标明极性]超结金属氧化物半导体场效应晶体管[6]绝缘栅N沟增强型封装：[空腔或非空腔]用途：反激电路、LLC半桥谐振电路、升压电路、降压电路注意：操作静电敏感器件时应遵守的预防措施(适用时)[根据GB/T4589.1—2006的2.6][8]参考数据[9]按本详细规范鉴定合格的器件制造厂有效资料，见现行合格产品一览表。4极限值(绝对最大额定值)3SJ/T9014.8.2—2018表1极限值章条号参数名称符号最小值最大值单位4.1最高漏-源电压VpssXV4.2最大漏极电流(Tae=25℃)pXXAA4.3最大峰值漏极电流XA4.4最高栅—源电压VcssXXV4.5单脉冲雪崩能量(初始T=25℃)EAsXmJ4.6重复雪崩能量(初始T=25℃)EARXmJ4.7重复雪崩电流(初始T=25℃)XA4.8耗散功率(Teas=25℃)PXW4.9工作温度xX℃4.10贮存温度X℃4.11环境温度或管完温度X℃4.12二极管在续正向电流XA4.13极管脉冲电流XA4.14极管最大漏-V/ns5电特性检验要求见第8章。除非另有规是m/T。-24589.-20064章章条号参数名称符号最小最单位试验分组静态特性漏一源击安电压VBp)pSsVA2b栅—源阈值电压GS(ch)XV漏极截止电流XA2b,C2b正向栅极漏泄电流GSSFX反向栅极漏泄电流X正向跨导xXSA3漏—源通态电阻RDS(on)xΩA2b栅极电阻XΩA4动态特性共源极短路输入电容CXpFC2a5.10共源极短路输出电容CossXpF5.11共源极短路反馈电容CrssXpF5.12等效输出电容Coss(eg)xpF4SJ/T9014.8.2—2018章条号参数名称符号最小最大单位试验分组5.13开启延迟时间XA35.14上升时间tX5.15关断延迟时间x5.16下降时间tx5.17单脉冲雪崩能量(初始T=25℃)EAsXmJB2c栅极电荷特性5.18栅极总电荷XA45.19栅—源电荷QcsX5.20栅—漏电荷QGpX二极管特性5.21二极管正向电压VFSDXVA2b5.22二极管反向恢复时间tXA45.23二极管反向恢复电荷Qx5.24二极管反向恢复峰值电流XA热特性5.25结到外壳的热阻Rthj-e)xC2d5.26结到环境的热阻RthG-a)x6标志7订货资料 准确的型号(需要时，给出标称电压值): 当有关时，带版本号和(或)日期的详细规范标准 当在同一详细规范中包括几种器件时，相关条件和(或)数值应以连续的方式给出相同条件和(或)数值的重复。5SJ/T9014.8.2—2018检验或试验符号引用标准除非另有规定，Tmb/Tcase=25℃(见GB/T4589.1—2006的第4章)检验要求最小值最大值A1分组外部目验GB/T4937.3-2012正常照明条件和正常视力条件器件型号、引出端标识、标志等符合要求，且无损伤A2a分组不能工作器件GB/T6219—短路：Vgsh<[0.1VGsch]minl或Icss>[101cssmaxl或Isp=10mA时，VFsp<0.2V开路：VGsth>[3Vcs(h)max]或Isp=10mA时，VFsp>2VA2b分组漏极截止电流正向栅极漏泄电淹反向栅极漏泄电流栅一源阀值电压漏一源击穿电医漏—源通态电库二极管正向电压IGSSFGSSRGS(u)BR)DSsR(onESDW,15GB/T4023—2015中7,1.2s=[规定值],Vdcs=[规定值],Vs=[规定值],V,Ip=[定值[那定主cs=[规定值],Io-[规定值]Vcs=0,I=[规定值]××xX×A3分组正向跨导开启延迟时间上升时间关断延迟时间下降时间ttd(off)GB/T45861994中Vps=[规定值]Tcs或o规定值，[规定值Kps=[规定值],Vcs=[规定值],R₁=[规定值],CL=[规定值],输入脉冲渡越时间、持续时间、重复频率=[规定值]X一Xxxx6表3(续)检验或试验符号引用标准除非另有规定，Tam./T=25℃(见GB/T4589.1—2006的第4章)检验要求最小值最大值A4分组栅极电荷特性栅极总电荷栅一源电荷棚一漏电荷栅极电阻二极管特性二极管反向恢复时间二极管反向恢复电荷二极管反向恢复峰值电流QgsQGDQGB/T29332—2012中6.3.10Vpp=[规定值],Ip=[规定值],Vcs=[规定值]f=1MHzVpp=[规定值],I=[规定值],dipdt=[规定值]—×××××x×注：全部试验都是非破坏性的。表4B组——逐批检验或试验符号引用标准除非另有规定，T/T=25℃(见GB/T4589.1—2006的第4章)检验要求最小值最大值B1分组尺寸GB/T4589,1—2006中4.3.2见本规范第1章B2c分组单脉冲雪崩能量(D)EAsVDp=[规定值],L=[规定值],Rgs=[规定值]×—B3分组引出端强度引线弯曲(D)(适用时)GB/T2423.60—2008中5力=[见GB/T2423.60—2008的5.5.2]无损伤B4分组可焊性GB/T2423.28—2005中4优先采用焊槽法润湿良好B5分组快速温度变化继之以：a)(对非空腔器件)循环湿热(D)最后测试：GB/T2423.22-2012GB/T2423.4-2008GB/T4586—1994中TA=Tstgmin,Tg=Tsgmax,循环次数=试验Db,方式2严酷等级：55℃,循环次数=7SJ/T9014.8.2—2018检验或试验符号引用标准除非另有规定，Tam/Tcase=25℃(见GB/T4589.1—2006的第4章)检验要求最小值最大值漏—源击穿电压栅—源阈值电压漏极截止电流正向栅极漏泄电流反向栅极漏泄电流漏一源通态电阻二极管正向电压b)(对空腔器件)密封VBR)DSSVcs(h)Rps(on)VFSDGB/T4023—2015中7.1.2GB/T2423.23-2013按A2b分组Qc试验LSLLSL—一—USLUSLUSLUSLUSLUSLB8分组电耐久性(168h)最后测试：漏一源击穿电压栅一源阈值电压漏极截止电流正向栅极漏泄电流反向栅极漏泄电流漏—源通态电阻二极管正向电压V(BR)pssVGS(th)RpslonVPspGB/T29332—2012中7.2.5GB/T4586-—1994中GB/T4023—2015中7.1.2高温反偏(HTRB)、高温栅极偏置(HTGB)或间隙工作寿命规定温度；对HTRB,Vps=[规定值],Vcs=0;对HTGB,Vgs=Vgss,Vps=0按A2b分组LSLLSL一USLUSLUSLUSLUSLUSLCRRL分组提供B2、B3、B5和B8的计数检查结果注：标有(D)的是破坏性试验，其中，LSL为规范下限，USL为规范上限(根据A组)。检验或试验符号引用标准除非另有规定，TambTase=25℃(见GB/T4589.1--2006的第4章)检验要求最小值最大值C1分组尺寸GB/T4589.1—2006中4.3.2见本规范第1章C2a分组共源极短路输入电容共源极短路反馈电容共源极短路输出电容等效输出电容CissCssCossCoss(eg)GB/T4586—1994中Vps=[规定值],Vcs=[规定值]或Ip=[规定值],f[规定值]Vcs=0,Vps=[规定值]—×x×x8表5(续)检验或试验符号引用标准除非另有规定，Tm/Tea=25℃(见GB/T4589.1—2006的第4章)检验要求最小值最大值C2b分组漏极截止电流正向栅极漏泄电流反向栅极漏泄电流GB/T4586—1994中T=[规定高的Vps=[规定值],Vgs=0Vgs=[规定值],Vps=0Vc=[规定值],Vps=0xC2d分组热阻结到外壳的热阻结到环境的热阻GB/T45861994中[按规定xC3分组引出端强度(适用时)拉力和(或)转矩GB/T2423.602008中拉力=[规定值]转矩=[规定值]无损伤或按规定C4分组耐焊接热(D)最后测试：漏一源击穿电栅—源阈值电庄漏极截止电流正向栅极漏泄电流反向栅极漏泄电流漏—源通态电阻二极管正向电压Vog)DSSVgs(thDss8(on)2005中V,2GB/T40232015中7.1.2[按规定]期=180dUSLUSLUSLUSLUSLUSLC6分组恒定加速度[仅对空腔器件1最后测试：漏—源击穿电压栅—源阈值电压漏极截止电流正向栅极漏泄电流反向栅极漏泄电流漏—源通态电阻二极管正向电压VBR)DSSVGS(ch)Rps(on)VpsDGB/T2423.15GBT4586—1994中GB/T4023—2015中7.1.2[按规定]按A2b分组一一一—USLUSLUSLUSLUSLUSL9SJ/T9014.8.2—2018表5(续)检验或试验符号引用标准除非另有规定，TamJTcas=25℃(见GB/T4589.1—2006的第4章)检验要求最小值最大值C7分组稳态湿热(D)或循环湿热(D)[仅对非空腔器件]最后测试：同B5分组GB/T2423.3-2006GB/T2423.4-2008[按规定]试验Db、方法2、严酷等级55℃、循环次数=[按规定]C8分组电耐久性最后测试：漏—源击穿电压栅—源阀值电压漏极截止电流正向栅极漏泄电流反向栅极漏泄电流漏—源通态电阻二极管正向电压VBR)DSSVGSth)GSsFRps(on)VFSDGB/T29332—2012中7.2.5GB/T4586—1994中GB/T4023—2015中7.1.2高温反偏(HTRB)、高温栅极偏置(HTGB)或间隙工作寿命规定温度；对HTRB,Vps=[规定值],Vgs=0;对HTGB,Vgs=Vgss,Vps=0按A2b分组LSLLSLUSLUSLUSLUSLUSLUSLC9分组高温贮存(D)最后测试：漏—源击穿电压栅—源阈值电压漏极截止电流正向栅极漏泄电流反向栅极漏泄电流漏一源通态电阻二极管正向电压V(BR)DSsVGschRps(on)VFSDGB/T2424.19-2005GB/T4586—1994中GB/T4023—2015中