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CCSB2134DB34/T3719—2020染井吉野樱组培育苗技术规程TechnicalregulationsfortissuecultureofPrunus×yedoensis2020-11-27发布2020-12-27实施安徽省市场监督管理局发布I本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草234月～6月从染井吉野樱健壮母株上截取半木质化的腋芽茎段或顶芽等器官作为组培快繁体系的诱导培养基为MS+BA0.5mg/L～1.0mg/L+NAA0.02mg/L+TDZ2.0mg/L～3.0mg/L+蔗糖20g/L~小段接种至上述培养基中。先在22℃~25℃条件下全暗培养5d～7d，然后置于每天光照10h~5.5g/L～6.5g/L。将4.3获得的丛生芽分切成芽块至继代增殖培养基4光照强度约2000lx，培养温度22℃~25℃的条件下培养，多次反复切割进行继代增殖培养，直至得生根培养基为1/2MS+NAA0.01mg/L～0.02mg/L+蔗糖20g/L+琼脂5.5g/L～6.5g/L。将4.4获得的高度约为2.5cm～3.5cm的健壮芽分切接种至生根培养基中，接种后先在22℃~25℃左右条件下暗培养0d～5d，然后置于光照10h～12h，光照强度2000lx，温度为22℃~25℃左右的培养室中培在培养容器中生长的根、茎、叶俱全的完整植株，苗高3.5cm～5.5cm，基部长出3根～5根将培养容器松开容器盖放置在有散射光的温室中3d～5d，温度5缓苗期大约15天左右。温度应控制在15℃~30℃;每天定期给幼苗喷雾保湿，叶片周围湿度保移植4周～8周内，每周可喷施高氮型叶面肥（N：P：K=40：20：20）)一次，稀

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