双极型三极管

双极型三极管演示文稿1第1页，共30页。双极型三极管2第2页，共30页。1.3.1晶体管的结构常用的三极管的结构有硅平面管和锗合金管两种类型。(a)平面型(NPN)(b)合金型(PNP)NecNPb二氧化硅becPNPe发射极，b基极，c集电极。第3页，共30页。平面型(NPN)三极管制作工艺

在N型硅片(集电区)氧化膜上刻一个窗口，将硼杂质进行扩散形成P型(基区)，再在P型区上刻窗口，将磷杂质进行扩散形成N型的发射区。引出三个电极即可。合金型三极管制作工艺：在N型锗片(基区)两边各置一个铟球，加温铟被熔化并与N型锗接触，冷却后形成两个P型区，集电区接触面大，发射区掺杂浓度高。第4页，共30页。(a)NPN型ecb符号集电区集电结基区发射结发射区集电极c基极b发射极eNNP第5页，共30页。集电区集电结基区发射结发射区集电极c发射极e基极b

cbe符号NNPPN(b)PNP型第6页，共30页。1.3.2晶体管的电流放大原理以NPN型晶体三极管为例讨论cNNPebbec表面看晶体管若实现放大，必须从晶体管内部结构和外部所加电源的极性来保证。不具备放大作用第7页，共30页。晶体管内部结构要求：NNPebcNNNPPP1）发射区高掺杂。2）基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米，而且掺杂较少。3）集电结面积大。第8页，共30页。RCUBBUCCRB

晶体管放大的外部条件：外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态，而集电结处于反向偏置状态。第9页，共30页。becRcRb1.三极管中载流子运动过程IEIB（1）发射发射区的电子越过发射结扩散到基区，基区的空穴扩散到发射区—形成发射极电流

IE

(基区多子数目较少，空穴电流可忽略)。（2）复合和扩散电子到达基区，少数与空穴复合形成基极电流Ibn，复合掉的空穴由UBB补充。多数电子在基区继续扩散，到达集电结的一侧。第10页，共30页。becIEIBRcRb1.三极管中载流子运动过程（3）收集集电结反偏，有利于收集基区扩散过来的电子而形成集电极电流

Icn。其能量来自外接电源UCC。IC

另外，集电区和基区的少子在外电场的作用下将进行漂移运动而形成反向饱和电流，用ICBO表示。ICBO第11页，共30页。2.三极管的电流分配关系IC=ICN+ICBO

IE=ICN+IBN+ICBO=IEN+IEPUBBUCCRBRCIE=IC+IBIB=IBN+IPE-ICBO三个极的电流之间满足节点电流定律，即第12页，共30页。3.晶体管电流放大系数(1)直流电流放大系数一般要求ICN在IE中占的比例尽量大。而二者之比称直流电流放大系数，即一般可达0.95~0.99为共基极直流放大系数第13页，共30页。将(1)式代入IE=IC+IB得其中：称为共射极直流电流放大系数。第14页，共30页。上式中的后一项常用ICEO表示，ICEO称穿透电流。当ICEO<<IC时，忽略ICEO，则由上式可得共射极直流电流放大系数近似等于IC与IB之比。一般值约为几十~几百。第15页，共30页。（2）交流电流放大系数在共射极放大电路中，当有输入电压∆ui作用时，则晶体管的基极电流将在IB的基础上叠加动态电流∆iB，集电极电流也将在IC的基础上叠加动态电流∆iC。通常将集电极电流变化量∆iC与基电极电流变化量∆iB之比定义为共射极交流电流放大系数，用

表示。即：共射电流放大系数同样∆iC与∆iE之比定义为共基极交流电流放大系数。共基电流放大系数第16页，共30页。根据

和

的定义，以及三极管中三个电流的关系，可得故

与

两个参数之间满足以下关系：直流参数与交流参数

、

的含义是不同的，但是，对于大多数三极管来说，

与，

与的数值却差别不大，计算中，可不将它们严格区分。第17页，共30页。输出回路输入回路+UCE-1.3.3

晶体管的特性曲线

特性曲线是选用三极管的主要依据，可从半导体器件手册查得。特性曲线分为输入特性曲线与输出特性曲线。IBUCEICUCCRBUBBcebRCV

+V

+

A

++

mA输入特性：对共发射极放大电路而言，输入特性曲线是描述基极电流iB与电压uBE之间的关系。输出特性：是描述集电极电流iC与电压uCE之间的关系。+UCE-+UCE-IBIBIBUBE共射特性曲线测试电路第18页，共30页。1、输入特性

(1)uCE=0时的输入特性曲线RBUBBcebIB+UBE_UBBIB+UBE_bceOiB/A

当uCE=0时，基极和发射极之间相当于两个PN结并联。所以，当b、e之间加正向电压时，应为两个二极管并联后的正向伏安特性。第19页，共30页。(2)

uCE>0时的输入特性曲线

当uCE>0时，这个电压有利于将发射区扩散到基区的电子收集到集电极。uCE>uBE，三极管处于放大状态。

*特性右移(因集电结开始吸引电子)OiB/AuCE≥1时的输入特性具有实用意义。iBUCEiCUCCRBUBBcebRCV

+V

+

A

++

mAUBE*uCE

≥1V，特性曲线重合。第20页，共30页。2、输出特性划分三个区：截止区、放大区和饱和区。(1)截止区iB≤0的区域。两个结都处于反向偏置。iB=0时，iC=ICEO。

硅管约等于1A，锗管约为几十~几百微安。第21页，共30页。(2)放大区：条件：发射结正偏集电结反偏

特点：各条输出特性曲线比较平坦，近似为水平线，且等间隔。集电极电流和基极电流体现放大作用，即对NPN管uBE>0，uBC<02、输出特性第22页，共30页。(3)饱和区：条件：两个结均正偏对NPN型管，uBE>0uBC>0。

特点：iC基本上不随iB而变化，在饱和区三极管失去放大作用。iC

iB。当uCE=uBE，即uCB=0时，称临界饱和，uCE

<

uBE时称为过饱和。饱和管压降UCES<0.4V(硅管)，UCES<0.2V(锗管)2、输出特性第23页，共30页。1.3.4

晶体管的主要参数三极管的连接方式ICIE+C2+C1UEEReUCCRc(b)共基极接法UCCRb+UBBC1TICIBC2Rc+(a)共发射极接法第24页，共30页。(2)共射直流电流放大系数忽略穿透电流ICEO时，(1)共基直流电流放大系数忽略反向饱和电流ICBO时，1、直流参数是表征管子在直流电压作用下的参数。有以下几个：第25页，共30页。(3)集电极和基极之间的反向饱和电流ICBO(4)集电极和发射极之间的反向饱和电流ICEO(a)ICBO测量电路(b)ICEO测量电路ICBOceb

AICEO

Aceb小功率锗管ICBO约为几微安；硅管的ICBO小，有的为纳安数量级。当b开路时，c和e之间的电流。值愈大，则该管的ICEO也愈大。第26页，共30页。(1)共射电流放大系数

(1)共基电流放大系数

和

这两个参数不是独立的，而是互相联系，关系为：2.交流参数交流参数是交流条件下起作用的参数，它反映三极管对动态信号的性能指标。第27页，共30页。3、极限参数(1)集电极最大允许电流ICM当iC过大时，三极管的

值要减小。在iC=ICM时，

值下降到额定值的三分之二。(2)集电极最大允许耗散功率PCM过损耗区安全工作区将iC与uCE乘积等于规定的PCM值各点连接起来，可得一条双曲线。iCuCE<PCM为安全工作区iCuCE>PCM为过损耗区iCuCEOPCM=iCuCE安全工作区安全工作区过损耗区过损耗区第28页，共30页。(3)极间反向击穿电压外加在三极管各电极之间的最大允许反向电压。