半导体集成电路封装术语-编制说明

国家标准《半导体集成电路封装术语》（征求意见稿）

编制说明

一、工作简况

1、任务来源

根据《国家标准化管理委员会关于下达2023年国家标准复审修订计划的通

知》（国标委发【2023】64号），《半导体集成电路封装术语》国家标准修订项目

（计划项目代号：20233861-T-339），由全国集成电路标准化技术委员会

（SAC/TC599）归口，主要承办单位为中国电子科技集团公司第十三研究所，副

主办单位有中国电子技术标准化研究院、江苏长电科技股份有限公司和天水七四

九电子有限公司等。项目周期为16个月。

2、制定背景

随着全球电子信息产业的快速发展，全球半导体集成电路行业一直呈现持续

增长的势头，为满足半导体集成电路技术的快速发展和应用的要求，半导体集成

电路封装技术也得到了快速发展，新的半导体集成电路封装形式和种类不断增

加，涌现了很多半导体集成电路封装的新设计和新工艺。目前《半导体集成电路

封装术语》的标龄已有31年，标准内容已不能满足目前使用需求。急需制定本标

准，满足行业发展和交流的需要。

3、工作过程

1）起草阶段

2023年12月～2024年2月，收到国家标准制定任务，中国电子科技集团公司

第十三研究所牵头成立了标准编制组，并明确分工、各阶段的时间节点以及各阶

段的主要工作内容。编制组首先收集GB/T14113-1993《半导体集成电路封装术

语》、GB/T7092-2021《半导体集成电路外形尺寸》、GB/T9178-1988《集成电路

术语》及相关国军标的标准和资料，并对收集的标准资料进行研究、分析，按照

GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》，完成了《半导

体集成电路封装术语》征求意见稿。

二、国家标准编制原则、主要内容及其确定依据

1、编制原则

该标准为半导体器件的封装标准，属于基础通用标准。为保证修改后的标准

能够反映当前最新的技术和工艺，并考虑当前的技术水平、经济条件和社会环境，

确保标准的可行性，本标准采用国标及国军标内已有的术语及定义，在原标准的

基础上进行修订。同时该标准按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：

标准的结构和编写》的要求进行编写。

2、主要内容及其确定依据

除编辑性修改外，标准的结构与GB/T14113-1993《半导体集成电路封装术

语》保持一致，内容在原标准的基础上，修改11项术语，删除2项术语，位置调

整6项术语，增加30项术语。

本标准包含范围、规范性引用文件、通用术语、结构术语、技术和工艺术语

等五章内容，具体说明如下：

1）范围：半导体集成电路封装在生产制造、工程应用和产品交验等方面使

用的基本术语。本文件适用于与半导体集成电路封装相关的生产、科研、教学和

贸易等方面的应用。

2）规范性引用文件：本文件直接引用的文件主要有GB/T7092、GB/T9178、

GJB1420、GJB2440和GJB923。

3）通用术语：GB/T9178界定的术语和定义适用于本文件。主要修改如下：

①“上框”修改为“密封环”，“引线间距”修改为“引线节距”；

②对“跨度”术语重新定义；

③将原技术、工艺术语中“壳温”、“安装表面温度”、“结温”、“热阻”术语

调整到通用术语中，其中“结温（junctiontemperature）”英文缩写“Tj”修

改为“Tj”，热阻（thermalresistance）英文缩写“RθJR”更改为“RθJc”；

④增加“焊料”术语；

⑤在3.6条描述中增加陶瓷封装，同时图1中增加了陶瓷封装引线框架示意

图。

4）结构术语：GB/T9178界定的术语和定义适用于本文件。主要修改如下：

①对“关键密封区”、“非关键密封区”术语重新定义；

②删除“指形焊点”、“平面度”术语；

③将图6中b）的描述更改为“直插式封装”；

④增加“关键连接区”、“印制线”、“关键芯片粘接区”、“关键键合区”、“热

沉”、“绝缘子”、“电极”、“弯月区”8项术语。

5）技术和工艺术语：GB/T7092和GB/T9178界定的术语和定义适用于本

文件。主要修改如下：

①将“凸起”的原英文翻译“projection”修改为“protrusion”；

②将原结构术语中“支座”、“共面性”术语调整到技术、工艺术语中，其中

“支座”修改为“支撑高度”；

③增加“上翻”、“孔洞”、“金属化延伸”、“表面气泡”、“内部气泡”、“圆弧

状裂纹”、“弯月区裂纹”、“径向裂纹”、“玻璃缺损”、“玻璃爬高”、“玻璃外溢”、

“玻璃飞溅物”、“封装高度”、“封装体厚度”、“封装长度”、“封装直径”、“引出

端宽度”、“引出端直径”、“引出端厚度”、“引出端长度”、“焊接长度”21项术

语。

3、编制过程中解决的主要问题（做出的贡献）

现行的GB/T14113-1993《半导体集成电路封装术语》的标龄已有31年，标

准内容已不能满足目前使用需求，除需要补充新的半导体集成电路封装相关的术

语定义外，标准中个别术语也需要重新进行定义。

通过修订本标准，一方面可以保证标准内容与现有半导体集成电路封装技术

相适应，满足半导体集成电路封装研制生产和使用的要求。另一方面可以进一步

规范统一半导体集成电路封装在研制、生产、使用和销售等领域的术语，同时对

促进半导体集成电路封装的沟通和技术交流具有非常重要的意义。

三、试验验证的分析、综述报告，技术经济论证，预期的经济效益、社会

效益和生态效益

1）试验验证的分析、综述报告

按照本标准，对参研单位的陶瓷封装从设计、生产、检验环节分析，均可用

本标准进行描述。以某CSOP32线产品为例，其结构设计可用本标准的术语，如密

封环、连接区、引线等进行描述；其技术工艺可用本标准的术语，如引出端节距、

支撑高度、封装长度等进行描述。能够满足目前半导体集成电路封装在生产制造、

工程应用和产品交验等方面的需求。

与同级别封装相关标准对比评估，术语定义内容与GB/T7092-2021、GB/T

9178-1988均协调一致。

连接区

引线

引线节距引出端宽度

密封环

金属化

封装高度

封装体厚度

支撑高度

引出端厚度

键合区

跨度

芯片粘接区

引线框架

引出端薄层

引出端识别标志基面

封装长度安装面

图1某CSOP32线产品外形图

通过制定本标准，规范、统一了半导体集成电路的基本封装术语。在经济效

益方面，本标准规定的半导体集成电路封装术语在国内具有通用性，对于促进贸

易具有非常重要的意义；在社会效益方面，本标准可广泛应用于研制生产和使用

单位，对于促进贸易和技术交流具有非常重要的意义；在生态效益方面，与行业

内现行有效的半导体集成电路封装相关国家标准、行业标准协调一致，规范和统

一了国内半导体集成电路研制生产单位对基本封装术语的应用，推动半导体集成

电路封装产业的发展。

四、与国际、国外同类标准技术内容的对比情况，或者与测试的国外样品、

样机的有关数据对比情况

在JEDEC中的JESD27-1993,CeramicPackageSpecificationfor

MicroelectronicPackages标准中，与附录A的内容协调一致。

在JEDEC中的JESD9C-2017,InspectionCriteriaforMicroelectronic

PackagesandCovers标准中，与第三章的内容协调一致。

五、以国际标准为基础的起草情况，以及是否合规引用或者采用国际国外

标准，并说明未采用国际标准的原因

不涉及。

六、与有关法律、行政法规及相关标准的关系

本标准与现行的法律、法规及国家标准、行业标准相协调。目前在现行有效

的国家标准中，半导体集成电路封装有关的标准如下：

1）GB/T7092-2021半导体集成电路外形尺寸

2）GB/T9178-1988集成电路术语

3）GB/T14113-1993半导体集成电路封装术语

本标准为GB/T14113-1993的修订，其中所涉及到的相关术语定义，均为以

上国家标准中所涉及到的相关术语定义。

七、重大分歧意见的处理经过和依据

本标准为半导体器件的封装标准，属于基础通用标准，是GB/T14113-1993

《半导体集成电路封装术语》的修订，无重大的分歧意见。

八、涉及专利的有关说明

本标准的技术内容不涉及相关专利。

九、实施国家标准的要求，以及组织措施、技术措施、过渡期和实施日期

的建议等措施建议

本标准为半导体器件的封装标准化标准之一，规定了半导体集成电路封装在

研制生产、工程应用和产品交验等方面使用的基本术语，适用于与半导体集成电

路封装相关的生产、科研、教学和贸易等方面的应用。

建议由国家标准管理机构组织贯彻本标准的相关活动，利用各种条件（如标

委会的管理和活动、专家培训、技术交流、标准化技术刊物、网上信息等）宣贯

本标准。建议本标准于2025年发布实施。

十、其他应当说明的事项

无。

国家标准《半导体集成电路封装术语》编制工作组

2024-03-18

国家标准《半导体集成电路封装术语》（征求意见稿）

编制说明

一、工作简况

1、任务来源

根据《国家标准化管理委员会关于下达2023年国家标准复审修订计划的通

知》（国标委发【2023】64号），《半导体集成电路封装术语》国家标准修订项目

（计划项目代号：20233861-T-339），由全国集成电路标准化技术委员会

（SAC/TC599）归口，主要承办单位为中国电子科技集团公司第十三研究所，副

主办单位有中国电子技术标准化研究院、江苏长电科技股份有限公司和天水七四

九电子有限公司等。项目周期为16个月。

2、制定背景

随着全球电子信息产业的快速发展，全球半导体集成电路行业一直呈现持续

增长的势头，为满足半导体集成电路技术的快速发展和应用的要求，半导体集成

电路封装技术也得到了快速发展，新的半导体集成电路封装形式和种类不断增

加，涌现了很多半导体集成电路封装的新设计和新工艺。目前《半导体集成电路

封装术语》的标龄已有31年，标准内容已不能满足目前使用需求。急需制定本标

准，满足行业发展和交流的需要。

3、工作过程

1）起草阶段

2023年12月～2024年2月，收到国家标准制定任务，中国电子科技集团公司

第十三研究所牵头成立了标准编制组，并明确分工、各阶段的时间节点以及各阶

段的主要工作内容。编制组首先收集GB/T14113-1993《半导体集成电路封装术

语》、GB/T7092-2021《半导体集成电路外形尺寸》、GB/T9178-1988《集成电路

术语》及相关国军标的标准和资料，并对收集的标准资料进行研究、分析，按照

GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》，完成了《半导

体集成电路封装术语》征求意见稿。

二、国家标准编制原则、主要内容及其确定依据

1、编制原则

该标准为半导体器件的封装标准，属于基础通用标准。为保证修改后的标准

能够反映当前最新的技术和工艺，并考虑当前的技术水平、经济条件和社会环境，

确保标准的可行性，本标准采用国标及国军标内已有的术语及定义，在原标准的

基础上进行修订。同时该标准按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：

标准的结构和编写》的要求进行编写。

2、主要内容及其确定依据

除编辑性修改外，标准的结构与GB/T14113-1993《半导体集成电路封装术

语》保持一致，内容在原标准的基础上，修改11项术语，删除2项术语，位置调

整6项术语，增加30项术语。

本标准包含范围、规范性引用文件、通用术语、结构术语、技术和工艺术语

等五章内容，具体说明如下：

1）范围：半导体集成电路封装在生产制造、工程应用和产品交验等方面使

用的基本术语。本文件适用于与半导体集成电路封装相关的生产、科研、教学和

贸易等方面的应用。

2）规范性引用文件：本文件直接引用的文件主要有GB/T7092、GB/T9178、

GJB1420、GJB2440和GJB923。

3）通用术语：GB/T9178界定的术语和定义适用于本文件。主要修改如下：

①“上框”修改为“密封环”，“引线间距”修改为“引线节距”；

②对“跨度”术语重新定义；

③将原技术、工艺术语中“壳温”、“安装表面温度”、“结温”、“热阻”术语

调整到通用术语中，其中“结温（junctiontemperature）”英文缩写“Tj”修

改为“Tj”，热阻（thermalresistance）英文缩写“RθJR”更改为“RθJc”；

④增加“焊料”术语；

⑤在3.6条描述中增加陶瓷封装，同时图1中增加了陶瓷封装引线框架示意

图。

4）结构术语：GB/T9178界定的术语和定义适用于本文件。主要修改如下：

①对“关键密封区”、“非关键密封区”术语重新定义；

②删除“指形焊点”、“平面度”术语；

③将图6中b）的描述更改为“直插式封装”；

④增加“关键连接区”、“印制线”、“关键芯片粘接区”、“关键键合区”、“热

沉”、“绝缘子”、“电极”、“弯月区”8项术语。

5）技术和工艺术语：GB/T7092和GB/T9178界定的术语和定义适用于本

文件。主要修改如下：

①将“凸起”的原英文翻译“projection”修改为“protrusion”；