SJ∕T 1833-2016 半导体分立器件 3DK103型NPN硅小功率开关晶体管详细规范

ICS31.080.30SemiconductordiscretDetailspecificationforsiliconNPNlowpowerswitchingtransistor中华人民共和国工业和信息化部发布ISJ/T1833—2016本规范代替SJ/T1833—1981。与SJ/T1833—1981相比，本规范主要技术变化如下：——本规范外形尺寸、测试方法、试验方法引用相应的现行国家标准。——原标准开关参数——原标准开关参数ts(载流子贮存时间)和tr(下降时间)在本规范中合并为to(关断时间),请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本规范由全国半导体器件标准化技术委员会归口本规范起草单位：石家庄大林石无二电子有限公司。本规范主要起草人：赵滨、宋凤领、吕瑞芹。SJ/T1833—20161SJ/T1833—2016中华人民共和国工业和信息化部评定器件质量的根据：GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》半导体分立器件3DK103型NPN硅少功率开关督详细规范1外形尺寸外形符合GB/T7581-1087《半导体分立器件外形尺寸》中A3-01B型的规定。0M1.发射极2.基极3.集电极2简略说明开关用双极型晶体管半导体材料：徒封装：金属封装(空腔应用：各种电路中作开关及高频放大与振荡用。3质量评定类别IⅡ类参考数据=25℃)P300VCBo=20V(3DK103AVCBo=40V(3DK103B)VCBo=60V(3DK103C)VCEo=15V(3DK103A)Vero-30V(3DK103BCEo=45区(3DK103C)ERo=4VhFE:25～180符号尺寸数值最小标称最大A4.32———4.53—4.95jKL—L2SJ/T1833—20164规范性引用文件凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T2423.23—2013环境试验第2部分：试验方法试验Q:密封GB/T4587—1994半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管GB/T4589.1—2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范GB/T4937—1995半导体器件机械和气候试验方法GB/T6218—1996开关用双极型晶体管空白详细规范半导体分立器件外形尺寸GB/T12560-—1999半导体器件分立器件分规范5极限值(绝对最大额定值)极限值见表1。除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用。表1极限值章条号符号单位最小值最大值4.1工作环境温度-55℃4.2贮存温度Tatg-55℃4.3最大集电极一基极直流电压3DK103A3DK103B3DK103CVBo——V4.4最大集电极—发射极直流电压3DK103A3DK103B3DK103CVcEoV4.5最大发射极—基极直流电压VBo4V4.6最大直流集电极电流mA4.9T=25℃,不加散热片时的最大额定功率Pot一一mW4.10最高结温—℃电特性见表2。检验要求见本标准的第9章。3SJ/T1833—2016表2电特性章条号特性和条件除非另有规定，T=25℃(见GB/T4589.1—2006的4.1)符号单位试验分组最小值最大值正向电流传输比Vc=1V,I=30mA色标：橙蓝紫一A2b集电极-发射极饱和电压A2b基极-发射极饱和电压A2b集电极一基极截止电流A2b集电极-发射极截止电AA2b发射极-基极截止电流AA2b高温下的集电极-基极载电流A1符律频导V=1Qv,-20mA,f=100MHz导通时间关断时间fMHzA4、C2a共基极输出电容a=10V,I=0,f=5MHZG47.1器件上的标志器件上的标志包括以下几部分：——he分档色标；——质量评定类别标志Ⅱ,如3DK103AIⅡ; 制造厂商标4SJ/T1833—20167.2包装盒上的标志——制造厂联系方式。8订货资料——产品型号和分档标志，如3DK103A;——质量评定类别标志Ⅱ,如3DK103AⅡ;9试验条件和检验要求试验条件和检验要求按表3～表5的规定。本章中，LTPD抽样引自GB/T12560—1999。5检验或试验符号引用标准除非另有规定，T=25℃±5℃(见GB/T4589.1—2006的4.1)极限值单位LTPD最小值最大值A1分组外部目检GB/T4589.1—20064.3.1.1—标志清晰，表面无机械损伤、破损5A2a分组不工作器件集电极—基极截止电流正向电流传输比GB/T4587—1994IV,1,2.1GB/T4587—1994I=0,a=10VVe=1V,I=30mA短路：Icn≥10μA开路：he≤5A2b分组集电极—基极截止电流集电极—发射极截止电流发射极一基极截止电流正向电流传输比基极—发射极饱和电压集电极—发射极饱和电压IVF(satYg(satGB/T4587—1994IV,1,2.1GB/T4587—1994GB/T4587—1994IV,1,2.2GB/T4587—1994GB/T4587—1994橙黄绿橙黄绿I=0,k=10VI=0,K=10VVa=1V,I=30mA蓝I=3mA,I=30mAI=3mA,I=30mA一一5580—VV5A4分组特征频率导通时间关断时间nIV,1,13.2GB/T4587—1994Ⅲ,4,3.3.2GB/T4587—1994Ⅲ,4,3.3.2Va=10V,I=20mAf=100MHzI=3mA,I=30mAI=3mA,I=30mA———MHz6检验或试验符号引用标准除非另有规定，Tm=25℃±5℃(见GB/T4589.1—2006的4.1)最小值最大值单位B1分组尺寸GB/T4589.1—2006A、φD见第1章外形图B3分组引出弯曲(D)方法1,受试引出端数：3外加弯曲力：2.5N发现有断裂(密封弯月面器件管体之间有相对移动，均认为器件失效B4分组可焊性煌厢法润湿良好B5分组快速温度变化(D)密封a.细检漏b.粗检漏最后测试集电极一基极截止电流正向电流传输比DYaEGB/T94937—1995Ⅲ,1.2Ⅲ,7.3.6IV,1,2.1橙橙黄绿蓝紫0℃~100℃;10个循环试验Q,方法1试验，方V=1V,I=30mA0B8分组电耐久性(168h)最后测试集电极一基极截止电流正向电流传输比IV,1,2.1橙橙黄绿蓝紫一作寿命t=168h,K-0.6m,Pot=300mWV=1V,I=30mA144216注：标明(D)的试验是破坏性的(见GB/T4589.1—2006的3.6.6)。7表5C组—周期检验或试验符号引用标准除非另有规定，T=25℃±5℃(见GB/T4589.1—2006的4.1)最小值最大值单位C1分组尺寸GB/T4589.1—2006除A、Φa、ΦD之外的其余尺寸见第1章外形图C2a分组特征频率共基极输出电容fGGB/T4587—1994IV,1,13.2GB/T4587—1994IV,8.1Vc=10V,I=20mA,f=100MHzVca=10V,I=0,f=5MHz一4MHzC2b分组正向电流传输比高温下的集电极一基极截止电流GB/T4587—1994GB/T4587—1994IV,1,2.1同A2b分组正向电流传输比Tamb=125℃ C3分组引出端强度(D)拉力GB/T4937—1995受试引出端数：3外加力：5N发现有断裂(密封弯月面处的除外)、松动或引线和器件管体之间有相对移动均认为器件失效C4分组耐焊接热(D)最后测试GB/T4937—1995方法1A。周期=180d同B5分组最后测试 C6分组恒定加速度最后测试GB/T4937—1995同B5分组最后测试 C7分组稳态湿热(D)最后测试GB/T4937—199585℃±2℃,相对湿度85%±5%,时间168h同B8分组最后测试 一wC8分组电耐久性(1000h)最后测试GB/T4587—1994V,1工作寿命：t=1000h,Ve=0.6Vc,Ptot=300mW同B8分组最后测试 C9分组高温贮存(D)最后测试GB/T4937—1995Ttg=175℃,t=1000h同B8分组最后测试 CRRL分组提供C2a、