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文档简介
-ICS65.020.40
B61
备案号:DB32
江苏省地方标准
DB32/T-XXX
衬底表面纳米、亚微米尺度薄膜方块电阻
的无损测试四探针法
Nano,Sub-micronscalefilmonsubstrate—Non-destructiveTestMethodof
BlockResistance—Fourprobemethod
(征求意见稿)
20xx--发布20xx--实施
江苏省市场监督管理局发布
1
DB32/T××××—20xx
衬底表面纳米、亚微米尺度薄膜方块电阻的无损测试四探
针法
1范围
本标准规定了衬底表面纳米、亚微米尺度薄膜方块电阻的无损测试方法。
包含仪器设备、试样处理、测定步骤、结果计算方法和数据精密度要求。
本标准适用于由涂覆、喷涂、压制、化学气相沉积、扩散层、外延、离子注入或
其他沉积工艺在衬底上形成的薄膜材料方块电阻的测定。
也同样适用于普通弹性薄膜或涂层。如ITO薄膜,电容器卷积薄膜等。
-44
本标准可测量试样的方块电阻范围为10Ω/□~10Ω/□。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅所注日期的版
本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文
件。
GB/T1552-1979硅单晶电阻率直流四探针测量方法
GB/T8170-2008数值修约规则与极限数值的表示和判定
JJG508-2004四探针电阻率测试仪检定规程
3术语与定义
下列术语和定义适用于本文件
3.1方块电阻
电流沿薄膜或薄层材料平面方向流动时,电流平行方向上的电场强度(电势梯度)和电
流垂直截面上的电流线密度(宽度方向)之比。
3
DB32/T××××—20xx
3.2薄膜
一维线性尺度远远小于其他二维的、且厚度小于1微米的材料。
4方法原理
4.1使用导电橡胶探针的四探针测量装置,如图1,四根探针呈等间距直线分布,使
直流电流I通过试样上外两个探针1和4,测量两个内探针2和3之间的电位差U,结合试
样长度h和宽度w,计算出试样方块电阻R口。如公式(1)
图1四探针法测量方块电阻示意图
R口=4.532*(U/I)*G(w,h,l)----------------------(1)
R口=4.532*Rs*G(w,h,l)----------------------(2)
式中:
R口:试样方块电阻,单位:欧,Ω/□。
U:2和3针测试电压,单位:伏,V
I:1和4针测试电流,单位:安,A
Rs=U/I:视在电阻。单位:欧,Ω
G(w,h,l):样品为有限尺寸时平面形状修正函数。查阅表1
l:探针平均间距。
1
l=(l1+l2+l3)
n
4
DB32/T××××—20xx
l1、l2、l3分别为探针1与2,2与3,3与4之间的间距。
表1矩形薄膜形状位置修正表G(w,h,l)
正方形矩形
w/lh/l=1h/l=2h/l=3h/l≥4
1.00.22040.2205
1.250.27510.2702
1.50.32630.32860.3286
1.750.37940.38030.3803
2.00.43010.42970.4297
2.50.51920.51940.5194
3.00.54220.59570.59580.5958
4.00.68700.71150.71150.7115
5.00.77440.78870.78880.7888
7.50.88460.89050.89050.8905
10.00.93120.93450.93450.9345
15.00.96820.96960.96960.9696
20.00.97880.98300.98300.9830
40.00.99550.99570.99570.9957
1001.00001.00001.00001.0000
w:短边长度
h:长边长度
w
l:探针间距l1l2l3
h
矩形薄片形状示意图
5仪器组成和规格
5.1仪器组成
仪器由四探针测试仪主机、四探针测试台、导电橡胶探头、计算机及四探针软件等部分
组成,通过软件测试系统对四探针测试仪主机发出控制指令,主机在获得控制指令后按程
序进行测量,获得所需测量数据。整个仪器系统满足JJG508—2004四探针测试仪的要求。
5
DB32/T××××—20xx
5.2规格
a)主机测量范围:方块电阻:10-4~104Ω/□。
b)测试台可测样品的尺寸:Φ200mm直径以下或200mm×200mm以内
c)测试探头:导电橡胶探头,体积电阻小于109Ω·cm。
6测试步骤
6.1将测试仪器、试样置于温度23℃±3℃,相对湿度不超过65%RH的测试间,开机
预热半小时以上。
6.2试样尺寸大于10mm10mm的需多点测量,(小样品可以在中心单点测试)将
满足测试要求的样品表面均匀分为四个测试区域部分(如图2),在每个测试区域选择不少
于1个测试点进行采样测量。数据记录参照表2
图2试样方块电阻测量位置
表2方块电阻测试数据记录表
R口R口R口R口
序号
(第一次)(第二次)(第三次)(平均)
Ω/□Ω/□Ω/□Ω/□
1
2
3
4
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