WO2025139840A1 显示面板及其制备方法、显示装置 （京东方科技集团股份有限公司）

(19)世界知识产权组织(51)国际专利分类号：H10K50/15(2023.01)H10K50/17(2023.01)(21)国际申请号：PCT/CN2024/139035(22)国际申请日：2024年12月13日(13.12.2024)(25)申请语言：中文(26)公布语言：中文(30)优先权：(71)申请人：京东方科技集团股份有限公司(BOECO.,LTD.)[CN/CN];中国北京市大兴区北京经济技术开发区地泽路9号1幢407室100176(CN)。(72)发明人：刘晓云(LIU,Xiaoyun);中国北京市大兴区北京经济技术开发区地泽路9号100176(CN)。焦志强(JIAO,Zhiqiang);中国北京市大兴区北京经济技术开发区地泽路9号100176(CN)。张大成(ZHANG,Dacheng);中国北京市大兴区北京经济技术开发区地泽路9号100176(CN)。张永峰(ZHANG,Yongfeng);中国北京市大兴区北京经济技术开发区地泽路9号100176(CN)。1号楼5层601100088(CN)。(81)指定国(除另有指明，要求每一种可提供的国家BH,BN,BR,BW,BY,BZ,CA,CH,CL,CN,CCV,CZ,DE,DJ,DK,DM,DO,DZ,EC,EGB,GD,GE,GH,GM,GT,HN,HR,HU,IDIR,IS,IT,JM,JO,JP,KE,KG,KH,KN,KP,KLA,LC,LK,LR,LS,LU,LY,MA,MD,MGMU,MW,MX,MY,MZ,NA,NG,NI,NO,NZ,PE,PG,PH,PL,PT,QA,RO,RS,RU,RW,SA(54)发明名称：显示面板及其制备方法、显示装置SE,SG,SK,SL,ST,SV,SY,TH,TJUA,UG,US,UZ,VC,VN,WS,ZA,ZM(84)指定国(除另有指明，要求每一种可提供的地区NA,RW,SC,SD,SL,ST,SZ,TZ,UG,ZM,ZW),欧亚(AM,AZ,BY,KG,KZ,RU,TJ,TM),欧洲(AL,AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GBHU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,ME,MK,MTPL,PT,RO,RS,SE,SI,SK,SM,TR),OAPI(BFCG,CI,CM,GA,GN,GQ,GW,KM,ML(57)摘要：一种显示面板及其制备方法、显示装置。显示面板包括衬底基板、位于衬底基板上的像素定义层以及位于像素定义层远离衬底基板的一侧的发光功能层。像素定义层包括用于限定像素开口的限定部。发光功能层包括载流子层，载流子层连续，且载流子层覆盖像素定义层。载流子层包括第一区域和除第一区域外的第二区域，第一区域在衬底基板的第一表面上的正投影位于限定部在衬底基板的第一表面上的正投影内，第一区域的载流子迁移率小于第二区域的载流子迁移率。本申请可以防止显示面板的相邻子像素之间形成串扰电流。1显示面板及其制备方法、显示装置本申请要求于2023年12月26日提交的申请号为202311813450.8、申请名通过引用结合在本申请中。技术领域本申请涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。背景技术显示面板不仅可以满足小尺寸的显示需求，还可以应用在高分辨率和大尺寸的显示领域。LED显示面板可以应用于电视机、视频播放器、个人计算机(personalcomputer,PC)、家庭影院、智能电话、虚拟现实设备等等。其中，分辨率为每英寸所拥有的像素数量(pixelsperinch,PPI),虚拟现实设备包括虚拟现实 (virtualreality,VR)设备或增强现实(augmentedreality,AR)设备。同时，LED显示面板具有优秀的显示特性，例如分辨率高、亮度高、色彩丰富、驱动电压低、响应速度快、功耗低等，使其具有广阔的发展前景。发明内容本申请提供一种显示面板及其制备方法、显示装置。第一方面，提供一种显示面板，包括：像素定义层，位于所述衬底基板上，包括用于限定像素开口的限定部；发光功能层，位于所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧，包括载流子层，所述载流子层连续，且所述载流子层覆盖所述像素定义层，所述载流子层包括第一区域和除所述第一区域外的第二区域，所述第一区域在所述衬底基板的第一表面上的正投影位于所述限定部在所述衬底基板的第一表面上的正投影内，所述第一区域的载流子迁移率小于所述第二区域的载流子迁移率。2可选的，所述第一区域是经过掺杂或光辐照处理的区域。可选的，所述载流子层包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层和电荷产生层中的至少一个。可选的，所述显示面板还包括：封装结构，位于所述发光功能层远离所述衬底基板的一侧，所述封装结构远离所述衬底基板的表面具有第一减薄槽，所述第一减薄槽在所述衬底基板的第一表面上的正投影与所述第一区域在所述衬底基板的第一表面上的正投影重合。可选的，所述第一减薄槽的底面与所述封装结构靠近所述衬底基板的表面之间的最小距离大于1000埃。可选的，所述第一减薄槽的第一截面的宽度小于所述限定部远离所述衬底基板的表面的宽度，所述第一截面与所述衬底基板的厚度方向平行。可选的，所述限定部远离所述衬底基板的表面的两个边缘具有凸起结构，所述两个边缘是沿所述限定部远离所述衬底基板的表面的宽度方向排布的两个边缘，所述两个边缘的凸起结构之间具有第二减薄槽，所述发光功能层中位于所述第二减薄槽中的部分的厚度小于所述发光功能层中位于所述像素开口中的部分的厚度。可选的，所述第二减薄槽在所述衬底基板的第一表面上的正投影位于所述第一减薄槽在所述衬底基板的第一表面上的正投影内。可选的，所述凸起结构朝向所述像素开口的侧面的坡度角小于所述凸起结构朝向所述第二减薄槽的侧面的坡度角。可选的，所述显示面板还包括：阳极层，位于所述像素定义层和所述衬底基板之间，所述阳极层包括多个阳极，所述像素定义层包括多个像素开口，所述多个阳极一一对应位于所述多个像素开口中，用于限定任一像素开口的限定部覆盖所述任一像素开口中的阳极的边缘，所述第二减薄槽的第一截面的宽度小于相邻两个阳极之间的间隙的宽度，所述第二减薄槽的第一截面与所述衬底基板的厚度方向平行。可选的，所述像素定义层的材料为无机材料，所述限定部的坡度角大于45°,所述限定部远离所述衬底基板的表面与所述阳极层远离所述衬底基板的表面之间的距离小于或等于1000埃。可选的，所述像素定义层的材料为有机材料，所述限定部的坡度角小于45°,所述限定部远离所述衬底基板的表面与所述阳极层远离所述衬底基板的3表面之间的距离大于1000埃。可选的，所述显示面板还包括：刻蚀阻挡层，位于所述发光功能层远离所述衬底基板的一侧。可选的，所述封装结构包括层叠的多个封装层，所述多个封装层包括所述刻蚀阻挡层。可选的，所述多个封装层还包括位于所述刻蚀阻挡层两侧的两个第一封装可选的，所述多个封装层还包括位于所述第一封装层远离所述刻蚀阻挡层一侧的第二封装层。可选的，所述刻蚀阻挡层、所述第一封装层和所述第二封装层满足以下至少一项：所述刻蚀阻挡层的材料包括氧化铝(Al₂O₃);所述第一封装层的材料包括氮化硅(SiN);所述第二封装层的材料包括氧化硅(SiO)。可选的，所述发光功能层为有机发光功能层或者无机发光功能层。第二方面，提供一种显示装置，包括如第一方面及其可选实现方式所述的显示面板。第三方面，提供一种显示面板的制备方法，所述方法包括：在衬底基板上形成像素定义层，所述像素定义层包括用于限定像素开口的在所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧形成发光功能层，所述发光功能层包括载流子层，所述载流子层连续，且所述载流子层覆盖所述像素定义层；对所述载流子层的第一区域进行改性处理，使所述第一区域的载流子迁移率小于所述载流子层的第二区域的载流子迁移率，所述第二区域是所述载流子层上除所述第一区域外的区域，所述第一区域在所述衬底基板的第一表面上的正投影位于所述限定部在所述衬底基板的第一表面上的正投影内。可选的，所述对所述载流子层的第一区域进行改性处理，包括：通过掺杂或者光辐照对所述载流子层的所述第一区域进行改性处理。可选的，在对所述载流子层的第一区域进行改性处理之前，所述方法还包在所述发光功能层远离所述衬底基板的一侧形成封装结构；在所述封装结构远离所述衬底基板的表面形成第一减薄槽，所述第一减薄槽在所述衬底基板的第一表面上的正投影与所述第一区域在所述衬底基板的第4一表面上的正投影重合；所述对所述载流子层的第一区域进行改性处理，包括：从所述第一减薄槽所在位置对所述载流子层的所述第一区域进行改性处理。可选的，在对所述载流子层的第一区域进行改性处理之后，所述方法还包括：填充所述第一减薄槽。可选的，所述载流子层包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层和电荷产生层中的至少一个。可选的，所述第一减薄槽的底面与所述封装结构靠近所述衬底基板的表面之间的最小距离大于1000埃。可选的，所述第一减薄槽的第一截面的宽度小于所述限定部远离所述衬底基板的表面的宽度，所述第一截面与所述衬底基板的厚度方向平行。可选的，所述限定部远离所述衬底基板的表面的两个边缘具有凸起结构，所述两个边缘是沿所述限定部远离所述衬底基板的表面的宽度方向排布的两个边缘，所述两个边缘的凸起结构之间具有第二减薄槽，所述发光功能层中位于所述第二减薄槽中的部分的厚度小于所述发光功能层中位于所述像素开口中的部分的厚度。可选的，所述第二减薄槽在所述衬底基板的第一表面上的正投影位于所述第一减薄槽在所述衬底基板的第一表面上的正投影内。可选的，所述凸起结构朝向所述像素开口的侧面的坡度角小于所述凸起结构朝向所述第二减薄槽的侧面的坡度角。可选的，在衬底基板上形成像素定义层之前，所述方法还包括：在所述衬底基板上形成阳极层，所述阳极层包括多个阳极；所述在衬底基板上形成像素定义层，包括：在所述阳极层远离所述衬底基板的一侧形成像素定义层，所述像素定义层包括多个像素开口，所述多个阳极一一对应位于所述多个像素开口中，用于限定任一像素开口的限定部覆盖所述任一像素开口中的阳极的边缘，所述第二减薄槽的第一截面的宽度小于相邻两个阳极之间的间隙的宽度，所述第二减薄槽的第一截面与所述衬底基板的厚度可选的，所述像素定义层的材料为无机材料，所述限定部的坡度角大于45°,所述限定部远离所述衬底基板的表面与所述阳极层远离所述衬底基板的表面之间的距离小于或等于1000埃。5可选的，所述像素定义层的材料为有机材料，所述限定部的坡度角小于45°,所述限定部远离所述衬底基板的表面与所述阳极层远离所述衬底基板的表面之间的距离大于1000埃。可选的，所述显示面板还包括：刻蚀阻挡层，位于所述发光功能层远离所述衬底基板的一侧。可选的，在所述发光功能层远离所述衬底基板的一侧形成封装结构，包括：在所述发光功能层远离所述衬底基板的一侧形成层叠的多个封装层，所述多个封装层包括所述刻蚀阻挡层。可选的，所述多个封装层还包括位于所述刻蚀阻挡层两侧的两个第一封装可选的，所述多个封装层还包括位于所述第一封装层远离所述刻蚀阻挡层的一侧的第二封装层。可选的，所述刻蚀阻挡层、所述第一封装层和所述第二封装层满足以下至少一项：所述刻蚀阻挡层的材料包括氧化铝；所述第一封装层的材料包括氮化硅；所述第二封装层的材料包括氧化硅。可选的，所述发光功能层为有机发光功能层或者无机发光功能层。附图说明为了更清楚地说明本申请或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为一种双堆栈结构的OLED显示面板的结构示意图；图2为一种WOLED显示面板的结构示意图；图3为图2所示的WOLED显示面板中的一个子像素的电路示意图；图4为显示面板中的一个像素在A-A位置的剖视示意图；图5为发生串扰的电路原理示意图；图6为在发生串扰时各个子像素的电压与电流密度的关系图；图7为本申请实施例的一种显示面板的结构示意图；图8为本申请实施例的另一种显示面板的结构示意图；图9为本申请实施例的再一种显示面板的结构示意图；6WO2025/139840图10为本申请实施例的一种显示面板的制备方法的流程图；图11至图14是本申请实施例提供的一种显示面板的制备过程的示意图。具体实施方式为使本申请的原理、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合实施例，并参照附图，对本申请进一步详细说明。应注意到：除非另外说明，否则在这些实施例中阐述的部件的相对布置、数字表达式和数值不限制本申请的范围。同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，绝不作为对本申请及其应用或使用的任何限制。需要说明的是，除非另外定义，本申请实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请实施例中使用的“至少一个”指一个或多个，“多个”指两个或两个以上。“第一”、“第二”、“第三”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。显示面板不仅可以满足小尺寸的显示需求，还可以应用在高分辨率和大尺寸的显示领域。根据LED显示面板中的发光功能层的不同，LED显示面板可以包括有机发光二极管(organiclightemittingdiode,OLED)显示面板和无机发光二极管显示面板。OLED显示面板中的发光功能层为有机发光功能层，无机发光二极管显示面板中的发光功能层为无机发光功能层。通常情况下，小尺寸的OLED显示面板采用双堆栈OLED结构(以下简称为双堆栈结构)。高分辨率的OLED显示面板以及大尺寸的OLED显示面板在制备过程中会采用精细化掩膜版，例如精密金属掩膜板(finemetalmask,FMM),为了适应于精细化掩膜版自身的工艺限制，高分辨率的OLED显示面板以及大尺寸的OLED显示面板通常采用7请参考图1,其示出了一种双堆栈结构的OLED显示面板的结构示意图。该OLED显示面板包括依次层叠的阳极(anode)层1、第一结构层组2-1、电荷产 (cathode,CTD)层5。第一结构层组2-1和第二结构层组2-2均用于发光。其中，第一结构层组2-1包括：沿远离阳极层1的方向依次层叠的空穴注入层(holeinjectionlayer,HIL)201、空穴传输层(holetransportl204、空穴阻挡层(holeblocklayer,HBL)205和电子传输层(electrontransportlayer,ETL)206。电子阻挡层203包括多个电子阻挡图案2031。发光层204包括用于发射蓝色光的B发光图案2041,用于发射绿色光的G发光图案2041和用于发射红色光的R发光图案2041,且B发光图案2041、G发光图案2041以及R发光图案2041的分布采用RGB-SBS结构。多个发光图案2041与多个电子阻挡图案2031一一对应。每个电子阻挡图案2031根据其所对应的发光图案2041可以具备不同的厚度，对应于B发光图案2041的电子阻挡图案2031的厚度最小，对应于R发光图案2041的电子阻挡图案2031的厚度最大，对应于G发光图案2041的电子阻挡图案2031的厚度介于对应于R发光图案2041的电子阻挡图案2031的厚度与对应于B发光图案2041的电子阻挡图案2031的厚度之间。第二结构层组2-2的结构与第一结构层组2-1的结构相同。在如图1所示的双堆栈结构的OLED显示面板中，每个子像素包括：阳极层1、第一结构层组2-1中的空穴注入层201、第一结构层组2-1中的空穴传输层202、第一结构层组2-1中的电子阻挡图案2031、第一结构层组2-1中的与该电子阻挡图案2031对应的发光图案2041、第一结构层组2-1中的空穴阻挡层205、第一结构层组2-1中的电子传输层206、电荷产生层3、第二结构层组2-2中的空穴注入层201、第二结构层组2-2中的空穴传输层202、第二结构层组2-2中的电子阻挡图案2031、第二结构层组2-2中的与该电子阻挡图案2031对应的发光图案2041、第二结构层组2-2中的空穴阻挡层205、第二结构层组2-2中的电子传输层206、电子注入层4和阴极5。在每个子像素中，第一结构层组2-1中的电子阻挡图案2031、第一结构层组2-1中的发光图案2041、第二结构层组2-2中的电子阻挡图案2031以及第二结构层组2-2中的发光图案2041一一对应。在如图1所示的双堆栈结构的OLED显示面板中，可以对各个子像素进行单独控制，以按照显示需求控制不同颜色的子像素的出光强度，实现全彩显示。WO2025/1398408如图1所示的双堆栈结构的OLED显示面板包括用于发光的两个结构层组，每个结构层组包括一层发光层204,因此该OLED显示面板包括层叠的两层发光层204。该双堆栈结构的OLED显示面板的发光层的数量是单堆栈(singlestack)结构的OLED显示面板的发光层的数量的两倍，该双堆栈结构的OLED显示面板的使用寿命是单堆栈(singlestack)结构的OLED显示面板的使用寿命的四倍。请参考图2,其示出了一种WOLED显示面板的结构示意图。该WOLED显示面板包括背板25以及沿远离背板25的方向依次层叠的阳极层1、空穴注入层201、空穴传输层202、蓝色荧光发光层(FLBlueEML)21、电子传输层206、电荷产生层3、空穴传输层202、红绿磷光发光层(Ph.RGEML)22、电子传输层206、电子注入层4、阴极5(Cathode)、薄膜封装层23(TFE,thinfilmencap)和彩膜层24。彩膜层也称为彩色滤光器(colorfilter,CF)。阳极层1中包括多个阳极101,彩膜层24包括与该多个阳极101一一对应的多个色阻块2401,该多个色阻块2041包括用于透过红色光的R色阻块2401,用于透过绿色光的G色阻块2401和用于透过蓝色光的B色阻块2401。在如图2所示的WOLED显示面板中，每个子像素包括依次层叠的阳极101、空穴注入层201、空穴传输层202、蓝色荧光发光层21、电子传输层206、电荷产生层3、空穴传输层202、红绿磷光发光层22、电子传输层206、电子注入层4、阴极5以及与该阳极101对应的色阻块2401。图3示出了图2所示的WOLED显示面板中的一个子像素的电路示意图。图3中的节点a表示阴极5,节点b表示阳极101,EL1表示蓝色荧光发光层21,EL2表示红绿磷光发光层22,CGL表示电荷产生层3。参见图2和图3可以看出，蓝色荧光发光层21与红绿磷光发光层22通过电荷产生层3串联，蓝色荧光发光层21发出的蓝色荧光和红绿磷光发光层22发出的红绿色磷光混合形成白光，再结合彩膜层24实现全彩显可以理解，蓝色荧光和红绿色磷光混合形成白光仅为示例性说明，并不以此限定。例如，还可以通过蓝色荧光发光层和黄色磷光发光层串联，采用蓝色荧光发光层发出的蓝色荧光和黄色磷光发光层发出的黄色磷光混合形成白光。基于以上描述可知，图2所示的显示面板和图3所示的显示面板都包括空穴注入层201、空穴传输层202、电子注入层4、电子传输层206和电荷产生层3,载流子在这些结构层中均可以发生迁移，故而这些结构层可称为载流子层(或称为电荷连接层)。根据图1和图2可以获知，载流子层可以为整层结构，显9示面板中所有子像素共用载流子层。载流子在载流子层中迁移时，虽然大部分载流子会向发光层迁移，但是仍有一小部分载流子会沿着载流子层横向迁移，这一小部分载流子的横向迁移会导致相邻子像素之间形成串扰电流。图4示出了显示面板中的一个像素31在A-A位置的剖视示意图。像素31包括用于发射红色光的红色子像素(也即R子像素)3101、用于发射绿色光的绿色子像素(也即G子像素)3101和用于发射蓝色光的蓝色子像素(也即B子像素)3101。为了突出串扰电流的走向，图4对显示面板的结构层进行了简化。参见图4中的剖视示意图，限定部33对应A-A位置上红色子像素3101和蓝色子像素3101之间的区域。限定部33左侧的部分对应A-A位置上的红色子像素3101,限定部33右侧的部分对应A-A位置的蓝色子像素3101。限定部33覆盖红色子像素3101的阳极101的边缘和蓝色子像素3101的阳极101的边缘，红色子像素3101的阳极101和蓝色子像素3101的阳极101分别与像素控制电路连接。空穴注入层201覆盖阳极101和限定部33,空穴传输层202位于空穴注入层201远离阳极101一侧。位于限定部33左侧且覆盖在空穴传输层202上的结构为红色子像素3101的发光图案2041(也即红色发光图案2041),位于限定部33右侧且覆盖在空穴传输层202上的结构为蓝色子像素3101的发光图案2041(也即蓝色发光图案2041)。结构层32包括层叠的电子传输层和阴极，结构层32覆盖发光图案2041和部分空穴传输层202。当需要蓝色子像素3101发光，红色子像素3101不发光时，理想情况下，载流子从空穴注入层201经空穴传输层202向蓝色发光图案2041(如图4中空心箭头所示)迁移。但是，在实际应用中，一部分载流子会在空穴注入层201中横向迁移，这些横向迁移的载流子会越过限定部33向红色子像素3101迁移，导致形成从蓝色子像素3101流向红色子像素3101的串扰电流(如图4中虚线箭头所示)。由于阴极5是整层结构，因此，在该串扰电流的作用下，不仅蓝色子像素3101会发光，红色子像素3101也会发光，会造成显示不良。图5将上述过程以电路图的形式进行展示。图5中的位置d表示蓝色子像素的阳极，位置c表示公共的阴极。发光元件B为蓝色子像素的发光元件，发光元件R为红色子像素的发光元件，发光元件G为绿色子像素的发光元件。根据图5可知，当蓝色子像素发光时，在串扰电流的作用下，红色子像素和绿色子像素也会发光。图6示出了点亮蓝色子像素且未点亮红色子像素和绿色子像素时，在红色WO2025/139840子像素的阳极和绿色子像素的阳极测量出的电流(也即串扰电流)的曲线图。图6中的横轴表示电压，单位为伏特(V);纵轴表示电流密度，单位为毫安每平方厘米(mA/cm²)。从图6可以看出，点亮蓝色子像素且未点亮红色子像素和绿色子像素时，在红色子像素的阳极和绿色子像素的阳极均能够测量出电流 (也即串扰电流)。并且随着电压的增大，在红色子像素的阳极和绿色子像素的阳极均测量出的电流增大。这些串扰电流造成串扰(crosstalk)。申请人经过研究发现，既然载流子在载流子层中横向迁移会形成串扰电流，那么在载流子层中，阻碍载流子在相邻子像素之间进行横向迁移，可以至少在一定程度上避免形成串扰电流，降低由于串扰电流而造成的显示不良。有鉴于此，本申请实施例提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置。该显示面板中，在载流子层中阻碍载流子在相邻子像素之间进行横向迁移。请参考图7,其示出了本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图。该显示面板包括：衬底基板41、位于衬底基板41上的位于像素定义层42,以及，位于像素定义层42远离衬底基板41的一侧的发光功能层43。像素定义层42包括用于限定像素开口的限定部4201。发光功能层43包括载流子层4301,载流子层4301连续，且载流子层4301覆盖像素定义层42。载流子层4301包括第一区域44和除第一区域44外的第二区域45,第一区域44在衬底基板41的第一表面上的正投影位于限定部4201在衬底基板41的第一表面上的正投影内，第一区域44的载流子迁移率小于第二区域45的载流子迁移率。衬底基板41的第一表面可以是衬底基板41上靠近像素定义层42的表面，也可以是衬底基板41上远离像素定义层42的表面，本申请实施例对此不做限定。像素定义层42呈网格状，像素定义层42包括多个像素开口以及用于限定该多个像素开口的限定部4201,每个像素开口对应一个子像素(或者说每个像素开口用于设置一个子像素),每个子像素包括发光功能层43,显示面板的多个子像素(例如所有子像素)可以共用发光功能层43。载流子层4301为整层结构，显示面板的多个子像素(例如所有子像素)可以共用载流子层4301。载流子层4301的第一区域44与像素定义层42的限定部4201对应，载流子层4301的第二区域45与像素定义层42的像素开口对应。第一区域44在衬底基板41的第一表面上的正投影位于对应的限定部4201在衬底基板41的第一表面上的正投影内；第二区域45在衬底基板41的第一表面上的正投影覆盖对应的像素开口在衬底基板41的第一表面上的正投影。当载流子在载流子层4301WO2025/139840中横向迁移时，由于第一区域44的载流子迁移率小于第二区域45的载流子迁移率，第一区域44的载流子迁移率较低，第二区域45的载流子迁移率较高。因此，第一区域44会对载流子的横向迁移造成阻碍，第二区域45不会对载流子的横向迁移造成阻碍，由此，将载流子在载流子层4301中的横向迁移范围限制在第二区域45内，可以避免载流子在相邻第二区域45之间进行横向迁移而导致相邻子像素之间发生串扰，保障显示面板的显示效果。其中，发光功能层43为具备发光功能的结构层，其可以包括层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。例如，发光功能层43包括如图1所示的显示面板中的阳极层1和阴极5之间的结构层。再例如，发光功能层43包括如图2所示的显示面板中的阳极层1和阴极5之间的结构层。在本申请实施例中，可以采用以下两种实现方式实现载流子层4301的第一区域44的载流子迁移率小于载流子层4301的第二区域45的载流子迁移率。一种实现方式中，采用不同材料形成载流子层4301的第一区域44和载流子层4301的第二区域45。也即，采用载流子迁移率较低的材料形成载流子层4301的第一区域44,采用载流子迁移率较高的材料形成载流子层4301的第二区域45。另一种实现方式中，采用同一材料形成载流子层4301,然后对载流子层4301的第一区域44进行改性处理，以改变第一区域44的电学性能，使第一区域44的载流子迁移率降低。基于制备成本和工艺复杂程度的考虑，在实际生产中，可以选择先采用同一材料形成载流子层4301,再对第一区域44进行改性处理的方式。对于改性处理方式的选择，一方面需要工艺难度较低，另一方面也需要改性处理能够尽可能小的改变载流子层4301的结构。可选的实施例中，通过掺杂工艺或光辐照工艺对第一区域44进行改性处理。也即，通过对第一区域44进行掺杂或光辐照来对第一区域44进行改性处理。在本申请实施例中，载流子层4301包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层和电荷产生层中的至少一个。例如，载流子层4301包括空穴注入层，首先通过同一材料形成空穴注入层，空穴注入层的各个区域的载流子迁移率相同；然后，通过掺杂工艺或光辐照工艺对空穴注入层的第一区域44进行改性处理，以使第一区域44的载流子迁移率降低，第一区域44的载流子迁移率小于空穴注入层上除第一区域44外的第二区域45的载流子迁移率。可选的实施例中，掺杂工艺包括离子注入工艺，通过离子注入工艺对载流子层4301的第一区域44进行离子掺杂以改变第一区域44的电学性能，实现对WO2025/139840第一区域44的改性处理。离子注入工艺利用电场对离子加速，使具有一定能量的离子进入载流子层4301之后，通过核能损和电子能损等逐渐失去能量，最终停留在载流子层4301中。离子注入工艺可以改变离子注入区(也即是载流子层4301的第一区域44)的电学性能。离子注入工艺能够做到定向调控材料的性质。可选的实施例中，通过光辐照工艺(例如激光辐照工艺)对载流子层4301的第一区域44进行光辐照以改变第一区域44的电学性能，实现对第一区域44的改性处理。光辐照工艺采用光线辐照载流子层4301的第一区域44,以将光线的能量转移给载流子层4301的第一区域44,使第一区域44产生电离和激发而释放出轨道电子，形成自由基，从而改变第一区域44的电学性能。通过控制光辐辐的条件，可以使载流子层4301的第一区域44的电学性能发生改变。在通过离子注入工艺或光辐照工艺对载流子层4301的第一区域44进行改性处理的过程中，可以采用掩膜版或者在发光功能层43上涂覆遮蔽材料的方式对载流子层4301的第二区域45进行遮挡，避免改性处理的过程影响第二区域45的电学性能。并且，上述两种改性处理方式也能够避免载流子层4301的结构发生变化，不会对后续其他结构(例如阴极5)的制备造成影响。在本申请实施例中，载流子层4301包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层和电荷产生层中的至少一个。在载流子层4301包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层和电荷产生层中的至少两个的情况下，可以在每形成一个载流子层之后就对该载流子层进行改性处理，也可以在形成所有载流子层之后对所有载流子层统一进行改性处理。例如，载流子层4301包括空穴注入层和空穴传输层，可以先形成空穴注入层并对空穴注入层进行改性处理，再形成空穴传输层并对空穴传输层进行改性处理，也可以先形成空穴注入层和空穴传输层，然后对空穴注入层和空穴传输层统一进行改性处理。对载流子层4301进行改性处理的工艺参数可以根据实际情况设置。以离子注入工艺为例，注入的离子数决定于积累的束流，注入的深度决定于对离子加速的电压(简称为加速电压)。积累的束流和加速电压这两个参量可以由外界系统精确测量并严格控制。可以依照设计需要，通过控制上述两个参量对载流子层4301进行改性处理。可选的实施例中，如图7所示，显示面板还包括封装结构46。封装结构46位于发光功能层43远离衬底基板41的一侧，封装结构46远离衬底基板41的表面具有第一减薄槽4601,第一减薄槽4601在衬底基板41的第一表面上的正WO2025/139840投影与载流子层4301的第一区域44在衬底基板41的第一表面上的正投影重合。可选的实施例中，在形成封装结构46之后，从第一减薄槽4601所在位置对载流子层4301的第一区域44进行改性处理，这样一来，封装结构46上除第一减薄槽4601所在区域之外的区域可以对载流子层4301的第二区域45进行遮挡，从而，无需采用掩膜版或者在发光功能层43上涂覆遮蔽材料的方式对载流子层4301的第二区域45进行遮挡，可以简化对载流子层4301进行改性处理的工艺流程，降低工艺难度和成本。在其他实施例中，可以在形成封装结构46之前对载流子层4301的第一区域44进行改性处理，本申请实施例对此不做限定。可选的实施例中，在形成封装结构46之后，采用离子注入工艺或光辐照工艺对载流子层4301的第一区域44进行改性处理。封装结构46的厚度越大，离子或者光线越不容易穿透封装结构46。封装结构46的厚度越小，离子或者光线越容易穿透封装结构46。在本申请实施例中，由于封装结构46远离衬底基板41的表面具有第一减薄槽4601,第一减薄槽4601在衬底基板41的第一表面上的正投影与载流子层4301的第一区域44在衬底基板41的第一表面上的正投影重合，也即，第一减薄槽4601的位置与载流子层4301的第一区域44的位置对应。因此，封装结构46上与载流子层4301的第一区域44对应的区域(也即第一减薄槽4601所在区域)的厚度较小，封装结构46上与载流子层4301的第二区域45对应的区域(也即除第一减薄槽4601所在区域之外的区域)的厚度较大。可以通过控制改性处理的工艺参数，使离子或者光线透过封装结构46的较薄区域，而无法透过封装结构46的较厚区域，由此实现对载流子层4301的第一区域44的改性处理。以离子注入工艺为例，可以通过控制加速电压，使离子能够透过封装结构46的较薄区域，而无法透过封装结构46的较厚区域。可选的实施例中，如图7所示，第一减薄槽4601的底面与封装结构46靠近衬底基板41的表面之间的最小距离f大于1000埃。也即，封装结构46上具有第一减薄槽4601的区域的厚度大于1000埃。这样一来，封装结构46上具有第一减薄槽4601的区域的厚度不至于太小，可以避免封装结构46的厚度太小而导致封装能力的降低。例如，可以避免封装结构46的厚度太小而导致封装结构46阻隔水氧入侵的能力降低，能够保证封装结构46阻隔水氧入侵的能力。可选的实施例中，采用刻蚀工艺在封装结构46远离衬底基板41的表面形成第一减薄槽4601。显示面板还包括位于发光功能层43远离衬底基板41的一侧的刻蚀阻挡层，刻蚀阻挡层可以进行刻蚀阻挡，避免采用刻蚀工艺形成第一WO2025/139840减薄槽4601的过程中发生过刻而对发光功能层43造成不良影响。其中，刻蚀阻挡层与封装结构46相互独立，且刻蚀阻挡层位于封装结构46与发光功能层43之间。或者，封装结构46包括层叠的多个封装层，该多个封装层包括刻蚀阻挡层；也即，刻蚀阻挡层是封装结构46中的一个封装层。请参考图8,其示出了本申请实施例提供的另一种显示面板的示意图。如图8所示，显示面板还包括刻蚀阻挡层4602,刻蚀阻挡层4602位于发光功能层43远离衬底基板41的一侧，刻蚀阻挡层4602是封装结构46中的一个封装层。可选的实施例中，封装结构46包括层叠的多个封装层，该多个封装层包括刻蚀阻挡层4602以及位于刻蚀阻挡层4602两侧的两个第一封装层(图8中未示出)。该多个封装层还可以包括位于第一封装层远离刻蚀阻挡层4602的一侧的第二封装层(图8中未示出)。其中，刻蚀阻挡层4602、第一封装层和第二封装层满足以下至少一项：刻蚀阻挡层4602的材料包括氧化铝(Al₂O₃);第一封装层的材料包括氮化硅(SiN);第二封装层的材料包括氧化硅(SiO)。一个实施例中，封装结构46包括刻蚀阻挡层4602以及位于刻蚀阻挡层4602两侧的两个第一封装层，刻蚀阻挡层4602的材料为Al₂O₃,第一封装层的材料为SiN。也即，封装结构46包括依次层叠的SiN层、Al₂O₃层和SiN层。另一个实施例中，封装结构46包括刻蚀阻挡层4602、位于刻蚀阻挡层4602两侧的两个第一封装层，以及位于第一封装层远离刻蚀阻挡层的一侧的第二封装层。刻蚀阻挡层4602的材料为Al₂O₃,第一封装层的材料为SiN,第二封装层的材料为SiO。也即，封装结构46包括依次层叠的SiO层、SiN层、Al₂O₃层和SiN层。或者，封装结构46包括依次层叠的SiN层、Al₂O₃层、SiN层和SiO层。除以上膜层外，封装结构46还可以包括其他膜层，本申请实施例对封装结构46的结构以及封装结构46包括的膜层不做限定。可选的实施例中，如图7和图8所示，显示面板还包括阳极层1。阳极层1位于像素定义层42和衬底基板41之间，阳极层1包括多个阳极101,该多个阳极101间隔排布，像素定义层42包括多个像素开口，该多个阳极101一一对应位于该多个像素开口中，用于限定任一像素开口的限定部4201覆盖该任一像素开口中的阳极101的边缘，由此可以避免阳极101出现边缘漏电。可选的实施例中，如图7和图8所示，第一减薄槽4601的第一截面的宽度g小于限定部4201远离衬底基板41的表面的宽度h(也即g<h)。第一减薄槽WO2025/1398404601的第一截面与衬底基板41的厚度方向y平行，第一减薄槽4601的第一截面与衬底基板41的第一表面垂直。具体的实施例中，第一减薄槽4601在衬底基板41的第一表面上的正投影位于限定部4201在衬底基板41的第一表面上的正投影内，因此，在通过掺杂工艺或光辐照工艺从第一减薄槽4601所在位置对载流子层4301进行改性处理的过程中，改性处理的范围被限定在限定部4201与第一减薄槽4601之间的区域(也即载流子层4301的第一区域44),而像素开口位于限定部4201的两侧，因此，改性处理不会对发光功能层43中位于像素开口中的区域造成影响。并且，也能够保证封装结构46中与像素开口所对应的区域的厚度较大，降低水氧侵入像素区域的风险。在本申请实施例中，限定部4201远离衬底基板41的表面的宽度h也可以称为限定部4201的顶部的宽度。限定部4201的第一截面的形状可以为半圆形或多边形。该多边形可以是梯形或矩形，也可以是其他的多边形，并且，该多边形可以是规则的多边形，也可以是不规则的多边形。图7和图8均以限定部4201的第一截面的形状是梯形为例说明，则限定部4201远离衬底基板41的表面的宽度h为该梯形的上底的宽度。其中，限定部4201的第一截面与衬底基板41的厚度方向y平行，限定部4201的第一截面与衬底基板41的第一表面垂直。示例的，限定部4201的第一截面与第一减薄槽4601的第一截面平行。在本申请实施例中，可以通过蒸镀(evporation,EV)工艺形成像素定义层42。在形成像素定义层42的过程中需要使用蒸镀掩膜版，并且可能会因为蒸镀掩膜版(mask)的不同位置的支撑作用不同或基板表面的不同位置的平坦度 (flatness)不同，而造成在蒸镀掩膜版的框架(frame)附近形成蒸镀阴影区。即形成蒸镀阴影(shadow)。可以通过对限定部4201的高度(也即像素定义层42的厚度)进行控制来避免形成像素定义层42的过程中形成蒸镀阴影区。在本申请实施例中，像素定义层42的材料为无机材料或有机材料。根据像素定义层42的材料的不同，像素定义层42的厚度可以不同。其中，该无机材料可以包括SiO或SiN等，该有机材料可以包括聚酰亚胺(polyimide,PI)。如图7和图8所示，限定部4201的坡度角为a。一个实施例中，像素定义层42的材料为无机材料，限定部4201的坡度角α大于45°,限定部4201远离衬底基板41的表面与阳极层1远离衬底基板41的表面之间的距离i小于或等于1000埃(A)。另一个实施例中，像素定义层42的材料为有机材料，限定部4201的坡度角α小于45°,限定部4201远离衬底基板41的表面与阳极层1远离衬WO2025/139840底基板41的表面之间的距离i大于1000埃(A)。在本申请实施例中，可以通过蒸镀工艺形成发光功能层43。结合前述内容，蒸镀过程中可能形成蒸镀阴影区。当形成蒸镀阴影区时，结构层中位于蒸镀阴影区的部分的厚度通常小于其他区域的厚度。通常情况下，这是一种工艺缺陷，会造成结构层的厚度不均匀甚至结构层断裂。但是，在本申请实施例中，蒸镀阴影区可以使得发光功能层43中与限定部4201对应区域的厚度较小，以便于进行改性处理。由于发光功能层43的有效区域位于像素开口中，因此，发光功能层43上与限定部4201对应的区域的厚度较小并不影响显示面板的正常显示。可选的实施例中，请参考图9,其示出了本申请实施例提供的再一种显示面板的示意图。如图9所示，限定部4201远离衬底基板41的表面的两个边缘具有凸起结构4202,该两个边缘是沿限定部4201远离衬底基板41的表面的宽度方向x分布的两个边缘，任一边缘的凸起结构4202沿该任一边缘延伸，该两个边缘的凸起结构4202之间具有第二减薄槽4203,发光功能层43中位于第二减薄槽4203中的部分(或者说与第二减薄槽4203对应的部分)的厚度小于发光功能层43中位于像素开口中的部分(或者说与像素开口对应的部分)的厚度。对于如图9所示的显示面板，在通过蒸镀工艺形成发光功能层43的过程中，由于凸起结构4202的遮挡作用，第二减薄槽4203内会形成蒸镀阴影区，导致发光功能层43中位于第二减薄槽4203中的部分的厚度较小。相应的，载流子层4301中位于第二减薄槽4203内的部分的厚度也较小。在对载流子层4301进行改性处理的过程中，以离子注入方式为例，由于载流子层4301中位于第二减薄槽4203内的部分的厚度较小，因此离子更容易注入载流子层4301中位于第二减薄槽4203内的部分，有助于对载流子层4301的第一区域44的载流子迁移率进行更好的改变，以达到防止串扰的效果。可选的实施例中，如图9所示，第二减薄槽4203在衬底基板41的第一表面上的正投影位于第一减薄槽4601在衬底基板41的第一表面上的正投影内。示例性的，第二减薄槽4203正对第一减薄槽4601。可选的实施例中，如图9所示，第二减薄槽4203的第一截面的宽度j小于第一减薄槽4601的第一截面的宽度g,这样可以保证发光功能层43中位于第二减薄槽4203中的部分与第一减薄槽4601对应，降低发光功能层43中位于第二减薄槽4203中的部分对发光功能层43的有效区域(发光功能层43中位于像素开口中的部分)的影响，保证显示面板正常显示。其中，第二减薄槽101的第一截面与衬底基板41的厚度方向y平行，第二减薄槽101的第一截面与衬底基板41的第一表面垂直。示例的，第二减薄槽101的第一截面与第一减薄槽4601的第一截面平行。可选的实施例中，如图9所示，凸起结构4202朝向像素开口的侧面的坡度角β小于凸起结构4202朝向第二减薄槽4203的侧面的坡度角γ。采用蒸镀工艺形成发光功能层43的过程中的蒸镀阴影效应的强度与凸起结构4202的侧面的坡度角相关。本申请实施例中，凸起结构4202朝向像素开口的侧面的坡度角β小于凸起结构4202朝向第二减薄槽4203的侧面的坡度角γ,也即，凸起结构4202朝向像素开口的侧面的坡度角β较小，凸起结构4202朝向第二减薄槽4203的侧面的坡度角γ较大。这样一来，能够减弱凸起结构4202朝向像素开口的一侧的蒸镀阴影效应，且增强凸起结构4202朝向第二减薄槽4203的一侧的蒸镀阴影效应，有助于保证发光功能层43中位于像素开口中的部分的厚度较大，从而保证发光功能层43中位于像素开口中的部分正常工作；并且使位于载流子层4301中位于第二减薄槽4203中的部分较薄，便于实现改性处理。可选的实施例中，如图9所示，第二减薄槽4203的第一截面的宽度j小于相邻两个阳极101之间的间隙的宽度k。这样一来，能够降低发光功能层43中位于第二减薄槽4203中的部分对发光功能层43有效区域的影响。可选的实施例中，如图7至图9所示，显示面板还包括阴极5。阴极5位于发光功能层43远离衬底基板41的一侧，封装结构46位于阴极5远离衬底基板41的一侧。也即，阴极5层叠在封装结构46和发光功能层43之间。阴极5为整层结构，阴极5为公共的阴极，显示面板中的所有子像素共用阴极5。可选的实施例中，如图7至图9所示，显示面板还包括保护层47和彩膜层24。保护层47位于封装结构46远离衬底基板41的一侧。彩膜层24位于保护层47远离衬底基板41的一侧。保护层47也称为上层覆盖(overcover,OC)层。彩膜层24包括与像素定义层的多个像素开口一一对应的多个色阻块2401,每个色阻块2401在衬底基板41的第一表面上的正投影覆盖对应的像素开口在衬底基板41的第一表面上的正投影。其中，该多个色阻块2401可以包括R色阻块2401、B色阻块2401和G色阻块2401。R色阻块2401用于透射红色光而禁止除红色光外的光线透射，B色阻块2401用于透射蓝色光而禁止除蓝色光外的光线透射，G色阻块2401用于透射绿色光而禁止除绿色光外的光线透射。在本申请实施例中，发光功能层43为有机发光功能层或者无机发光功能层。WO2025/139840例如图7至图9任一所示的显示面板为有机发光二极管显示面板，则该显示面板中的发光功能层43为有机发光功能层。再例如，图7至图9任一所示的显示面板为无机发光二极管显示面板，则该显示面板中的发光功能层43为无机发光功能层。上述各个实施例提供的对载流子层4301的第一区域44进行改性处理防止串扰的方式适用于有机发光二极管显示面板和无机发光二极管显示面板。需要说明的是，图7至图9及其描述可以相互参考。图7至图9中的任一附图未示出的细节及其描述可以参考图7至图9中的其他附图及其描述。例如，图8和图9中未示出的载流子层4301及其描述可以参考图7及其相关描述。再例如，图7和图9所示的显示面板也可以包括刻蚀阻挡层，图7和图9所示的显示面板中的刻蚀阻挡层的相关描述可以参考图8所示的显示面板的相关描述。又例如，对于图8和图9所示的显示面板，第一减薄槽4601的底面与封装结构46靠近衬底基板41的表面之间的最小距离f也大于1000埃。还例如，对于图9所示的显示面板，第一减薄槽4601的第一截面的宽度g也小于限定部4201远离衬底基板41的表面的宽度h。对于图9所示的显示面板，在像素定义层42的材料为无机材料的情况下，限定部4201的坡度角a也大于45°,限定部4201远离衬底基板41的表面与阳极层1远离衬底基板41的表面之间的距离i也小于或等于1000埃；在像素定义层42的材料为有机材料的情况下，限定部4201的坡度角a也小于45°,限定部4201远离衬底基板41的表面与阳极层1远离衬底基板41的表面之间的距离i也大于1000埃。需要说明的是，对于图9所示的显示面板，限定部4201远离衬底基板41的表面与阳极层1远离衬底基板41的表面之间的距离i可以是凸起结构4202远离衬底基板41的表面与阳极层1远离衬底基板41的表面之间的距离，本申请实施例对此不做限定。基于同一个发明构思，本申请实施例还提供一种显示面板的制备方法。下面介绍本申请的显示面板的制备方法实施例。请参考图10,其示出了本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图。该方法用于制备如图7至图9任一所示的显示面板。图10以制备图7所示的显示面板为例说明。如图10所示，该方法包括如下步骤S101至S103。S101.在衬底基板上形成像素定义层，像素定义层包括用于限定像素开口的请参考图11,其示出了本申请实施例提供的一种在衬底基板41上形成像素WO2025/139840定义层42之后的示意图。像素定义层42包括多个像素开口Q以及用于限定该多个像素开口Q的限定部4201。其中，像素定义层42的材料可以为无机材料或有机材料，该无机材料可以包括SiO或SiN等，该有机材料可以包括PI。可选的实施例中，通过蒸镀工艺形成像素定义层42。可选的实施例中，显示面板还包括阳极层1,阳极层1位于衬底基板41与像素定义层42之间。在衬底基板41上形成像素定义层42之前，在衬底基板41上形成阳极层1,阳极层1包括多个阳极101。在阳极层1远离衬底基板41的一侧形成像素定义层42,该多个阳极101一一对应位于多个像素开口Q中，用于限定任一像素开口的限定部4201覆盖该任一像素开口中的阳极101的边缘。阳极层1的材料可以为金属材料，该金属材料包括但不限于金属Mo(钼)、金属Cu(铜)、金属A1(铝)及其合金材料。可选的实施例中，在衬底基板41上形成金属材料层，通过一次构图工艺对该金属材料层进行处理以得到阳极层1。形成金属材料层的工艺包括但不限于磁控溅射、热蒸发或等离子体增强化学气相沉积法(plasmaenhancedchemicalvapordeposition,PECVD)等。在本申请实施例中，根据像素定义层42的材料的不同，像素定义层42的厚度可以不同。一个实施例中，像素定义层42的材料为无机材料，限定部4201的坡度角大于45°,限定部4201远离衬底基板41的表面与阳极层1远离衬底基板41的表面之间的距离小于或等于1000埃。另一个实施例中，像素定义层42的材料为有机材料，限定部4201的坡度角小于45°,限定部4201远离衬底基板41的表面与阳极层1远离衬底基板41的表面之间的距离大于1000埃。S102.在像素定义层远离衬底基板的一侧形成发光功能层，发光功能层包括载流子层，载流子层连续，且载流子层覆盖像素定义层。请参考图12,其示出了本申请实施例提供的一种在像素定义层42远离衬底基板41的一侧形成发光功能层43之后的示意图。发光功能层43包括载流子层4301,载流子层4301连续，且载流子层4301覆盖像素定义层42。载流子层4301包括第一区域44和除第一区域44外的第二区域45,第一区域44在衬底基板41的第一表面上的正投影位于限定部4201在衬底基板41的第一表面上的正投影内。第二区域45在衬底基板41的第一表面上的正投影覆盖像素开口。例如，第一区域44与限定部4201对应，且第一区域44位于限定部4201的正上方。需要说明的是，步骤S102形成的发光功能层43中，载流子层4301的第一区域44的载流子迁移率可以等于载流子层4301的第二区域45的载流子迁移率。WO2025/139840其中，发光功能层43包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层和电荷产生层中的至少一个。例如，发光功能层43包括如图1所示的显示面板中的阳极层1和阴极5之间的结构层。再例如，发光功能层43包括如图2所示的显示面板中的阳极层1和阴极5之间的结构层。载流子层4301包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层和电荷产生层中的至少一个。一个实施例中，发光功能层43包括图1中的阳极层1和阴极5之间的结构层。在本步骤中，在像素定义层42远离衬底基板41的一侧形成发光功能层43,包括：在像素定义层42远离衬底基板41的一侧依次形成第一结构层组2-1、电荷产生层3、第二结构层组2-2和电子注入层4。形成第一结构层组2-1和第二结构层组2-2中的每个结构层组包括：形成依次层叠的空穴注入层201、空穴传输层202、电子阻挡层203、发光层204、空穴阻挡层205和电子传输层206。另一个实施例中，发光功能层43包括图2中的阳极层1和阴极5之间的结构层。在本步骤中，在像素定义层42远离衬底基板41的一侧形成发光功能层43,包括：在像素定义层42远离衬底基板41的一侧依次形成空穴注入层201、空穴传输层202、蓝色荧光发光层21、电子传输层206、电荷产生层3、空穴传输层202、红绿磷光发光层22、电子传输层206和电子注入层4。S103.对载流子层的第一区域进行改性处理，使该第一区域的载流子迁移率小于载流子层的第二区域的载流子迁移率，该第二区域是载流子层上除第一区域外的区域，该第一区域在衬底基板的第一表面上的正投影位于限定部在衬底基板的第一表面上的正投影内。请参考图12,对载流子层4301的第一区域44进行改性处理使第一区域44的载流子迁移率降低，由此，第一区域44能够对载流子在载流子层4301中的横向迁移起到阻碍作用，防止相邻子像素串扰。需要说明的是，载流子层4301包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层和电荷产生层中的至少一个，这里的“载流子在载流子层4301中的横向迁移”指载流子在单一载流子层中的横向迁移。例如，载流子层4301包括空穴注入层和空穴传输层，单一载流子层可是空穴注入层或空穴传输层，载流子在单一载流子层中的横向迁移指载流子在空穴注入层中的横向迁移或者载流子在空穴传输层中的横向迁移。可选的实施例中，通过掺杂工艺或光辐照工艺对载流子层4301的第一区域44进行改性处理，以使第一区域44的载流子迁移率降低。一个实施例中，掺杂工艺包括离子注入工艺，通过离子注入工艺对载流子层4301的第一区域44进WO2025/139840行离子掺杂以改变第一区域44的电学性能，实现对第一区域44的改性处理。另一个实施例中，通过光辐照工艺对载流子层4301的第一区域44进行光辐照以改变第一区域44的电学性能，实现对第一区域44的改性处理。在通过离子注入工艺或光辐照工艺对载流子层4301的第一区域44进行改性处理的过程中，可以采用掩膜版或者在发光功能层43上涂覆遮蔽材料的方式对载流子层4301的第二区域45进行遮挡，避免改性处理的过程影响第二区域45的电学性能。如前所述，载流子层4301包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层和电荷产生层中的至少一个。在载流子层4301包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层和电荷产生层中的至少两个的情况下，可以在每形成一个载流子层之后就对该载流子层进行改性处理，也可以在形成所有载流子层之后对所有载流子层统一进行改性处理，本申请实施例对此不做限定。可选的实施例中，显示面板还包括封装结构46,在对载流子层4301的第一区域进行改性处理之前，如图13所示，在发光功能层43远离衬底基板41的一侧形成封装结构46,并在封装结构46远离衬底基板41的表面形成第一减薄槽4601,第一减薄槽4601在衬底基板41的第一表面上的正投影与载流子层4301的第一区域44在衬底基板41的第一表面上的正投影重合。第一减薄槽4601的底面与封装结构46靠近衬底基板41的表面之间的最小距离大于1000埃，第一减薄槽4601的第一截面的宽度小于限定部4201远离衬底基板41的表面的宽度。形成封装结构46之后，从第一减薄槽4601所在位置对载流子层4301的第一区域44进行改性处理，由此，封装结构46上除第一减薄槽4601所在区域之外的区域可以对载流子层4301的第二区域45进行遮挡，从而无需采用掩膜版或者在发光功能层43上涂覆遮蔽材料的方式对载流子层4301的第二区域45进行遮挡，可以简化对载流子层4301进行改性处理的工艺流程，降低工艺难度和成本。可选的实施例中，在形成封装结构46之后，采用离子注入工艺或光辐照工艺，从第一减薄槽4601所在位置对载流子层4301的第一区域44进行改性处理。 可选的实施例中，封装结构46包括层叠的多个封装层，首先在发光功能层43远离衬底基板41的一侧形成该多个封装层以得到封装结构46,然后在封装结构46远离衬底基板41的表面形成第一减薄槽4601。例如，采用刻蚀工艺，按照第一减薄槽4601的设计深度和第一减薄槽4601的设计宽度在封装结构46远离衬底基板41的表面形成第一减薄槽4601,以便于从第一减薄槽4601所在位置对载流子层4301的第一区域44进行改性处理的过程中，离子或者光线能WO2025/139840够透过封装结构46的第一减薄槽4601所在部分。可选的实施例中，封装结构46包括层叠的多个封装层，该多个封装层包括刻蚀阻挡层，位于刻蚀阻挡层两侧的两个第一封装层，以及，位于第一封装层远离刻蚀阻挡层的一侧的第二封装层。刻蚀阻挡层、第一封装层和第二封装层满足以下至少一项：刻蚀阻挡层的材料包括Al₂O₃;第一封装层的材料包括SiN;第二封装层的材料包括SiO。可选的实施例中，在形成封装结构46之前，如图13所示，在发光功能层43远离衬底基板41的一侧形成阴极5。阴极5与发光功能层43层叠。阴极5的材料为透明导电材料，该透明导电材料包括但不限于氧化铟锡(indiumtinoxide,ITO)、氧化铟锌(indiumzincoxide,IZO)或掺铝氧化锌(aluminum-dopedzincoxid,ZnO:A1)等金属氧化物。以阴极5的材料为ITO为例说明，在发光功能层43远离衬底基板41的一侧形成沉积一层ITO作为阴极5。其中，沉积ITO的工艺包括但不限于磁控溅射、热蒸发、PECVD或蒸镀等。可选的实施例中，从第一减薄槽4601所在位置对载流子层4301的第一区域44进行改性处理之后，填充第一减薄槽4601。例如，通过封装材料(也即封装结构46的材料)或者其他材料填充第一减薄槽4601,以至少减小第一减薄槽4601的深度，提高封装结构46的阻隔水氧入侵的能力。一个实施例中，如图14所示，在封装结构46远离衬底基板41的一侧形成保护层47。保护层47部分填充于第一减薄槽4601中。保护层47也称为OC层，在本申请实施例中，保护层47一方面可以保护封装结构46,另一方面可以填充第一减薄槽4601。可选的实施例中，在封装结构46远离衬底基板41的一侧依次形成保护层47之后，如图7所示，在保护层47远离衬底基板41的一侧依次形成彩膜层24。需要说明的是，以上实施例中，先形成封装结构46,然后在封装结构46远离衬底基板41的表面形成第一减薄槽4601,之后从第一减薄槽4601所在位置对载流子层4301的第一区域44进行改性处理。在其他实施例中，封装结构46包括层叠的多个封装层，先在发光功能层43远离衬底基板41的一侧形成该多个封装层中的一部分封装层，然后透过该一部分封装层对载流子层4301的第一区域44进行改性处理，之后再形成该多个封装层中的剩余封装层。在该其他实施例中，封装结构不具有第一减薄槽，封装结构阻隔水氧入侵的能力较强。还需要说明的是，以上实施例以形成封装结构46之后对载流子层4301的第一区域44进行改性处理为例说明，在其他实施例中，形成封装结构46之前对载流子层4301的第一区域44进行改性处理，本申请实施例对此不做限定。WO2025/139840在本申请实施例提供的显示面板的制备方法中，所涉及的一次构图工艺可以包括光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离，通过一次构图工艺对材料层(例如金属材料层)进行处理可以包括：在材料层(例如金属材料层)上涂覆一层光刻胶以得到光刻胶层，采用掩膜版对光刻胶层进行曝光，使得光刻胶层形成完全曝光区域和非曝光区域，之后采用显影工艺处理，使完全曝光区域的光刻胶被完全去除，非曝光区域的光刻胶全部保留，采用刻蚀工艺对材料层(例如金属材料层)上与完全曝光区域对应的区域进行刻蚀，最后剥离非曝光区域的光刻胶得到相应的结构(例如阳极101)。这里是以正性光刻胶为例进行说明的，对于负性光刻胶，一次构图工艺的过程可以参考本段的描述。图11所示实施例以制备图7所示的显示面板为例说明。图8所示的显示面板的制备过程和图9所示的显示面板的制备过程均可以参考图11所示实施例。需要说明的是，与图7所示显示面板不同的是：在图9所示的显示面板中，限定部4201远离衬底基板41的表面的两个边缘具有凸起结构4202,该两个边缘的凸起结构4202之间具有第二减薄槽4203,发光功能层43中位于第二减薄槽4203中的部分的厚度小于发光功能层43中位于像素开口中的部分的厚度，第二减薄槽4203在衬底基板41的第一表面上的正投影位于第一减薄槽4601在衬底基板41的第一表面上的正投影内，凸起结构4202朝向像素开口的侧面的坡度角小于凸起结构4202朝向第二减薄槽4203的侧面的坡度角，并且，第二减薄槽4203的第一截面的宽度小于相邻两个阳极101之间的间隙的宽度。因此，在制备图9所示的显示面板的过程中，需要在限定部4201远离衬底基板41的表面的两个边缘形成凸起结构4202。例如，凸起结构4202与限定部4201为一体结构，在制备像素定义层42的过程中，形成具有凸起结构4202的限定部4201。以像素定义层42的材料是无机材料为例说明。对于图9所示的显示面板，在衬底基板41上形成阳极层1之后，在阳极层1远离衬