锡须生长影响因素及预防措施_第1页
锡须生长影响因素及预防措施_第2页
锡须生长影响因素及预防措施_第3页
锡须生长影响因素及预防措施_第4页
锡须生长影响因素及预防措施_第5页
已阅读5页，还剩16页未读， 继续免费阅读

付费下载

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

錫須生長影響因素

及預防措施報告大綱何為錫須？

錫須生長原理及限制錫須生長之策略

1.底層材料之影響2.外界因素之影響（劃傷及折彎）3.錫鍍層厚度之影響4.鎳鍍層厚度之影響

客戶聲音錫須（生長過程）生長期間形狀成形後錫須小丘狀（生長初期）交錯方式生長呈條紋狀生長呈環狀生長錫須（生長方式）錫晶粒層狀生長，逐漸向外推錫晶粒垂直方向生長，逐漸積累錫晶粒兩種生長方式並存繩狀枝狀從小丘狀開始生長錫須（生長形態）錫須生長過程中，客觀因素的影響或是錫晶粒排列取向改變使錫須生長方向發生改變，形成不同生長形態的錫須。客戶聲音DELL要求錫須生長原理及限制錫須生長之策略底層材料之影響SnSnSn-XIMCXSubstrate底層材料不同時，錫鍍層與底層材料間形成IMC（Intermetallic）量與速率不同，此時錫鍍層錫須生長機會則不同CompressiveStressCuSubstrateSnDepositTinWhiskerisforcedoutCu6Sn5底層材料之影響（底鍍層為Cu材）IMCStress23°C,2DaysRT,30days錫銅IMC數量增加並向錫層晶界處滲透對錫鍍層形成壓力錫銅IMC（金屬間化合物）生長特性

Aging:RoomTempCu6Sn5intermetallic室溫時生長曲線

Cu6Sn5orCu3Snintermetallic125度，

150度時生長曲線

錫須截面圖（SnonCusubstrate）IMC向晶界處滲透擠壓錫晶粒促使錫須產生15000X10000X錫須截面圖（SnonCusubstrate）IMC銅基材上錫須生長概要1.Cu與Sn接觸，形成Sn-CuIMC2.Sn-CuIMC向Sn層晶界間滲透對Sn層形成壓力3.

壓力的存在，使錫晶粒重新排列成為可能，也是錫須生長成為可能SnSnIMCNiSubstrate底層鍍鎳時，在室溫條件理貯存6個月，未發現有錫須生長。底層材料之影響（底鍍層為Ni材）200X 5000X鎳鍍層上鍍錫時，錫須生長情況

（after500tempcycles–55to+85deg.C）經冷熱循環實驗後發現有錫須生長。但生長並不超過50um。可通過鍍鎳阻隔層以減少錫須生長之機會。外界因素之影響（劃傷）200X避免鍍層表面劃傷將使錫須生長機率降低外界因素之影響（折彎）錫鍍層厚度之影響（底材為黃銅）黃銅鍍錫當錫膜厚>2um時，生長錫須

人人文库> 全部分类> 图纸下载 > 毕业设计

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论