DB52T 860-2013 5KP 系列硅瞬态电压抑制二极管详细规范

ICS31.080.10DB52DB52/T860—20135KP系列硅瞬态电压抑制二极管详细规范贵州省质量技术监督局发布IDB52/T860—2013前言 12规范性引用文件 13符号和型号命名 14技术要求 15质量一致性检验 3 87订货资料 98包装、贮存和运输 99使用注意事项 9附录A（规范性附录）最大箝位电压VCmax的测试方法 DB52/T860—2013本标准按GB/T1.1—2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。请注意：本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由贵州省机械电子产品质量监督检验院、中国振华集团永光电子有限公司提出。本标准由贵州质量技术监督局归口。本标准起草单位：贵州省机械电子产品质量监督检验院、中国振华集团永光电子有限公司。本标准主要起草人：邹盛琳、江涛、唐文斌、曹珩、孟勤、章俊华、龚洪宾、李钢、杨朝辉、易晶本标准附录A是规范性附录。本标准首次发布。DB52/T860—201315KP系列硅瞬态电压抑制二极管详细规范本标准规定了5KP12、5KP16、5KP33、5KP51、5KP60、5KP78、5KP100、5KP180、5KP200型硅瞬态电压抑制二极管（以下简称器件）的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、贮存、运输。本标准适用于器件的研发、生产、检验和使用。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T2423.3电工电子产品基本环境试验规程试验Ca：恒定湿热试验方法GB/T4023半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管GB/T4589.1半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范GB/T4937半导体分立器件机械和气候试验方法GB/T6571半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管GB/T11499半导体分立器件文字符号GB/T12560半导体器件分立器件分规范3符号和型号命名3.15KP系列的型号命名由两部分组成，其含义为：a)5KP表示瞬态功率为5000W；b)5KP后面的阿拉伯数字表示其最大反向工作电压。3.2有关符号含义的说明PPR表示瞬态功率、PR表示稳态功率、IP表示脉冲峰值电流、IFSM表示浪涌电流、TOP表示工作温度、Tstg表示贮存温度、VBR表示击穿电压、IBR表示测试电流、IR1表示反向漏电流、VRWM表示反向工作电压、VC表示箝位电压、V（BR）3表示低温反向击穿电压、IZM表示稳态额定电流。4技术要求4.15KP系列硅瞬态电压抑制二极管采用YD2-16A型金属空腔封装，见图1。2DB52/T860—2013图15KP系列硅瞬态电压抑制二极管采用YD2-16A型金属空腔封装图表1外形尺寸单位：毫米GLL———————4.2质量评定类别质量评定类别：国标Ⅱ类。4.3最大额定值和主要电特性4.3.1最大额定值最大额定值见表2。表2最大额定值PWPWAAT℃T℃3见表2第4栏DB52/T860—201334.3.2主要电特性主要电特性（除非另有规定，TA=25℃)见表3。表3电参数规范表123456VVVVVVVVAV1111111115质量一致性检验5.1质量一致性检验中的试验方法和检验规则均按GB4589.1和GB12560以及本规范中A组、B组、C组的规定进行。5.2A组检验按照本标准表4的规定进行，B组检验按照本标准表5的规定进行，C组检验按照本标准DB52/T860—20134表4A组—逐批所有试验都是非破坏性的（GB/T4589.1中3.6.6）5＞100IVI=1mAV=V见表2第V3VV7表5B组—逐批LSL=规范下限值；USL=规范上限值；只有标明（D）的试验是破坏性的（GB/T4589.1中3.6.6）。DB52/T860—20135表5B组—逐批(续)快速温度变化反向漏电流测00/s见表2第V在Y1方向上按196000m/s见表2第VV1）在T=25℃下，施加峰值脉VDB52/T860—20136表5B组—逐批(续)VT=150℃V表6C组—周期LSL=规范下限值；USL=规范上限值；只有标明（D）的试验是破坏性的（GB/T4589.1中3.6.6）。VI=1mAVVDB52/T860—20137表6C组—周期(续)见表2第2栏V快速温度变化反向漏电流测00/s见表2第2栏V1见表2第2栏V1见表2第2栏VDB52/T860—20138表6C组—周期(续)VVV2）在T=125℃下，对器件施加VVV6标志6.1器件上的标志a)承制方商标；b)产品型号；c)*表示电压分档标志；d)极性标志。6.2包装盒上的标志a)器件名称型号和质量评定类别；b)承制方商标；DB52/T860—20139c)检验批识别代码；7订货资料b)详细规范号；c)击穿电压范围（如果与本规范不一致）；d)质量评定类别。8包装、贮存和运输8.1包装器件采用防护包装，即防污、防腐、防潮包装。8.2贮存器件应贮存在温度-10℃~40℃和相对湿度不大于80%的干燥、通风、无腐蚀性气体影响的库房内。8.3运输器件运输时应有牢固包装箱，箱外应有符合规定的“小心轻放”、“防湿”等标志。装有器件的包装箱允许用汽车、火车、运输。运输中应避免雨、雪的直接淋袭和机械撞击。9使用注意事项9.1器件的最大额定值是指对器件能够安全使用的工作条件和环境条件的极限值。器件使用时，无论条件怎样恶劣，都不允许超过或瞬时超过规定的极限值。9.2为了有利于提高器件工作的可靠性，应考虑对器件的最大额定值参数进行降额使用或者选用最大额定值参数更高的器件。9.3最大脉冲功率PPR随温度负荷曲线如图2所示。DB52/T860—2013图2温度负荷曲线DB52/T860—2013（规范性附录）最大箝位电压VCmax的测试方法本测试的目的是为了在规定条件下确定瞬态电压抑制二极管的箝位电压是否符合规范的规定。A.2电路图测试电路图见图A1、波形电路图见A2。RVS>D1GRaRVS>D1GRa0.9IPPVCVC0.5IPPtttrtp图A.1图A.1箝位电压测试电路图图A.2脉冲电流波形（指数波）A.3电路说明和要求G—脉冲发生器；R—偏置电流调节器；D—被测瞬变电压抑制二极管；VC—峰值电压表；VS—偏置电压源；D1—隔离二极管。A.4测试步骤a)将环境温度控制到规定条件；b)调节R使偏置电流达到规定值；c)调节G的输出，使其流过二极管的脉冲电流达到规定值；d)