纳微集成氮化镓电源解决方案及应用

纳微集成氮化镓电源解决方案及应用IntegratedGaNPowerSolutionandApplicationMing(Rome)LUO,SeniorFieldApplicationManagerNavitas半导体公司介绍Navitas集成氮化镓产品介绍（选型/注意事项/Layout）Navitas氮化镓和Si方案性能和体积对比Navitas氮化镓方案特点Navitas氮化镓商用案例及其在工业领域的应用23总部：美国加州洛杉矶EISegundo中国CN:深圳、杭州、上海现有80多位员工navitasnavitas•Navitas:拉丁文即“能量”为电力电子行业注入新能量获JEDEC认证量产并快速增量晶圆厂:台积电(TSMC)4封装厂:安靠科技(455超过200项已授权专利第一款商用平面MOSFET的共第一代GaN功率IC的发明者7最快，最高效的GaN功率管首个及最快速集成的GaN门极驱动器全世界第一款专有设计专有单路设计及专有半桥设计•速度高于所有门极驱动器3倍以上•速度高于硅器件20倍以上•速度高于cascadedGaN5倍以上8GaNFET功率场效应管GaNLogic逻辑电路•“DigitalIn,PowerOut”数字输入，功率输出9•flybackwithNV6115Rdson(typ),[mOhm]NV6113300NV6115NV6117NV6123300NV6125NV6127NV625226mmy24mm•基于Navitas氮化镓GaN方26mmy24mm•基于Navitas氮化镓GaN方传统Si方氮化镓GaN体积比=GaN/SiPCBA56*53*23=68.3CC26*24*56=34.9CC51.1%Case60*57*28=95.8CC30*30*58=52.2CC54.4%Navitas纳微氮化镓方案:YY•基于Navitas氮化镓GaNSi方案对比---高频小型化纳微集成氮化镓小型化原因•没有反向恢复损耗•Qg低，驱动损耗低•COSS小，容性损耗低•开关速度快VV带隙：GaN（3.4eV）vs.Si（1.1eV)GaN具有更大的临界电场，使其能够在很小的间隔内承受很高的电压•Navitas纳微100%FinalTest最终测试VGSILoadVDS集成驱动设计简单、可靠大范围VCC大范围VCC(10-30V)总体布局灵活性和简单欠压锁定可在没有完整电源时保护驱动器和FET栅极免受外部噪声影响(Not欠压锁定可在没有完整电源时保护驱动器和FET栅极免受外部噪声影响(Notpinnedoutofpackage)PWMHysteresis磁滞可抑制噪声门极回路中无电感或振铃VoVo65W(20V/3.25A)8006005004003002000SwitchingCurrent(A)400SwitchingCurrent(A)CoolMOS方案GaN方案Rdson[mohm]类似规格QFN8*8QFN6*8納微有较小的体积97.5˚C24.4˚C94˚C25.6˚C06---EMI可调06---EMI可调XiaomiCEO:“HowtinyisthisGaNcharger?”XiaomiCEO:“ThisGaNchargerisextremelysmall&efficient?”/适配器商用案例02---Thinkplus-20kWTAM:>$1B/yr-20kWTAM:>$1B/yr5倍速的充电速度5倍