标准解读
《T/CIE 155-2023 非易失性相变存储器电性能测试方法》是一项针对非易失性相变存储器（PCM）的电性能测试制定的标准。该标准详细规定了PCM在不同工作条件下的电气特性测量方法，旨在为PCM的研发、生产和质量控制提供统一的测试依据。其主要内容包括但不限于以下几个方面：
- 范围：明确了本标准适用于所有类型的非易失性相变存储器件。
- 术语和定义：给出了与PCM及其电性能测试相关的专业术语及定义，确保行业内对相关概念有一致的理解。
- 测试环境：描述了进行电性能测试时所需的基本环境要求，如温度、湿度等，以保证测试结果的一致性和可比性。
- 测试项目：列举了PCM电性能测试的主要项目，比如读写速度、数据保持能力、耐久度等关键指标。
- 测试方法：对于每一项测试内容，都提供了具体的实验步骤和技术参数设定指导，帮助测试人员准确执行测试过程。
- 数据分析：介绍了如何处理从测试中获得的数据，以及如何根据这些数据评估PCM的性能是否符合预期或特定标准的要求。
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....
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- 现行
- 正在执行有效
- 2023-03-20 颁布
- 2023-03-20 实施
文档简介
ICS31200
CCSL.56
团体标准
T/CIE155—2023
非易失性相变存储器电性能测试方法
Measuringmethodsofelectricalpropertiesfor
non-volatilephasechangememory
2023-03-20发布2023-03-20实施
中国电子学会发布
中国标准出版社出版
本标准版权归中国电子学会所有除了用于国家法律或事先
。
得到发布单位文字上的许可外不许以任何形式对本标准包括电
,(
子版影印件进行复制改编翻译汇编或将本标准用于其他任
、)、、、
何商业目的
。
T/CIE155—2023
目次
前言
…………………………Ⅲ
引言
…………………………Ⅳ
范围
1………………………1
规范性引用文件
2…………………………1
术语和定义
3………………1
测试环境与条件
4…………………………2
概述
4.1…………………2
源测量单元
4.2…………………………3
信号发生器
4.3…………………………3
探针台
4.4………………3
示波器
4.5………………3
测试条件
4.6……………3
样品
5………………………3
器件性能测试
6……………4
直流电流电压特性
6.1-…………………4
存储窗口
6.2……………5
置位时间
6.3……………6
置位电压
6.4……………6
复位时间
6.5……………7
复位电压
6.6……………8
功耗
6.7…………………9
器件可靠性测试
7…………………………9
耐久
7.1…………………9
数据保持时间
7.2………………………10
试验报告
8…………………11
附录资料性相变存储器电性能测试实例
A()…………12
参考文献
……………………18
Ⅰ
T/CIE155—2023
前言
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
本文件由中国电子学会提出并归口
。
本文件起草单位华中科技大学长江存储科技有限责任公司中国计量科学研究院中国电子技术
:、、、
标准化研究院
。
本文件主要起草人缪向水何强童浩程晓敏徐明刘峻李硕任玲玲李锟
:、、、、、、、、。
Ⅲ
T/CIE155—2023
引言
相变存储器因具备超高速高集成度低功耗等特点而受到国内外研究者的广泛关注被认为最有
、、,
潜力成为下一代主流非易失性存储器正在以前所未有的速度向产业化方向发展
,。
关于相变存储器的有效精准测试是指导性能优化的基础但目前国际国内均无统一的相变存储器
,
测试标准随着近年来相变存储器产业化进程加剧亟待建立一套明确的相变存储器电性能测试标
。,
准以指导器件优化设计上下游测试设备等产业发展
,、。
本文件规定了一套明确的非易失性相变存储器电性能测试方法标准分为器件性能测试和器件可
,
靠性测试器件性能测试包括电流电压特性存储窗口置位时间置位电压复位时间复位电压功
,-、、、、、、
耗器件可靠性测试包括耐久和数据保持时间这对相变存储器的研究与应用至关重要满足了众多相
;。,
变存储器生产与应用的迫切需求
。
Ⅳ
T/CIE155—2023
非易失性相变存储器电性能测试方法
1范围
本文件规定了相变存储器件单元的电性能测试方法分为器件性能测试和器件可靠性测试器件性
,,
能测试包括电流电压特性存储窗口置位时间置位电压复位时间复位电压功耗器件可靠性测试
-、、、、、、;
包括耐久和数据保持时间
。
本文件适用于相变存储器件单元以下简称器件
()。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文
。,
件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于
,;,()
本文件
。
半导体器件集成电路第部分数字集成电路
GB/T17574—19982:
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件
。
31
.
置位set
使相变存储器件置入不表示零的规定状态的置位操作
(SET)。
来源有修改
[:GB/T17574—1998,1.2.21,]
注通常施加一个宽度较宽且幅度适中的电脉冲使相变材料温度升高到结晶温度以上熔化温度以下并且保持
:,、,
一定的时间使晶体成核生长实现相变材料由非晶态向多晶态的转化进而实现相变存储单元阻值降低即置
,,,,
操作
1。
32
.
复位reset
使相变存储器件恢复到规定的不必一定表示零的初始状态的复位操作
(RESET)。
来源有修改
[:GB/T17574—1998,1.2.22,]
注通常施加一个宽度较窄而幅度较高的电脉冲电能转变成热能使相变材料温度迅速升高到熔化温度以上然
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