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ICS31.080H80/84 T/CASA010—DeterminationofTraceImpuritiesConcentrationandDistributioninMaterialsbySecondaryIonMass T/CASAT/CASA010-目前 范 前（的设备。目前我国以二次离子质谱方法高精度检测第三代半导体材料中的痕量杂质浓度及分布的标准属于空白领域，因此该标准的制定对第三代半导体材料的特征参数评价及产业应用具有较强的积极作用。CASACASA允许；任何T/CASAT/CASA010—1×1015atoms/cm3。其它杂质的检测可参照执行。GB/T GB/T GB/T25186 GB/T29851 光伏电池用硅材料中B、Al受主杂质含量的二次离子质谱测量方法GB/T36705 relativesensitivityfactor待测样品具有相同基体组分的的标准样品。选择标准样品中基体的某个组分元素与杂质元素进行比对T/CASAT/CASA010—图1如果分析室的真空度大于5％以内，保证标准样品表面平坦光滑。T/CASAT/CASA010—10mm×10mm。69Ga+离子计数率，在不扫描69Ga+2×105counts／s。10mm×10mm5点取T/CASA010—28Si+、27Al+、65Zn+、56Fe+的离子计数率及69Ga+5个周期的结果进行平均。

(28Si)/(69Ga (27Al)/(69Ga (65Zn)/(69Ga (56Fe)/(69Ga

RSF[Si]—atoms／cm3；T/CASA010—Su和从标准样品中得到的相对灵敏度因子RSF，分别（5（6（7

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