JIS C 61340-3-2-2011 静电学.第3-2部分-静电感应模拟方法.机械模型(MM).静电放电试验波

(1)C61340-3-2:2011(IEC61340-3-2:2006)ページ序文 11適用範囲 12用語及び定義 13試験装置 24MMESD電流波形への要求事項 34.1一般的事項 34.2電流波形の確認及び校正 35供試品のESD耐圧評価 55.1一般パラメータ 55.2電気的端子をもつ供試品の評価 55.3電気的端子をもたない供試品の評価 66試験手順 67判定基準 68MMのESD耐性分類 6C61340-3-2:2011(IEC61340-3-2:2006)この規格は,工業標準化法第12条第1項の規定に基づき,財団法人日本電子部品信頼性センター(RCJ)及び財団法人日本規格協会(JSA)から,工業標準原案を具して日本工業規格を制定すべきとの申出があり,日本工業標準調査会の審議を経て,経済産業大臣が制定した日本工業規格である。この規格は,著作権法で保護対象となっている著作物である。この規格の一部が,特許権,出願公開後の特許出願又は実用新案権に抵触する可能性があることに注意を喚起する。経済産業大臣及び日本工業標準調査会は,このような特許権,出願公開後の特許出願及び実用新案権に関わる確認について,責任はもたない。JISC61340の规格群には,次に示す部舢成がある。JISC61340-2-1静電気一測定方法一材料及び製品の静電気電荷拡散性能の測定方法JISC61340-3-1第3-1部:静電気の影響をシミュレーションする方法一人体モデル(HBM)の静電気放心,試験波形JISC61340-3-2第3-2部:静電気の影響をシミュレーションする方法ーマシンモデル(MM)の静電気放心试験波形JISC61340-4-1第4-1部:特定応用のための標準的な試験方法一床仕上げ材及び施工床の電気抵抗JISC61340-4-3第4-3部:特定応用のための標準的試験方法一履物JISC61340-44第4-4部:特定応川のための標準的試験方法ーフレキシブルコンテナの睁化気的分類JISC61340-4-5静電気一特定応用のための標準的試験方法一人体と組み合わせた履物及び床システムの静電気防止性能の評価方法日本工業規格JIS(IEC61340-3-2:2006)静電気一第3-2部：effects—Machinemodel(MM)electrostaticdischargetestwaveforms序文この規格は,2006年に第2版として発行されたIEC61340-3-2を基に,技術的内容及び構成を変更するなお,この規格で点線の下線を施してある参考事項は,対応国際規格にはない事項である。この規格は,マシンモデル(以下,MMという。)において静電気放電この規格は,一般的な電子部品の試験に適用できる。さらに,E又は物質,電子部品及びその他の静電気対策用部材に応用するためのMMにおけるESDの電流波形(以IEC60749-27に規定する。注記この規格の対応国際規格及びその対応の程度を表す記号を,次に示す。IEC61340-3-2:2006,Electrostatics—Part3-2:Methodsforsimulationofelectrostaticeffects—Machinemodel(MM)electrostaticdischargetestwaveforms(IDT)2.1供試品,UUT(unitundertest)MMにおけるESD試験の対象となる材料,物質,静電気対策用部材又は製品。2.2供試品故障(UUTfailure)ESD試験の結果,供試品が規定の特性値(パラメータ)に適合しなくなった状態。2C61340-3-2:2011(IEC61340-3-2:2006)2.3ESD耐圧(ESDwithstandvoltage)供試品故障を発生させない最大ESD電圧。3試験装置3.1MMESD電流波形発生装置MMESD電流波形発生装置は,供試品へ印加するMMにおけるESDす。記号1MMESD電流波形発生装置(公称値:200pF)5供武品6校正川负荷7知知絡線図1—MMESD電流波形発生装置の等価回路及び校正用負荷a)校正用負荷(図1の記号7及び8)は,3.2.2に規定する。b)電流トランスデューサ(記号9)は,3.2.3に規定する。d)供試品及びその他のテストジグに静電気帯電を残さないた注記2MMESD電流波形発生装置の設計には,再帯電状態及び2重パルス印加を避けるように注3.2電流波形校正装置MMESD電流波形の校正に用いる装置について規定する。電流波形校正装置に3.2.1電流波形記録装置電流波形記録装置のシングルショットの帯域幅は,350MHz以上とする。3b)負荷2:波形校正に用いる電圧に対して,500Ω±1%のできるだけインダクタン供試品の試験前に,MMESD電流波形発生装置は,短絡線(負荷1)及び抵抗負荷(負荷2).を通した価電圧に対して,図2に示すとおりとする。抵抗負荷でのESD電流波形は,+400V及びー400Vの等価試験装置は,最初の受人試験の間に電流波形の確認をし供試品の試験に試験基板又は回路基板を用いる場合,基板は,試験装置の電流波形を確認するときに用いたものと同じとする。電流波形が表1並びに図2及び図VAAA1一一2一一34一一4C61340-3-2:2011(IEC61340-3-2:2006)tm:63ns~91nsの範囲にある主要なパルスの幅。最初に0と交差する时州から,3川に0を交差する时Iまでを測定する。5C61340-3-2:2011(IEC61340-3-2:2006)時間→20ns/時間→図3一抵抗器(500Ω)における代表的な電流波形図3の抵抗器(500Ω)における放電電流パルスは,次による。lrm表1に規定する最大のピーク電流5供試品のESD耐圧評価供試品には,次のパラメータを規定しなければならない。5.2電気的端子をもつ供試品の評価電気的端子をもつ供試品のESD耐性評価は,例えば,入力,出力,電源供給,グラウンドなどの異なる端子タイプで分類するのがよい。電源供給がない端子は,各端子と電源端子又はグラウンド端子との間で(一つずつ)試験する。電気的端子をもつ供試品の評価の場合,MMにおいて最も弱い端子の組合せ及び故障しきい(闘)値を明確にすることがましい。したがって,出気的端子の数が少ない供試品は,通常,全ての端子の合せで評価を行う。ただし,電気的端子の数が多い供試品の場合は,端子タイプの分類によって試験端子の組6C61340-3-2:2011(IEC61340-3-2:2006)注記半導体デバイスのESD耐性の評価方法は,IEC60749-27に規定されている。5.3電気的端子をもたない供試品の評価供試品が電気的端子をもたない材料又は物質(例えば,包装材)の場合,電極又はその他の適切な手段によって供試品に放電波形を印加する必要がある場合がある。6試験手順試験手順は,個々の適用に応じて決定する。注記1半導体デバイスのESD耐性評価を決定するためのMMESD電流波形は,IEC60749-27に規試験は,任意の電圧ストレスレベルから開始してよい。両極性の単一パルスを,全ての供試品の端子又は電極の組合せに対して,全ての電圧ストレスレベルで印加する。注記2幾つかのタイプの供試品は,許容範囲を超えた電圧ストレスレベルを印加すると中抜け不良それぞれの端子組合せ及び極性のストレス印加を別個の供試品を用いて印加することは,許容される。全ての供試品が判定基準を満たした場合,同じ供試品を次の電圧ストレスレベルの試験に用いてもよい。各電圧ストレスレベル,各端子組合せ及びノ又は各極性で,異なった供試品を用いてもよい。7判定基準供試品は,ESD試験後,個別規格に規定する特性值のうち,いずれか一つでも満足しない場合,ESD故障とみなす。8MMのESD耐性分類必要がある場合,適切なMMのESD耐性分類を規定する。注記1ESD耐圧は,通常,適切な分類となるが,別の分類を用いることがある。多くの場合,供試品のESD耐圧を参照することで十分であり,新たに耐性分類を規