(高清版)GB∕T 39131-2020 人工晶体材料术语

ICS01.040.01人工晶体材料术语国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会IGB/T39131—2020 1 1 2 45检测和表征 6加工和后处理 索引 ⅢGB/T39131—2020本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。本标准由中国建筑材料联合会提出。本标准由全国人工晶体标准化技术委员会(SAC/TC461)归口。本标准起草单位：北京中材人工晶体研究院有限公司、中国科学院上海光学精密机械研究所、中国科学院新疆理化技术研究所、南开大学、中国科学院长春应用化学研究所、中国科学院上海硅酸盐研究1GB/T39131—2020人工晶体材料术语本标准适用于人工晶体材料及其相关应用领域。在自然界天然形成的晶体。人工晶体syntheticcrystal利用人工方法制备出的晶体。单晶singlecrystal具有一个连续的晶体结构的物质。晶体中质点按一定对称性周期性重复而形成的空间排列形式。能够反映晶体对称性和周期性的最小重复单元。晶系crystalsystem根据晶体含有的旋转轴划分的体系。注：按晶体对称性高低分为7个晶系：等轴(立方)晶系、六方晶系、四方晶系、三方晶系、斜方(正交)晶系、单斜晶通过一点组合在一起的对称元素的所有对称操作的集合。注：按其对称性要素分为32个独立的点群。2注：处于磁化状态的介质与光之间发生相互作用而引起的光学现象称为磁光效应。注：在外电场作用下，引起介质折射率变化的现象称为电光效应。关涉及入射光频率或波长改变的效应称为非线性光学效应。3GB/T39131—20203.8具有光折变效应的晶体。注：电光材料在不均匀光辐照下，由电光效应引起折射率随光强空间分布而发生变化的效应称为光折变效应。3.9可将外界提供的能量通过光学谐振腔转化为在空间和时间上相干、具有高度平行和单色性激光的晶体。3.10切仑科夫晶体Cherenkovcrystal具有切仑科夫效应的晶体。注：带电粒子在均匀透明的介质中作均速运动且运动速度大于光在其中的速度时，产生一种电磁波辐射，这种现象称为切仑科夫效应。3.11热释电晶体pyroelectriccrystal具有热释电效应的晶体。注：由于温度变化而导致晶体自发极化强度变化，从而在晶体特定方向产生表面电荷的现象称为热释电效应。3.12闪烁晶体scintillationcrystal吸收X射线、Y射线或其他高能粒子等的辐射能量后能发出紫外或可见光的晶体。3.13声光晶体acousto-opticcrystal具有声光效应的晶体。注：光通过某一受超声波扰动的介质时发生衍射的现象称为声光效应。3.14双折射晶体birefringentcrystal具有双折射效应的晶体。注：一束自然光入射到各向异性的介质中分成两束线偏振折射光的现象称为双折射效应。3.15铁磁晶体ferromagneticcrystal具有铁磁效应的晶体。注：介质具有自发性的磁化现象称为铁磁效应。3.16铁电晶体ferroelectriccrystal具有铁电效应的晶体。注：在不加外电场时，介质具有自发极化的现象称为铁电效应。3.17铁弹晶体ferroelasticcrystal具有铁弹效应的晶体。注：应变对应于外力的变化有滞后现象，应力与应变呈非线性关系，自发应变方向可因外力场而反向的现象称为铁3.18稀土晶体rareearthcrystal稀土元素可以完整占据结晶学结构中某一格点的晶体。4GB/T39131—20203.19压电晶体piezoelectriccrystal具有压电效应的晶体。注：某些电介质在沿一定方向上受到外力的作用而变形时，其内部会产生极化现象，同时在其两个相对表面上出现正负相反的电荷的现象称为正压电效应。当在电介质的极化方向上施加电场，这些电介质也会发生变形，电场去掉后，电介质的变形随之消失的现象称为逆压电效应。正压电效应和逆压电效应总称为压电效应。4生长4.1生长方法4.1.1氨热法ammonothermalmethod在密封的压力容器中，以液氨为溶剂，在高温高压的条件下利用溶解再结晶过程培养难溶晶体的方法。4.1.2导模法edge-definedfilm-fedgrowthmethod熔体借毛细作用上升到留有毛细管狭缝的模具顶部，形成一层薄膜并向四周扩散，同时受籽晶诱导结晶生长晶体的方法。4.1.3在坩埚底部放入籽晶，通过缓慢降温或者移动坩埚产生驱动力来实现接种生长晶体的方法。4.1.4顶部籽晶溶液法topseededsolutiongrowthmethod在溶液法中，通过改变温度或蒸发溶剂使溶液过饱和，向上提拉籽晶进行晶体生长的方法。4.1.5膜的方法。4.1.6浮区法floatingzonemethod后垂直向上进行区熔，将原料棒提纯并制成晶体的方法。4.1.7原料在坩埚内受热熔化，移动坩埚通过温度梯度区使熔体凝固形成晶体的方法。注：坩埚相对温度梯度区垂直下降的方法称为坩埚下降法。4.1.8物质在气态发生化学反应，在加热的固态基体表面沉积生长晶体的方法。4.1.9加速坩埚旋转法acceleratedcruciblerotationmethod用溶液法或熔体法生长晶体时，采用旋转速度由慢加快、再由快减慢周期性地旋转坩埚方式，增加5溶液或熔体对流的晶体生长方法。激光加热基座法laserheatingpedestalgrowthmethod利用激光辐射被原料吸收产生的热量使多晶原料棒部分熔化，未熔化原料作为基体支撑熔体，熔体和籽晶接触形成固/液界面，向上牵引籽晶进行晶体生长的方法。加热原料中心形成熔区，原料外围有水冷系统，自然形成硬壳作为熔体坩埚，通过缓慢降温或移动坩埚实现晶体生长的方法。提拉法生长晶体，按照晶体生长速度不断补充所消耗的原料，维持生长体系处于稳定状态的晶体生将籽晶与熔体接触，以极缓慢的速度向上拉升，待熔体与晶种界面的凝固速率稳定后，籽晶便不再拉升和旋转，逐渐降低熔体的温度，使晶体从上往下凝固成一整个单晶的方法。气相外延vaporphaseepitaxy将蒸汽状态的原料通过化学反应或冷凝沉积在衬底上，生长出具有特定方向晶体的方法。移动多晶料棒或加热器，使熔区不断向低温区移动，结晶生长出晶体的方法。根据区熔方向的不同分为水平区熔法和垂直区熔法。热交换法heatexchangemethod利用热交换器在晶体生长区内形成一个上热下冷的纵向温度梯度，坩埚不做任何方向的移动，熔体在坩埚内直接凝固成晶体的方法。以非水溶剂为溶剂，在高温高压的条件下利用溶解再结晶过程培养难溶晶体的方法。溶剂挥发法solventevaporationmethod借助溶剂挥发，使溶液达到一定的过饱和度，由过饱和溶液中生长晶体的方法。将原料溶解在溶剂中形成溶液，保持一定的过饱和度而生长晶体的方法。水平区熔法horizontalzonemeltingmethod沿水平方向使原料棒与被加热形成的熔区相对移动，使熔区从原料棒一端向另一端缓慢移动，并慢水热法hydrothermalmethod在密封的压力容器中，以水为溶剂，在高温高压的条件下利用溶解再结晶过程培养难溶晶体的6GB/T39131—2020方法。4.1.22水溶液降温法aqueoussolutioncoolingmethod生长晶体的方法。4.1.23水溶液蒸发法aqueoussolutionevaporationmethod在一定温度和压力条件下，靠溶剂水的不断蒸发，使溶液达到过饱和状态以析出晶体的方法。4.1.24提拉法Czochralskimethod丘克拉斯基法Czochralskimethod由丘克拉斯基(J.Czochralski)发明的生长方法。在一致熔融的熔体中，通过向上提拉籽晶实现液固相变的晶体生长方法。4.1.25外延epitaxy利用晶体界面上的二维结构相似性成核的原理，在单晶衬底上、按衬底晶向生长单晶薄膜的工艺。注：外延层和晶体衬底是同一种材料的工艺称为同质外延。外延层和晶体衬底不是同一种材料的工艺称为异质外延。4.1.26微下拉法micro-pulling-downmethod利用坩埚底部的微通道，通过向下牵引籽晶，实现晶体生长的方法。4.1.27物理气相传输法physicalvaportransportmethod升华法sublimationmethod将原料在热区加热升华成气相，然后输送到较低的温度区，使其达到过饱和状态成核生长晶体的方法。4.1.28焰熔法Verneuilmethod利用氢气和氧气在燃烧过程中产生的高温，使一种疏松的原料粉末通过氢氧焰撒下时熔融，并落在一个冷却的籽晶杆上生长晶体的方法。4.1.29液封提拉法liquidencapsulatedCzochralskimethod提拉法生长某些在熔化时蒸汽压高或易分解的化合物时，在原料熔体上面覆盖上一层同原料不发生反应而熔点又比该原料低的物质形成液封层，以保证晶体正常生长的方法。4.1.30由溶液中析出固相物质并沉积在衬底上生成单晶薄膜的工艺。4.1.31助熔剂法fluxmethod高温溶液法hightemperaturesolutionmethod溶质晶体的方法。7GB/T39131—2020对自由生长的晶体，晶体的最终外形应为面网密度最大的晶面所包围，晶面的法线方向生长速率反比于网面间距，生长速率快的晶面族在最终的形态中消失。掺杂doping晶体生长时有意地加入少量或微量的其他物质，使其固溶到晶体相中，以调节晶体的性能。层错机制faultmismatchgrowthmechanism面心立方晶体中，(111)生长面上层错与之相交，在生长面上形成不同高度的亚台阶(永不消失的台阶源)而不断生长。倒溶解度retrogradesolubility在一定水热条件下，某些化合物的溶解度随温度升高而减小的反逆性溶解度。生长界面处溶液/熔体中晶体组成之间不同聚集态的能量分布诱导的结晶过程。非平衡晶体生长形态crystalmorphologyfarfromequilibriumstate远离晶体生长平衡态的情况下，如果长成籽晶有不止一种形态时，具有较大质量沉积速率的形态是稳定的。如果最大质量沉积速率形态不止一种时，微观生长动力学对形态选择有决定作用。分凝系数segregationcoefficient从溶液或熔体中生长晶体时，当固、液(或熔体)两相平衡时，杂质组分在晶体中的溶解度与在熔体中的溶解度比值。负离子配位多面体生长基元模型anioncoordinationpolyhedrongrowthunitmodel配位型复杂晶体生长过程中，生长基元往往是负离子配位多面体，其结晶方位与生长晶体形貌相4.2.10晶体在恒温和等容的条件下，某一晶面族的生长线速率正比于表面自由能，晶体总表面能最小时的形态为晶体的平衡形态。4.2.11利用“三相区”描述晶体生长过程，在过渡相区，结晶学结构和结晶环境共同决定生长界面处的离子/分子排布，进一步决定化学键合模式。84.2.12晶体生长热力学crystalgrowththermodynamics从能量转化的观点研究晶体生长过程中从组成到晶态的相变问题，揭示相变过程中能量从一种形式转换成另一种形式时遵从的统计学基本规律。4.2.13晶体生长过程中生长速率、界面微观结构演变、晶体组成聚集、相变机理等随时间变化的动态规律。4.2.14晶核在母相中形成新相时，体系中空间各点出现新相几率相同的成核现象。4.2.15快速生长fastgrowth在动力学控制下的实际生长中，优化的生长参数使生长界面处晶体组成间聚集态的能量分布接近于热力学生长状态，从而造成生长速率的提高并接近于热力学生长速率。4.2.16螺旋位错生长理论serewdislocationtheoryofcrystalgrowth以晶体生长界面上螺型位错的露头点作为晶体的生长源的一种晶体生长理论。4.2.17孪晶机制twingrowthmechanism在面心立方晶体中，相邻的(111)面存在的孪晶，在生长面的凹角处形成亚台阶，会吸附原子生长，交替形成全台阶而不断生长的机制。4.2.18普兰托边界层理论Prandtlboundarylayertheory固-液界面附近存在着一组狭窄区域，这些区域按性质分别称为速度边界层、温度边界层、溶质浓度运主要靠对流。4.2.19刃位错机制edgedislocationgrowthmechanism晶面与位错相交，不处于以该位错的柏格斯矢量为轴的晶带中，不同位错线对晶体生长的贡献均相同，无论何种类型位错均为这类晶面提供了永不消失的台阶。4.2.20溶解度solubility4.2.21溶解度的温度系数temperaturecoefficientofsolubility在一定压力下，物质在溶剂中溶解的变化量与温度变化量之比。4.2.22体系的内在性质在物理和化学上都是均匀的部分。4.2.23当外界条件改变时，晶体从一种状态或结构转变为另一种状态或结构的过程。4.2.24相变驱动力drivingforceforphasetransition根据热力学法则，当两相间吉布斯自由能不等时，存在着相变驱动力，相变向自由能降低的方向9GB/T39131—20205检测和表征包裹体inclusion晶体生长过程中因组分过冷而在生长界面上呈现出显微结构形态类似蜂窝的界面特征。沿晶体不同的结晶学方向具有不同的物理特性。坏或性能恶化的现象。有可逆性。光学晶体中折射率的不均匀性。核心core晶体生长过程中平行于固液界面的低指数晶面因生长速率快于其他晶面而形成的应力缺陷集中注：发生于晶坯轴心到边缘之间位置称为侧心。发生于晶坯边缘附近位置称为边心。处于间隙位置上的原子或离子形成的缺陷。结构相同而取向不同晶粒之间的界面。晶体结构中晶格位质点缺失而形成的点缺陷。GB/T39131—2020由两个互不平行的同种单晶按一定的对称关系而组成的规则连生晶体。5.11.1机械孪晶mechanicaltwin由外力使晶体发生形变所形成的孪晶。5.11.2生长过程中形成的孪晶。偏离晶体结构周期排列的现象。能吸收可见光使原来透明的晶体出现颜色的点缺陷。蚀坑etchpit填隙interstitial质点处于晶体结构格位之间空隙位置上的点缺陷。晶体在垂直于生长方向所产生的层状不均匀性所呈现的条带状缺陷。晶体内部原子沿某条直线方向呈现出的局部不规则排列。单位体积晶体中所含位错线的总长度(cm/cm³)。注：通常用晶体某晶面单位面积上位错蚀坑的数目(个/cm²)表示。晶体内部结构中沿着某条线(行列)方向上的周围局部范围内所产生的晶格缺陷。由众多微细气泡或包裹体分布在晶体中形成的如同弥漫的云雾的缺陷。GB/T39131—2020结晶学平面密勒指数milerindicesofacrystallographicplane注：通常用圆括号括起来。用于标示晶体中晶面和晶向的密勒指数的一种符号体系。注：晶面(),如(111);晶面族{},如{111};晶向[],如[111];晶向族<>,如<111>。单晶的结晶学取向。晶体生长过程中自发形成的晶体表面。生长后未经加工和后处理的原始晶体毛坯。晶锭crystalingot经过加工后外形为圆柱体或长方体的晶体毛坯。成型毛坯crystalblank晶片crystalwafer具有平行平面的外形规则片状晶体。晶块crystalblock利用晶体的物理性质实现一定功能性的器件。改善晶体特性或组成的热处理过程。极化polarization把晶体按照要求的晶向切割成具有一定形状和一定尺寸晶片或晶块的工艺过程。GB/T39131—2020晶片或晶块加工得到的实际表面的法线与名义表面的晶体结晶学方向的夹角。滚圆cylindricallapping用研磨的方法加工晶体外圆表面成圆柱形的工艺过程。倒角edgerounding6.17.16.17.2精磨precisiongrinding采用不同粒度磨料进行多次研磨过程时，将采用较小粒度磨料、第二道及后续工序进行的研磨抛光polishing化学机械抛光chemicalmechanicalpolishing利用化学和机械综合作用将研磨后的晶体毛坯表面加工成光滑镜面的工艺过程。晶片抛光后获得如镜面状完美的表面。晶体加工时，在晶体加工面留下的一系列弧状凸纹和凹纹交替形状的不规则痕迹表面疵病surfaceimperfec6.22.16.22.2晶体表面浅的细沟槽，其长宽比大于5:1。6.22.3晶片或晶块边缘非有意地造成脱落材料的区域。GB/T39131—2020延伸到晶片或晶块表面的解理或断裂。晶体平面与理想平面的变动量。6.25.16.25.2注：一个完整的随机表面将有一个高斯分布的直方图和Rku=3。6.25.3表面织构起主要作用的方向。6.25.4在不规则物(空间波长)之间的间隔小于100pm时的表面粗糙度分量。6.25.5峰到谷差peaktovalley在一个求值长度L内，相对于中间线表面轮廓最高点至最低点的6.25.6在求值区域内(=Lx,Ly)(SEMIMI),相对于中间面的表面形貌偏差Z(x)的均方根值，用RqA表示。6.25.7在取值长度L(SEMIMI)内，相对于中间线的表面剖面(轮廓)高度偏差Z(x)的均方根，用Rq表示。6.25.8均方根斜率rmsslope6.25.9注：一个完美的随机表面应有Rsk=0。6.25.10真实表面与基准表面的形貌偏差。在求值长度内，相对于中间线，5个最高轮廓峰高度的绝对值和5个轮廓谷深度的绝对值的平均[1]GB/T14264—2009半导体材料术语[4]江东亮，李龙土，欧阳世翕，施剑林.中国材料工程大典第9卷，无机非金属材料工程(下).北汉语拼音索引A氨热法…………4.1.1B半导体晶体………3.1包裹体……………5.1胞状组织…………5.2崩边…………6.22.3表面疵病………6.22表面织构……6.25.10表面织构主方向……………6.25.3不可逆光损伤…………………5.4.1布拉格方程……2.12布拉维格子……2.11布里奇曼法……4.1.7C侧面垂直度……6.28层错机制………4.2.3掺杂……………4.2.2成型毛坯…………6.7垂直区熔法……4.1.6磁光晶体…………3.2磁性晶体…………3.3粗糙度…………6.25粗磨…………6.17.1D单畴化…………6.12单晶………………2.4刀痕……………6.21导模法…………4.1.2倒角……………6.16倒溶解度………4.2.4等离子加热……4.3.1底部籽晶法……4.1.3点群………………2.9电光晶体…………3.4电阻加热………4.3.2顶部籽晶溶液法………………4.1.4定向切割………6.13多尺度结晶……4.2.5多晶………………2.5F非对称性……6.25.9非均匀成核……4.2.6非平衡晶体生长形态…………非线性光学晶体…………………3.5分光晶体…………3.6分凝系数………4.2.8分子束外延法…………………4.1.5峰到谷差……6.25.5浮区法…………4.1.6负离子配位多面体生长基元模型……………4.2.9G坩埚……………4.3.3感应加热………4.3.4高温溶液法…………………4.1.31高压釜…………4.3.5各向异性…………5.3公差……………6.27光聚焦加热……4.3.6光损伤……………5.4光学均匀性………5.5光学晶体…………3.7光折变晶体………3.8滚圆……………6.15H核心………………5.6红外加热………4.3.7划痕…………6.22.2化学机械抛光…………………6.19化学气相沉积法………………4.1.8J机械孪晶……5.11.1激光加热………4.3.8激光加热基座法……………4.1.10激光晶体…………3.9极化……………6.12加速坩埚旋转法………………4.1.9间隙缺陷…………5.7结晶生长的化学键合理论…4.2.11结晶学表示法……6.2结晶学平面密勒指数……………6.1解理………………5.8晶胞………………2.7晶锭………………6.6晶界……………5.9晶块………………6.9晶面………………6.4晶片………………6.8晶体………………2.1晶体结构…………2.6晶体生长动力学……………4.2.13晶体生长热力学……………4.2.12晶体元件………6.10晶系………………2.8晶向………………6.3晶向偏离………6.14晶向误差………6.14精磨…………6.17.2均方根区域微粗糙度………6.25.6均方根微粗糙度……………6.25.7均方根斜率…………………6.25.8均匀成核……4.2.14K可逆光损伤……5.4.2空间群…………2.10空位……………5.10快速生长……4.2.15L冷坩埚法……4.1.11连续加料提拉法……………4.1.12裂纹……………6.23孪晶……………5.11孪晶机制……4.2.17螺旋位错生长理论…………4.2.16M麻点…………6.22.1P抛光……………6.18抛光面…………6.20泡生法………4.1.13平行度…………6.26平均粗糙度…………………6.25.1平面度…………6.24普兰托边界层理论…………4.2.18Q气相外延……4.1.14峭度…………6.25.2切仑科夫晶体…………………3.10丘克拉斯基法………………4.1.24区熔法………4.1.15缺陷……………5.12R热交换法……4.1.16热释电晶体……3.11人工晶体…………2.3刃位错机制……4.2.19溶剂挥发法…………………4.1.18溶剂热法……4.1.17溶解度………4.2.20溶解度的温度系数…………4.2.21溶液法………4.1.19S色心……………5.13闪烁晶体………3.12升华法………4.1.27生长孪晶……5.11.2生长条纹………5.16声光晶体………3.13十点粗糙度高度……………6.25.11蚀坑……………5.14双折射晶体……3.14水平区熔法…………………4.1.20水热法………4.1.21水溶液降温法………………4.1.22水溶液蒸发法………………4.1.23T提拉法………4.1.24天然晶体…………2.2填隙……………5.15铁磁晶体………3.15铁弹晶体………3.17铁电晶体………3.16退火……………6.11W外延……………4.1.25微粗糙度……6.25.4位错……………5.17位错密度………5.18微下拉法……4.1.26物理气相传输法……………4.1.27X稀土晶体………3.18线缺陷…………5.19相……………4.2.22相变…………4.2.23相变驱动力…………………4.2.24相界面………4.2.27相平衡………4.2.26小角晶界………5.20Y压电晶体………3.19研磨……………6.17焰熔法………4.1.28液封提拉法…………………4.1.29液相外延……4.1.30原晶………………6.5云雾……………5.21Z周期键链理论………………4.2.28助熔剂法……4.1.31籽晶……………4.3.9BFDH理论……4.2.1Gibbs-Wulff晶体生长定律………………4.2.10英文对应词索引Aacceleratedcruciblerotationmethod………………………4.1.9acousto-opticcrystal………………………3.13ammonothermalmethod……………………4.1.1analyzingcrystal……………3.6anioncoordinationpolyhedrongrowthunitmodel………4.2.9anisotropy……………………5.3annealing……………………6.11aqueoussolutioncoolingmethod…………4.1.22aqueoussolutionevaporationmethod……………………4.1.23as-growncrystal………………6.5autoclave……………………4.3.5averageroughness…………………………6.25.1Bbirefringentcrystal…………………………3.14GB/T39131—2020bottomseededgrowthmethod………………4.1.3Braggequation…………………2.12Bravaislattice……………………2.11Bravais-Friedel-Donnay-Harkertheory………………………4.2.1Bridgmanmethod……………4.1.7Ccellularstructure…………………5.2chemicalbondingtheoryofsinglecrystalgrowth………4.2.11chemicalmechanicalpolishing………………6.19chemicalvapordepositionmethod……………4.1.8Cherenkovcrystal………………3.10chip……………………………6.22.3cleavage……………………………5.8cloudiness…………………………5.21coarsegrinding…………coldcruciblemethod…………………………4.1.11colorcenter……………………5.13continuouschargingCzochralskimethod…………………4.1.12core…………………5.6crack………………6.23crucible…………………………4.3.3crystal………………2.1crystalblank………………………6.7crystalblock………………………6.9crystalelement…………………6.10crystalgrowthkinetics………………………4.2.13crystalgrowththermodynamics……………4.2.12crystalingot……………………6.6crystalmorphologyfarfromequilibriumstate……………4.2.7crystalstructure…………………2.6crystalsystem……………………2.8crystalwafer………………………6.8crystallographicnotation………………………6.2crystallographicplane…………………………6.4cylindricallapping………………………Czochralskimethod…………………………4.1.24Ddefect………………5.12dislocation…………………………5.17dislocationdensity……………5.18doping…………………………4.2.2drivingforceforphasetransition…………4.2.24Eedgedislocationgrowthmechanism…………4.2.19edgerounding……………………6.16edge-definedfilm-fedgrowthmethod………………………4.1.2electro-opticcrystal………………3.4epitaxy…………………………4.1.25etchpit……………………………5.14Ffastgrowth……………………4.2.15faultmismatchgrowthmechanism……………4.2.3ferroelasticcrystal………………3.17ferroelectriccrystal………………3.16ferromagneticcrystal……………3.15flatness……………………………6.24floatingzonemethod……………4.1.6fluxmethod……………………4.1.31GGibbs-Wulfftheorem…………………………4.2.10grainboundary……………………5.9growthtwin……………………5.11.2grinding…………………………6.17Hheatexchangemethod…………………………4.1.16hightemperaturesolutionmethod……………4.1.31homogeneousnucleation………………………4.2.14horizontalzonemeltingmethod……………4.1.20hydrothermalmethod…………………………4.1.21Iinclusion……………………………5.1inductionheating…………………4.3.4infraredheating…………………4.3.7inhomogeneousnucleation………………………4.2.6interstitial…………………………5.15interstitialdefect…………………5.7irreversibleopticaldamage……………………5.4.1Kkurtosis…………………………6.25.2Kyropoulosmethod……………4.1.13GB/T39131—2020Llasercrystal…………………3.9laserheating…………………………laserheatingpedestalgrowthmethod……………………4.1.10lay…………………………6.25.3lightfocusheating…………………………4.3.6lineardefect…………………5.19liquidencapsulatedCzochralskimethod………………4.1.29liquidphaseepitaxy……………………4.1.30littleanglegrainboundary………………5.20Mmagneticcrystal……………3.3magneto-opticcrystal…………………………3.2mechanicaltwin…………………………5.11.1micro-pulling-downmethod……………microroughness…………………………6.25.4milerindicesofacrystallographicplane……………………6.1molecularbeamepitaxymethod…………4.1.5multiscalecrystallization…………………4.2.5Nnaturalcrystal……………2.2nonlinearopticalcrystal…………………3.50off-orientation………………6.14opticalcrystal………………3.7opticaldamage………………5.4opticalnonuniformity………………………5.5orientation…………………6.3orientationalcutting……………………6.13Pparallelism…………………6.26peaktovalley…………………………6.25.5periodicbondchaintheory………………4.2.28phase………………………4.2.22phasediagram……………4.2.25phaseequilibrium………………………4.2.26phasetransition…………………………4.2.23photorefractivecrystal……………………3.8physicalvaportransportmethod…………4.1.27GB/T39131—2020piezoelectriccrystal………………………3.19pit………………………6.22.1plasmaheating……………4.3.1pointgroup…………………2.9polarization………………6.12polishedsurface…………………………6.20polishing……………………6.18polyerystal…………………2.5Prandtlboundarylayertheory…………4.2.18precisiongrinding………………………6.17.2pyroelectriccrystal………………………3.11Rrareearthcrystal…………………………3.18resistanceheating…………………………4.3.2retrogradesolubility………………………4.2.4reversibleopticaldamage………………5.4.2rmsareamicroroughness………………6.25.6rmsmic