T-CNS 82-2022 宇航用静态随机存储器总剂量辐射效应试验方法

ICS27.120.01Testmethodfortotalionizingdoseef Ⅲ 2 2 5 6本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定1宇航用静态随机存储器总剂量辐射效应试验方法本文件规定了宇航用静态随机存储器（StaticRandom-AccessMemory,SRAM）总剂量(totalGB/T15447—2008X、γ射线和电子束辐照不同材JJF1743—2019放射治疗用电离室剂量计水吸收剂量校准ASTMF996-11基于电离辐射导致阈值电压漂移利用亚阈值特性分离由电离MOSFETThresholdVoltageShiftIntoComponentStatesUsingtheSubthresholdCurrent-VoltageCharacteristics）3.1电离辐射总剂量效应totalionizin3.2时间相关效应timedepend化，而辐照诱生陷阱电荷的生长和（或）退火过程与时间直3.3加速退火试验acceleratedannealin3.4氧化物陷阱电荷oxidetrappedc3.523.63.73.84设备及一般要求辐射源应为可提供均匀辐射场的60Coγ射线源。辐射源在被辐射器件区域的辐射场的相对不均匀性应控制在±10%以内。辐射源的剂量场由剂4.2剂量测试系统4.3测试系统完整性设计，抑制器件同步开关噪声对测试准确性4,4辐照偏置板4.5样品5.1.1辐照剂量率b)如果在条件a)剂量率下器件仅出现参数失效，经各方同意，可进行低于0.5Gy(Si)/s剂量率5.1.2剂量点a)电源电压为器件手册中规定的最大工作电压，SRAM处于读取数据状态，且一半输出端口输出b)如果参与试验各方均同意，可以采用器件实际应用条件下的偏置状态；选择行奔跳（Galrow）、列奔跳（Galcol）、行进（March）、棋盘格（Checkerboard）、固定数a)在器件最大或实际应用工作频率下进行；b)分别在器件手册规定的最小电源电压、正常电源电压、最大电源电压进行；e)分别采用器件手册中的不同读写时序或实际应用读写时序。VILILIILOVOLVOHICC4tRCtWP5.2辐照试验通过辐照偏置板对被测器件施加5.1.3规定的辐照偏置条件，按照5.1.1规定的辐照剂量率进行60Coγ射线辐照。累积至5.1.2规定的剂量点5.1.5、5.1.6的规定进行，根据参数测试结果决定下a)当被测器件通过功能以及直流、交流电参数的测试，则进行下一剂量点的辐照试验；5.3.1判定器件是否需要进行辐照后室温退火试验剂量率辐照试验总剂量为1000Gy(Si)。如果高剂量率辐照追加与低剂量率辐照相同时间的室温退火可损伤，则判定不表现为时间相关效应，不进行室温退5.3.2辐照后室温退火试验条件c)退火时间不能超过器件实际应用环境剂量率下的辐照时间；加速退火试验分为两个步骤，首先对辐照后的器件追加50%的剂量辐照，然后进5.4.1追加辐照试验5.4.2高温退火试验追加50%剂量辐照后，对器件进行高温退火试验，退火温度及时间应满足以下要求之5b)可采用不同于a)的退火温度及退火时间，但需通过试验验证在该条件退火后产生的辐射损伤该条件退火后有60%以上的氧化物陷阱电荷复合，1F996-11规定的方法进行测试，分离得到氧化物陷阱电荷c)人员信息，包括试验人员、测试人员、记录人员等；f)试验数据，包括原始数据类别、数据提取方g)试验结论，包括对试验结果及