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文档简介

第二单元集成电路晶圆测试基础第二单元集成电路晶圆测试基础1.硅片2.晶圆3.晶圆测试项目4.晶圆测试设备5.晶圆测试操作1.硅片制备集成电路芯片的晶圆片,其衬底材料主要为硅片,其纯度为99999%,简称“九个9”。硅片制备与检测1.硅片硅片几何尺寸圆形薄片,边缘有定位边或定位槽。a)P型(11)b)P型(10)c)N型(100)d)N型(11l1.硅片刪"""测m-"直径(mm)厚度(pm)面积(cm2)质量(g)100(4")525±2578.549.65125(5625±25122.72150(6")675±20176.71200(8”)725±20314.1653.08300(12"775±20127.64450(18″)?1.硅片加工工艺流程1.硅片基本检测项目硅片的主要质量要求器件特征尺寸(pm)0.30.25硅片直径(mm位平整度(mm)02(2×2117(26×32)012(26×3208(26×3正面微粗糙度(nm015单位面积体微缺陷数(个/m≤5000氧含量(10-6≤(24±2)≤(23±1.5)|≤(22:15单位面积颗粒数(个/cm2)0.3外延层厚度/均匀性(pm/±3.0/士5%%1,4/士2%1.0/±2%掺杂浓度(个/m3)掺杂类型<101014~10lP型PPN型1.硅片商用硅片举例一RemarkIsinglecrystalsilicon.lo-cmASTMI84ASTMFBISaplingPlanBoRientationlASTMF613tioa0±10degrecASTMI847,SEMIM1SecondaryFlatCarbonconcentration1.硅片ResistiityuaiformityFlatnessGlobal(GFLR)tienEtchPitDensity(EPDepositedpolysilicon8+/-0.15um-Depositedaxic2mmclearancefromedgexx区1.硅片RemarkurfaceDefectslp.orangepeel,cack,swatch,bare.ISEMIMITabledgechp,cratergroovemoundwmarkLineage.crow'sfeetprs62BackSurfaceDefectSEMIM1TableSodiun00E+11SLSlionL

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