2024晶体硅光伏组件

CrystallinesiliconphotovoltaicGB/T191GB22971989GB15763.320093GB/T341602017IECTS60904-13Photovoltaicdevices-Part13:ElectroluminescenceofphotovoltaicIEC61215-1:2021Terrestrialphotovoltaic(PV)modules-Designqualificationandtypeapproval-Part1:TestrequirementsIEC61215-2:2021Terrestrialphotovoltaic(PV)modules-Designqualificationandtypeapproval-Part2:TestproceduresIEC61730-1:2016Photovoltaic(PV)modulessafetyqualification-Part1:RequirementsforconstructionIEC61730-2:2016Photovoltaic(PV)modulessafetyqualification-Part2:Requirementsfor-GB22971989GB15763.3200912长度或宽度IEC61215-1:20218STCIEC61215-2:20214.6.3湿漏电流应符合IEC61215- 绝缘性能应符合IEC61215- IEC61215-2:20214.4IEC61215-2:20214.7IEC61215-2:20214.8.52%热斑耐久性应符合IEC61215- 紫外预处理（UV）IEC61215-2:20214.10.53%热循环（TC）IEC61215-2:20214.11.5TC3%（单玻组TC200TC300）。湿-冻（HF）IEC61215-2:20214.12.5HF3UVTC50HF序列功率衰减≤5%（HF10HF20）。湿-热（DH）性能应符合IEC61215-2:2021 4.13.4规定，DH前后功率衰减≤5%(单玻组件DH1000h，双玻组件DH1500h)。IEC61215-2:20214.14.2.4IEC61215-2:20214.14.3静态机械载荷（ML）应符合IEC61215-2:2021 序列功率衰减≤5%(单玻组件DH1000h，双玻组件DH1500h)。IEC61215-2:20214.17.53IEC61215-2:20214.18.1.6 反向过电流试验应符合IEC61730- 动态机械载荷（DML）IEC61215-2:20214.20.43%

EC61215-

4.21.68585RH，192pGB/T34160-2017nIEC61215-2:20214.11IEC61215-2:20214.101500IEC61215-2:20214.20BPPNSTCIEC61215-2:20214.6.3IEC61215-2:20214.15.4IEC61215-2:20214.3.5IEC61215-2:20214.4IEC61215-2:20214.7 4.8测试 4.9测试 4.10测试 4.12测试 4.13测试 4.14.2测试 4.14.3测试 4.16测试 4.17测试 4.18.1测试 4.18.2测试 10.20规定 10.21测试 4.20测试 4 附录ASTC条件下的性能与铭牌标STC条件下的性能，从而计算被测样品的衰减率。试验过程包4个部分。5.0kWh/m25.5kWh/m2。初始测试包括外观检查、STCIEC61215-2:20214.1、4.6.3、4.3、4.15的规定检测。61215-2:20214.1、4.6.3、4.3、4.15EL试验，最终测试EL试验。STC条件下的性能测试计算得到，计算公式如下：4个部分。5.0kWh/m25.5kWh/m2。初始测试包括外观检查、STCIEC61215-2:20214.1、IEC61215-2:20214.3、4.15最终测试包括外观检查、STCIEC61215-2:20214.1、4.6.3的规STC条件下的性能测试计算得到，计算公式如下：B1