CN120264926A 背接触电池及其制造方法、背接触叠层电池、光伏组件 （浙江晶科能源有限公司）

(19)国家知识产权局所(普通合伙)31260背接触电池及其制造方法、背接触叠层电基底，第二面包括沿第二方向交替排布的第一、二区；在第一区上形成包括堆叠设置的隧穿层、盖第二面的包括堆叠设置的本征非晶硅膜和掺一区上的初始第二钝化叠层或第二保护层和初提供基底，基底具有沿第一方向相对的第一面和第二面，第二面包提供基底，基底具有沿第一方向相对的第一面和第二面，第二面包括沿第二方向交替排布的第一区和第二区，第一方向为基底的厚度方向，第二方向与第一方向相交在第一区上形成叠层结构，叠层结构包括沿第一方向上堆叠设置的隧穿层、掺杂多晶硅层和第一保护层在第二面和叠层结构共同构成的表面形成初始第二钝化叠层，初始第二钝化叠层包括沿第一方向上堆叠设置的本征非晶硅膜和掺杂非晶硅膜在掺杂非晶硅膜远离本征非晶硅膜的一侧形成第二保护膜采用第一激光刻蚀工艺，对位于第一区上的第二保护膜和初始第二钝化叠层进行刻蚀，部分初始第二钝化叠层，或者，部分第二保护膜和部分初始第二钝化叠层会残留于第一区上以位于第二区上的第二保护膜为刻蚀阻挡层，且以第一保护层为刻蚀停止层，采用第一刻蚀液，去除残留于第一区上的初始第二钝化叠层，或者，去除残留于第一区上的第二保护膜和初始第二钝化叠层，剩余位于第二区上的初始第二钝化叠层为第二钝化叠层，隧穿2提供基底，所述基底具有沿第一方向相对的第一面和第二面，所述第二面包括沿第二方向交替排布的第一区和第二区，所述第一方向为所述基底的厚度方向，所述第二方向与所述第一方向相交；在所述第一区上形成叠层结构，所述叠层结构包括沿所述第一方向上堆叠设置的隧穿层、掺杂多晶硅层和第一保护层；在所述第二面和所述叠层结构共同构成的表面形成初始第二钝化叠层，所述初始第二钝化叠层包括沿所述第一方向上堆叠设置的本征非晶硅膜和掺杂非晶硅膜；在所述掺杂非晶硅膜远离所述本征非晶硅膜的一侧形成第二保护层；采用第一激光刻蚀工艺，对位于所述第一区上的所述第二保护层和所述初始第二钝化叠层进行刻蚀，部分所述初始第二钝化叠层，或者，部分所述第二保护层和部分所述初始第二钝化叠层残留于所述第一区上；以位于所述第二区上的所述第二保护层为刻蚀阻挡层，且以所述第一保护层为刻蚀停止层，采用第一刻蚀液，去除残留于所述第一区上的所述初始第二钝化叠层，或者，去除残留于所述第一区上的所述第二保护层和所述初始第二钝化叠层，剩余位于所述第二区上的所述初始第二钝化叠层为第二钝化叠层，所述隧穿层和所述掺杂多晶硅层构成第一钝化叠层。2.根据权利要求1所述的背接触电池的制造方法，其特征在于，在形成所述叠层结构之后，在形成所述初始第二钝化叠层之前，所述背接触电池的制造方法还包括：对所述第一面进行制绒处理，以将所述第一面转换为绒面；在所述绒面上形成钝化减反层；其中，形成所述钝化减反层的步骤中采用的工艺温度为第一温度，形成所述第二保护层的步骤中采用的工艺温度为第二温度，所述第一温度大于或等于所述第二温度。3.根据权利要求2所述的背接触电池的制造方法，其特征在于，所述第二温度为150℃~4.根据权利要求2所述的背接触电池的制造方法，其特征在于，形成所述钝化减反层的步骤包括：采用第一沉积工艺，在所述绒面上形成氧化铝膜，且所述氧化铝膜还形成于所述第二面的部分区域上以及连接所述第一面和所述第二面的侧面上；采用第二沉积工艺，在所述氧化铝膜远离所述基底的一侧形成氮化硅膜；采用链式刻蚀工艺，去除位于所述第二面的部分区域和所述侧面上的所述氮化硅膜，剩余位于所述第一面上的所述氮化硅膜为氮化硅层；以所述氮化硅层为刻蚀阻挡层，采用第三刻蚀液，去除位于所述第二面的部分区域和所述侧面上的所述氧化铝膜，剩余位于所述第一面上的所述氧化铝膜为氧化铝层，所述钝化减反层包括所述氧化铝层和所述氮化硅层。5.根据权利要求1所述的背接触电池的制造方法，其特征在于，形成所述叠层结构的步骤包括：在所述第二面上形成初始叠层结构，所述初始叠层结构包括沿所述第一方向上堆叠设置的隧穿膜、掺杂多晶硅膜和第一保护膜；3采用第二激光刻蚀工艺，对位于所述第二区上的所述初始叠层结构进行初步刻蚀，以去除部分厚度的所述初始叠层结构，且对至少部分厚度的所述初始叠层结构进行激光改性处理；采用第二刻蚀液，去除剩余位于所述第二区上的所述初始叠层结构，剩余位于所述第一区上的所述初始叠层结构为所述叠层结构，剩余位于所述第一区上的所述隧穿膜为所述隧穿层，剩余位于所述第一区上的所述掺杂多晶硅膜为所述掺杂多晶硅层，剩余位于所述第一区上的所述第一保护膜为所述第一保护层。6.根据权利要求5所述的背接触电池的制造方法，其特征在于，所述第一刻蚀液的反应温度小于所述第二刻蚀液的反应温度；和/或，所述第一刻蚀液的反应时间小于所述第二刻蚀液的反应时间；和/或，所述第一刻蚀液和所述第二刻蚀液均为氢氧化钾溶液，氢氧化钾在所述第一刻蚀液中的浓度小于在所述第二刻蚀液中的浓度。7.根据权利要求5所述的背接触电池的制造方法，其特征在于，在形成所述叠层结构的步骤中，所述第二刻蚀液还刻蚀位于所述第二区的所述基底，位于所述第二区的所述基底的表面为第二表面，位于所述第一区的所述基底的表面为第一表面，以所述第一面为基准面，使所述第二表面低于所述第一表面。8.根据权利要求7所述的背接触电池的制造方法，其特征在于，沿所述第一方向上，所述第二表面和所述第一表面之间的间距为3μm~10μm。9.根据权利要求5所述的背接触电池的制造方法，其特征在于，所述第一激光刻蚀工艺中采用的激光为第一激光，所述第二激光刻蚀工艺中采用的激光为第二激光，所述第一激光的波长小于所述第二激光的波长。10.根据权利要求5所述的背接触电池的制造方法，其特征在于，所述第一激光刻蚀工艺中采用第一激光器产生第一激光；所述第二激光刻蚀工艺中采用第二激光器产生第二激其中，所述第一激光器的激光扫描速度大于所述第二激光器的激光扫描速度；和/或，所述第一激光器的功率小于所述第二激光器的功率；和/或，所述第一激光器的频率小于所述第二激光器的频率。11.根据权利要求10所述的背接触电池的制造方法，其特征在于，所述第一激光器的激光扫描速度为40m/s~60m/s,所述第二激光器的激光扫描速度为30m/s~50m/s;和/或，所述第一激光器的功率为10W~30W,所述第二激光器的功率为60W~80W;和/或，所述第一激光器的频率为900kHz~1100kHz,所述第二激光器的频率为1100kHz~1300kHz。12.根据权利要求1所述的背接触电池的制造方法，其特征在于，在形成所述第二钝化叠层之后，所述背接触电池的制造方法还包括：采用酸洗工艺，去除位于所述第二区上的所述第二保护层，以及去除所述第一保护层。13.一种背接触电池，其特征在于，所述背接触电池为如权利要求1至12中任一项所述的背接触电池的制造方法所形成的背接触电池。底电池，所述底电池为如权利要求1至12中任一项所述的背接触电池的制造方法所形成的背接触电池，或为如权利要求13所述的背接触电池；顶电池，所述顶电池为钙钛矿电池、给体受体电池、碲化镉太阳能电池、铜铟镓硒太阳4能电池或砷化镓太阳能电池中的一种，所述顶电池位于所述底电池的一侧。电池串，由多个如权利要求1至12中任一项所述的背接触电池的制造方法所形成的背接触电池连接而成，或者多个如权利要求13所述的背接触电池连接而成，或者由多个如权利要求14所述的背接触叠层电池连接而成；封装胶膜，用于覆盖所述电池串的表面；盖板，用于覆盖所述封装胶膜背离所述电池串的表面。5背接触电池及其制造方法、背接触叠层电池、光伏组件技术领域[0001]本公开涉及光伏领域，特别涉及一种背接触电池及其制造方法、背接触叠层电池、光伏组件。背景技术[0002]随着化石能源的逐渐耗尽，光伏电池作为新的能源替代方案，使用越来越广泛。光伏电池是将太阳的光能转换为电能的装置。光伏电池利用光生伏特原理产生载流子，然后使用电极将载流子引出，从而利于将电能有效利用。为进一步降低栅线对光伏电池正面的[0003]然而，为了提升BC电池的光电转换效率，会在BC电池的背面也设计钝化接触结构。基于此，现有的引入钝化接触结构的背接触电池的制备工艺通常比较复杂，而且在不同区域设计与不同极性的栅线接触的不同钝化接触结构时，既需要采用激光又需要采用刻蚀液，不仅不容易将需要去除的钝化接触结构去除干净，而且容易对需要保留的钝化接触结构造成各种损伤，从而导致背接触电池的制备工艺稳定性较差，制备出的背接触电池的光电转换效率不高。发明内容[0005]本公开实施例提供一种背接触电池及其制造方法、背接触叠层电池、光伏组件，至少有利于提升背接触电池的光电转换效率。[0006]根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种背接触电池的制造方法，包括：提供基底，所述基底具有沿第一方向相对的第一面和第二面，所述第二面包括沿第二方向交替排布的第一区和第二区，所述第一方向为所述基底的厚度方向，所述第二方向与所述第一方向相交；在所述第一区上形成叠层结构，所述叠层结构包括沿所述第一方向上堆叠设置的隧穿层、掺杂多晶硅层和第一保护层；在所述第二面和所述叠层结构共同构成的表面形成初始第二钝化叠层，所述初始第二钝化叠层包括沿所述第一方向上堆叠设置的本征非晶硅膜和掺杂非晶硅膜；在所述掺杂非晶硅膜远离所述本征非晶硅膜的一侧形成第二保护层；采用第一激光刻蚀工艺，对位于所述第一区上的所述第二保护层和所述初始第二钝化叠层进行刻蚀，部分所述初始第二钝化叠层，或者，部分所述第二保护层和部分所述初始第二钝化叠层残留于所述第一区上；以位于所述第二区上的所述第二保护层为刻蚀阻挡层，且以所述第一保护层为刻蚀停止层，采用第一刻蚀液，去除残留于所述第一区上的所述初始第二钝化叠层，或者，去除残留于所述第一区上的所述第二保护层和所述初始第二钝化叠层，剩余位于所述第二区上的所述初始第二钝化叠层为第二钝化叠层，所述隧穿层和所述掺杂多晶硅层构成第一钝化叠层。[0007]在一些实施例中，在形成所述叠层结构之后，在形成所述初始第二钝化叠层之前，所述背接触电池的制造方法还包括：对所述第一面进行制绒处理，以将所述第一面转换为6绒面；在所述绒面上形成钝化减反层；其中，形成所述钝化减反层的步骤中采用的工艺温度为第一温度，形成所述第二保护层的步骤中采用的工艺温度为第二温度，所述第一温度大于或等于所述第二温度。[0009]在一些实施例中，形成所述钝化减反层的步骤包括：采用第一沉积工艺，在所述绒面上形成氧化铝膜，且所述氧化铝膜还形成于所述第二面的部分区域上以及连接所述第一面和所述第二面的侧面上；采用第二沉积工艺，在所述氧化铝膜远离所述基底的一侧形成氮化硅膜；采用链式刻蚀工艺，去除位于所述第二面的部分区域和所述侧面上的所述氮化硅膜，剩余位于所述第一面上的所述氮化硅膜为氮化硅层；以所述氮化硅层为刻蚀阻挡层，采用第三刻蚀液，去除位于所述第二面的部分区域和所述侧面上的所述氧化铝膜，剩余位于所述第一面上的所述氧化铝膜为氧化铝层，所述钝化减反层包括所述氧化铝层和所述氮化硅层。[0010]在一些实施例中，形成所述叠层结构的步骤包括：在所述第二面上形成初始叠层结构，所述初始叠层结构包括沿所述第一方向上堆叠设置的隧穿膜、掺杂多晶硅膜和第一保护膜；采用第二激光刻蚀工艺，对位于所述第二区上的所述初始叠层结构进行初步刻蚀，以去除部分厚度的所述初始叠层结构，且对至少部分厚度的所述初始叠层结构进行激光改性处理；采用第二刻蚀液，去除剩余位于所述第二区上的所述初始叠层结构，剩余位于所述第一区上的所述初始叠层结构为所述叠层结构，剩余位于所述第一区上的所述隧穿膜为所述隧穿层，剩余位于所述第一区上的所述掺杂多晶硅膜为所述掺杂多晶硅层，剩余位于所述第一区上的所述第一保护膜为所述第一保护层。[0011]在一些实施例中，所述第一刻蚀液的反应温度小于所述第二刻蚀液的反应温度；和/或，所述第一刻蚀液的反应时间小于所述第二刻蚀液的反应时间；和/或，所述第一刻蚀液和所述第二刻蚀液均为氢氧化钾溶液，氢氧化钾在所述第一刻蚀液中的浓度小于在所述第二刻蚀液中的浓度。[0012]在一些实施例中，在形成所述叠层结构的步骤中，所述第二刻蚀液还刻蚀位于所述第二区的所述基底，位于所述第二区的所述基底的表面为第二表面，位于所述第一区的所述基底的表面为第一表面，以所述第一面为基准面，使所述第二表面低于所述第一表面。[0013]在一些实施例中，沿所述第一方向上，所述第二表面和所述第一表面之间的间距[0014]在一些实施例中，所述第一激光刻蚀工艺中采用的激光为第一激光，所述第二激光刻蚀工艺中采用的激光为第二激光，所述第一激光的波长小于所述第二激光的波长。[0015]在一些实施例中，所述第一激光刻蚀工艺中采用第一激光器产生第一激光；所述第二激光刻蚀工艺中采用第二激光器产生第二激光；其中，所述第一激光器的激光扫描速度大于所述第二激光器的激光扫描速度；和/或，所述第一激光器的功率小于所述第二激光器的功率；和/或，所述第一激光器的频率小于所述第二激光器的频率。[0016]在一些实施例中，所述第一激光器的激光扫描速度为40m/s~60m/s,所述第二激光器的激光扫描速度为30m/s~50m/s;和/或，所述第一激光器的功率为10W~30W,所述第二激光器的功率为60W~80W;和/或，所述第一激光器的频率为900kHz~1100kHz,所述第二激光器的频率为1100kHz~1300kHz。7[0017]在一些实施例中，在形成所述第二钝化叠层之后，所述背接触电池的制造方法还包括：采用酸洗工艺，去除位于所述第二区上的所述第二保护层，以及去除所述第一保护层。[0018]根据本公开一些实施例，本公开实施例另一方面还提供一种背接触电池，背接触电池为如上述任一项所述的背接触电池的制造方法所形成的背接触电池。[0019]根据本公开一些实施例，本公开实施例又一方面还提供一种背接触叠层电池，包括：底电池，所述底电池为如上述任一项所述的背接触电池的制造方法所形成的背接触电镉太阳能电池、铜铟镓硒太阳能电池或砷化镓太阳能电池中的一种，所述顶电池位于所述底电池的一侧。[0020]根据本公开一些实施例，本公开实施例再一方面还提供一种光伏组件，包括：电池串，由多个如上述任一项所述的背接触电池的制造方法所形成的背接触电池连接而成，或者多个如上述所述的背接触电池连接而成，或者由多个如上述所述的背接触叠层电池连接而成；封装胶膜，用于覆盖所述电池串的表面；盖板，用于覆盖所述封装胶膜背离所述电池串的表面。[0021]本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：在进行第一激光刻蚀工艺之前，不仅在在第一区上形成第一保护层，还在掺杂非晶硅膜远离本征非晶硅膜的一侧形成第二保护层。然后，在不对叠层结构造成激光损伤和过刻蚀的前提下，先采用第一激光刻蚀工艺对位于第一区上的第二保护层和初始第二钝化叠层进行初步刻蚀，然后在位于第二区上的第二保护层和第一保护层的配合下，采用第一刻蚀液对残留于第一区上的初始第二钝化叠层，或者，残留于第一区上的第二保护层和初始第二钝化叠层进行补充刻蚀，以确保最终形成的背接触电池中，由隧穿层和掺杂多晶硅层构成的第一钝化叠层仅位于第一区，第二钝化叠层仅位于第二区，从而有利于降低最终形成的背接触电池的串联电阻，以及提升背接触电池的填充因子，从而提升背接触电池的光电转换效率。而且，在各个步骤的相互配合下，有利于提升背接触电池的制备工艺的稳定性，以及降低制备出的不同背接触能电池之间的光电转换效率的差异性，从而提升制备的背接触电池的良率。附图说明[0022]一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制；为了更清楚地说明本公开实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。[0023]图1为本公开一实施例提供的背接触电池的制造方法的一种流程图；图2为本公开一实施例提供的背接触电池的制造方法中基底的一种局部剖面示意图3为本公开一实施例提供的背接触电池的制造方法中形成初始叠层结构后的一种局部剖面示意图；8图4为本公开一实施例提供的背接触电池的制造方法中形成叠层结构后的一种局部剖面示意图；图5为本公开一实施例提供的背接触电池的制造方法中形成氧化铝膜和氮化硅膜后的一种局部剖面示意图；图6为本公开一实施例提供的背接触电池的制造方法中形成氮化硅层后的一种局部剖面示意图；图7为本公开一实施例提供的背接触电池的制造方法中形成氧化铝层后的一种局部剖面示意图；图8为本公开一实施例提供的背接触电池的制造方法中形成初始第二钝化叠层后的一种局部剖面示意图；图9为本公开一实施例提供的背接触电池的制造方法中形成第二保护层后的一种局部剖面示意图；图10为本公开一实施例提供的背接触电池的制造方法中进行第一激光刻蚀工艺后的一种局部剖面示意图；图11为本公开一实施例提供的背接触电池的制造方法中采用第一刻蚀液进行刻蚀后的一种局部剖面示意图；图12为本公开一实施例提供的背接触电池的制造方法中进行酸洗工艺后的一种局部剖面示意图；图13为本公开又一实施例提供的背接触叠层电池一种局部剖面示意图；图14为本公开又一实施例提供的背接触叠层电池中顶电池和底电池的一种连接方式示意图；图15为本公开又一实施例提供的背接触叠层电池中顶电池和底电池的另一种连接方式示意图；图16为本公开又一实施例提供的背接触叠层电池中顶电池和底电池的又一种连接方式示意图。具体实施方式[0025]由背景技术可知，背接触电池的光电转换效率有待提升。[0026]本公开实施例提供一种背接触电池及其制造方法、背接触叠层电池、光伏组件，背接触电池的制造方法中，在进行第一激光刻蚀工艺之前，不仅在在第一区上形成第一保护层，还在掺杂非晶硅膜远离本征非晶硅膜的一侧形成第二保护层。然后，在不对叠层结构造成激光损伤和过刻蚀的前提下，先采用第一激光刻蚀工艺对位于第一区上的第二保护层和9初始第二钝化叠层进行初步刻蚀，然后在位于第二区上的第二保护层和第一保护层的配合下，采用第一刻蚀液对残留于第一区上的初始第二钝化叠层，或者，残留于第一区上的第二保护层和初始第二钝化叠层进行补充刻蚀，以确保最终形成的背接触电池中，由隧穿层和掺杂多晶硅层构成的第一钝化叠层仅位于第一区，第二钝化叠层仅位于第二区，从而有利于降低最终形成的背接触电池的串联电阻，以及提升背接触电池的填充因子，从而提升背接触电池的光电转换效率。而且，在各个步骤的相互配合下，有利于提升背接触电池的制备工艺的稳定性，以及降低制备出的不同背接触能电池之间的光电转换效率的差异性，从而提升制备的背接触电池的良率。能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量、特定顺序或主次[0028]在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本公开的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。示可以存在三种关系，例如A和/或B,可以表示：存在A,同时存在A指的是两组以上(包括两组),“多片”指的是两片以上(包括两片)。“上”“下”“前”“后”“左”“右”“竖直”“水平”“顶”“底”“内”“外”“顺时针”“逆时针”“轴向”“径向”“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开实施例的限制。体；也可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本公开实施例中的具体含义。[0033]在本公开实施例对应的附图中，为了更好地理解和便于描述，层的厚度和面积被放大。当描述一个部件(如层、薄膜、区域或基底)在另一个部件上或在另一个部件表面上当描述一个部件在另一个部件表面时或者一个部件表面形成或者设置有另一个部件时，则意味着该部件不是形成在另一个部件的整个表面(或前表面)上，也不是形成在整个表面的部分边缘上。被称为”在/位于”另一部件上时，它可以"直接在"另一部件上(即位于另一部件表面二者之于其间。[0035]本文对各种所述实施例的描述中所使用的术语仅用于描述特定的实施例，而无意限制。如在所描述的各种实施例的说明和所附权利要求中所使用的，“所述部件”也意在包[0036]下面将结合附图对本公开的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本公开各实施例中，为了使读者更好地理解本公开实施例而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本公开实施例所要求保护的技术方案。[0037]本公开一实施例提供一种背接触电池的制造方法，以下将结合附图对本公开一实施例提供的背接触电池的制造方法进行详细说明。[0038]结合参考图1至图11,图1为本公开一实施例提供的背接触电池的制造方法的一种流程图，背接触电池的制造方法至少包括如下步骤：S1:参考图2,图2为本公开一实施例提供的背接触电池的制造方法中基底的一种局部剖面示意图，提供基底100,基底100具有沿第一方向X相对的第一面110和第二面120,第二面120包括沿第二方向Y交替排布的第一区130和第二区140,第一方向X为基底100的厚度方向，第二方向Y与第一方向X相交。[0039]需要说明的是，为提升图示的清晰性，图2中仅示意出一个第一区130和一个第二区140,实际应用中，第二面包括多个第一区和多个第二区，一第一区和一第二区沿第二方向交替排布，换言之，相邻两个第二区之间具有一个第一区，相邻两个第一区之间具有一个第二区。[0040]S2:结合参考图3和图4,在第一区130上形成叠层结构101,叠层结构101包括沿第一方向X上堆叠设置的隧穿层102、掺杂多晶硅层103和第一保护层104。需要说明的是，后续会对图3和图4进行详细说明。[0041]S3:参考图5至图8,在第二面120和叠层结构101共同构成的表面形成初始第二钝化叠层105,初始第二钝化叠层105包括沿第一方向X上堆叠设置的本征非晶硅膜106和掺杂非晶硅膜107。需要说明的是，图8为本公开一实施例提供的背接触电池的制造方法中形成初始第二钝化叠层后的一种局部剖面示意图，后续会对图5至图7进行详细说明。[0042]S4:参考图9,图9为本公开一实施例提供的背接触电池的制造方法中形成第二保护层后的一种局部剖面示意图，在掺杂非晶硅膜107远离本征非晶硅膜106的一侧形成第二保护层108。[0043]S5:结合参考图9和图10,采用第一激光刻蚀工艺，对位于第一区130上的第二保护层108和初始第二钝化叠层105进行刻蚀，部分初始第二钝化叠层105,或者，部分第二保护层108和部分初始第二钝化叠层105残留于第一区130上。[0044]需要说明的是，图10为本公开一实施例提供的背接触电池的制造方法中进行第一激光刻蚀工艺后的一种局部剖面示意图。此外，图10以进行第一激光刻蚀工艺之后，部分第二保护层108和部分初始第二钝化叠层105均残留于第一区130上为示例，实际应用中，第一11[0045]S6:结合参考图10和图11,以位于第二区140上的第二保护层为刻蚀阻挡层，且以于第二区140上的初始第二钝化叠层105[0046]需要说明的是，剩余位于第二区140上的本征非晶硅膜106可视为本征非晶硅层116,剩余位于第二区140上的掺杂非晶硅膜107可视为掺杂非晶硅层117,第二钝化叠层115第二保护层108和部分初始第二钝化叠层105残留于第一区[0049]在此基础上，先在第一激光刻蚀工艺之前设计第一保护层104和第二保护层108,后续以位于第二区140上的第二保护层为刻蚀阻挡层，且以第一保护层104为刻蚀停止层，穿层102和掺杂多晶硅层103构成的第一钝化叠层123仅位于第一区130,第二钝化叠层115105,以避免第一区130上残留的初始第二钝化叠层105导致的背接触电池的串联电阻的增光刻蚀工艺采用的激光能量，以避免激光对位于第一区130上的叠层结构101的激光损伤，蚀液对位于第二区140上的初始第二钝化叠层105进行刻蚀，还可以将第一保护层104作为刻蚀停止层，以避免第一刻蚀液对叠层结构101的过刻蚀，例如避免刻蚀到掺杂多晶硅层[0050]换言之，在进行第一激光刻蚀上的第二保护层108和初始第二钝化叠层105进行初步刻蚀，然后在位于第二区140上的第二保护层108和第一保护层104的配合下，采用第一刻蚀液对位于第一区130上的第二保护101仅位于第一区130,第二钝化叠层115仅位于第二区140,从而有利于降低最终形成的背接触电池的串联电阻，以及提升背接触电池的填充因子，从而提升背接触电池的光电转换效率。而且，在步骤S2至步骤S6的相互配合下，有利于提升背接触电池的制备工艺的稳定性，以及降低制备出的不同背接触能电池之间的光电转换效率的差异性，从而提升制备的背接触电池的良率。[0051]需要说明的是，采用本公开一实施例提供的背接触电池，是在以BC电池为平台技术的基础上，结合Topcon(TunnelOxidePassivatedContact,隧穿氧化层钝化接触)技术和HJT(HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer,本征薄膜异质结电池技术)所形成的光伏电池。[0052]以下将结合附图对本公开一实施例提供的背接触电池的制造方法进行更为详细的说明。[0053]在一些实施例中，参考图4,步骤S2中形成的掺杂多晶硅层103中掺杂有第一类型掺杂元素，参考图8,步骤S3中形成的掺杂非晶硅膜107中掺杂有第二类型掺杂元素，第一类型掺杂元素为N型掺杂元素和P型掺杂元素中的一者，第二类型掺杂元素为N型掺杂元素和P型掺杂元素中的另一者。[0054]在一些示例中，N型掺杂元素可以为磷(P)元素、铋(Bi)元素、锑(Sb)元素或砷(As)元素等V族元素中的至少一者；P型半导体基底内掺杂有P型元素，P型掺杂元素可以为硼(B)元素、铝(A1)元素、镓(Ga)元素或镓(In)元素等Ⅲ族元素中的至少一者。[0055]在一些实施例中，基底100用于接收入射光线并产生光生载流子。[0056]在一些情形下，基底100的材料可以为元素半导体材料。可选地，元素半导体材料态或者微晶态(同时具有单晶态和非晶态的状态，称为微晶态),例如，硅可以是单晶硅、多晶硅、非晶硅或者微晶硅中的至少一种。[0057]在另一些情形下，基底100的材料可以为化合物半导体材料。可选地，常见的化合[0058]在又一些情形下，基底100也可以为蓝宝石基底、绝缘体上的硅基底或者绝缘体上的锗基底。[0059]在一些实施例中，基底100可以为N型半导体基底或者P型半导体基底。N型半导体基底内掺杂有N型掺杂元素，P型半导体基底内掺杂有P型元素。[0060]在一些实施例中，结合参考图5至图8,在进行步骤S2,即形成叠层结构101之后，在进行步骤S3,即形成初始第二钝化叠层105之前，背接触电池的制造方法还可以包括如下步结合参考图4和图5,对第一面110进行制绒处理，以将第一面110转换为绒面；结合参考图5至图8,在绒面上形成钝化减反层109;其中，形成钝化减反层109的步骤中采用的工艺温度为第一温度，形成第二保护层108(参考图9)的步骤中采用的工艺温度为第二温度，第一温度大于或等于第二温度。[0061]值得注意的是，后续步骤S3中形成初始第二钝化叠层105中，本征非晶硅膜106和掺杂非晶硅膜107均为非晶态，为保证本征非晶硅膜106和掺杂非晶硅膜107对第二区140优异的钝化性能，以保证背接触电池的光电转换效率不会降低，形成初始第二钝化叠层105后的其他工艺步骤的工艺温度不宜过大，避免影响本征非晶硅膜106和掺杂非晶硅膜107的非晶态。基于此，在第二面120上形成初始第二钝化叠层105之前，即对第一面110进行制绒并在绒面上形成钝化减反层109,即使第一温度大于第二温度，也可以避免形成钝化减反层109的工艺温度对本征非晶硅膜106和掺杂非晶硅膜107的非晶态造成不利影响，以确保最终形成的第二钝化叠层115对第二区140优异的钝化性能，以在提升第一面110对入射光线的陷光效果的同时，保证第二面120得到良好的钝化处理，以进一步提升背接触电池的光电转换效率。[0062]需要说明的是，将对第一面110进行制绒并在绒面上形成钝化减反层109的工艺步骤，穿插在对第二面120的第一区130制备叠层结构101的步骤和对第二面120的第二区140制备第二钝化叠层115的步骤之间，有利于使得在绒面上形成钝化减反层109的工艺温度，即第一温度不受过多限制，既可以采用较高的工艺温度制备，即设计第一温度大于第二温度，又可以采用适配后续形成的本征非晶硅膜106和掺杂非晶硅膜107的较低的工艺温度制[0063]此外，对第一面110进行制绒的工艺温度一般也会低于形成第二保护层108的步骤中采用的工艺温度，即第二温度。在一些示例中，对第一面110进行制绒的工艺温度一般低于100℃。[0064]在一些情形下，第二温度可以为150℃~250℃,例如，可以为160℃、17[0065]在一些情形下，可以采用等离子增强化学气相沉积(PECVD,PlasmaEnhancdChemicalVaporDeposition)工艺形成第二保护层108。值得注意的是，PECVD工艺利用等离子体来增强沉积过程，从而可以实现更低的工艺温度和更快的沉积速率，有利于保证形成第二保护层108的步骤中采用的工艺温度，即第二温度较低，以及提升背接触电池的制备[0066]在一些情形下，结合参考图5至图7,形成钝化减反层109的步骤可以包括：参考图5,采用第一沉积工艺，在绒面上形成氧化铝膜119,且氧化铝膜119还形成于第二面120的部分区域上以及连接第一面110和第二面120的侧面150上；继续参考图5,采用第二沉积工艺，在氧化铝膜119远离基底100的一侧形成氮化硅膜129;结合参考图5和图6,采用链式刻蚀工艺，去除位于第二面120的部分区域和侧面150上的氮化硅膜129,剩余位于第一面110上的氮化硅膜129为氮化硅层139;结合参考图6和图7,以氮化硅层139为刻蚀阻挡层，采用第三刻蚀液，去除位于第二面120的部分区域和侧面150上的氧化铝膜119,剩余位于第一面110上的氧化铝膜119为氧化铝层149,钝化减反层109包括氧化铝层149和氮化硅层139。[0067]其中，图5为本公开一实施例提供的背接触电池的制造方法中形成氧化铝膜和氮化硅膜后的一种局部剖面示意图；图6为本公开一实施例提供的背接触电池的制造方法中形成氮化硅层后的一种局部剖面示意图；图7为本公开一实施例提供的背接触电池的制造方法中形成氧化铝层后的一种局部剖面示意图。此外，为示意出侧面150,图5和图6者仅示意出两个侧面150之间一个第一区130和一个第二区140,实际应用中，相对的两个侧面之间具有多个第一区和多个第二区。[0068]值得注意的是，在形成氧化铝膜119的步骤中，氧化铝膜119存在绕镀现象；在形成第二面120的部分区域和侧面150上的氮化硅膜129,保留位于第一面110上的氮化硅膜129艺去除绕镀形成的氮化硅膜129,例如可以采用槽式刻蚀工艺去除绕镀形成的氮化硅膜3,在第二面120上形成初始叠层结构111,初始叠层结构111包括沿第一方向X上堆叠设置的隧穿膜112、掺杂多晶硅膜113和第一保护膜114;结合参考图3和图4,采用第二激光刻蚀工构111,且对至少部分厚度的初始叠层结构111进行激光改性处初始叠层结构111为叠层结构101,剩余位于第一区130上的隧穿膜112为隧穿层102,剩余位于第一区130上的掺杂多晶硅膜113为掺杂多晶硅层103,剩余位于第一区130上的第一保护[0071]其中，图3为本公开一实施例提供的背接触电池的制造方法中形成初始叠层结构后的一种局部剖面示意图；图4为本公开一实施例提供的背接触电池的制造方法中形成叠114进行改性处理，使得较之位于第一区130的第一保护膜114,即后续形成的第一保护层于第二区140的掺杂多晶硅膜113或隧穿膜112也可能受到第二激光刻蚀工艺中激光的影蚀阻挡层，有利于在避免第二刻蚀液对位于第一区130的掺杂多晶硅膜113和隧穿膜112的[0074]在一些情形下，可以采用低压化学气相沉积(LPCVD,LowPressureChemicalVaporDeposition)工艺形成隧穿膜112、掺杂多晶硅膜113和第一保护膜114.值得注意的量、厚度均匀的薄膜，从而有利于提升隧穿膜112、掺杂多晶硅膜113和第一保护膜114的成膜质量，以提升最终形成的第一钝化叠层123对第一区130的钝化效果。[0075]在一些实施例中，结合参考图3和图4,采用第二刻蚀液，去除剩余位于第二区140上的初始叠层结构111;结合参考图10和图11,采用第一刻蚀液，去除残留于第一区130上的初始第二钝化叠层105,或者，去除残留于第一区130上的第二保护层108和初始第二钝化叠层105。需要说明的是，在采用第一刻蚀液的步骤中，第一区130上已经形成叠层结构101,第一保护层104作为刻蚀停止层，也可能因为第一刻蚀液的过刻蚀而被破坏，为避免第一刻蚀液对叠层结构101造成过刻蚀，而影响第一钝化叠层123对第一区130的钝化效果，可以调节第一刻蚀液的相关参数，以确保第一保护层104对掺杂多晶硅层103和隧穿层102的保护作[0076]在一些情形下，第一刻蚀液的反应温度可以小于第二刻蚀液的反应温度。如此，较之第二刻蚀液的反应温度，通过降低第一刻蚀液的反应温度，可以降低第一刻蚀液对第一保护层104造成过刻蚀的概率，以提升形成的背接触电池的良率。此外，第一激光刻蚀工艺已经对位于第一区130上的第二保护层108和初始第二钝化叠层105进行初步刻蚀，在采用第一刻蚀液对位于第一区130上的第二保护层108和初始第二钝化叠层105进行补充刻蚀的步骤中，适当降低第一刻蚀液的反应温度，也可以保证去除残留于第一区130上的初始第二钝化叠层105,或者，去除残留于第一区130上的第二保护层108和初始第二钝化叠层105。[0077]在一些情形下，第一刻蚀液的反应时间可以小于第二刻蚀液的反应时间。如此，较之第二刻蚀液的反应时间，通过降低第一刻蚀液的反应时间，也可以降低第一刻蚀液对第一保护层104造成过刻蚀的概率，以提升形成的背接触电池的良率。此外，第一激光刻蚀工艺已经对位于第一区130上的第二保护层108和初始第二钝化叠层105进行初步刻蚀，在采用第一刻蚀液对位于第一区130上的第二保护层108和初始第二钝化叠层105进行补充刻蚀的步骤中，适当降低第一刻蚀液的反应时间，也可以保证去除残留于第一区130上的初始第二钝化叠层105,或者，去除残留于第一区130上的第二保护层108和初始第二钝化叠层105。[0078]在一些情形下，第一刻蚀液和第二刻蚀液均可以为氢氧化钾溶液，氢氧化钾在第一刻蚀液中的浓度小于在第二刻蚀液中的浓度。如此，较之氢氧化钾在第二刻蚀液中的浓度，通过降低氢氧化钾在第一刻蚀液中的浓度，也可以降低第一刻蚀液对第一保护层104造成过刻蚀的概率，以提升形成的背接触电池的良率。此外，第一激光刻蚀工艺已经对位于第一区130上的第二保护层108和初始第二钝化叠层105进行初步刻蚀，在采用第一刻蚀液对位于第一区130上的第二保护层108和初始第二钝化叠层105进行补充刻蚀的步骤中，适当降低氢氧化钾在第一刻蚀液中的浓度，也可以保证去除残留于第一区130上的初始第二钝化叠层105,或者，去除残留于第一区130上的第二保护层108和初始第二钝化叠层105。[0079]需要说明的是，为降低第一刻蚀液对第一保护层104造成过刻蚀的概率，以提升形成的背接触电池的良率，较之第二刻蚀液，设计第一刻蚀液的反应温度、反应时间或氢氧化钾的浓度的至少一种更小均可实现。换言之，上述三种情形可以择一设计，也可以择二设[0080]在一些示例中，采用第一刻蚀液的步骤和采用第二刻蚀液的步骤均可以通过槽式碱抛工艺实现。采用第一刻蚀液的步骤中，氢氧化钾在第一刻蚀液中的浓度可以为2%~10%,[0081]在一些情形下，参考图4,在形成叠层结构101的步骤中，第二刻蚀液还刻蚀位于第二区140的基底100,位于第二区140的基底100的表面为第二表面，位于第一区130的基底100的表面为第一表面，以第一面110为基准面，使第二表面低于第一表面。在此基础上，进行步骤S6后，结合参考图4和图11,位于第二区140的第二钝化叠层115,即位于第二表面上的第二钝化叠层115;位于第一区130的叠层结构101,即位于第一表面上的叠层结构101。[0082]在一些示例中，参考图11,以第一面110为基准面，在第二表面低于第一表面的基础上，第二钝化叠层115中的大部分区域远离基底100的表面低于叠层结构101远离基底100的表面，第二钝化叠层115中的掺杂非晶硅层117的大部分区域与叠层结构101中的掺杂多晶硅层103沿第一方向X上错开。[0083]在一些示例中，参考图4,沿第一方向X上，第二表面和第一表面之间的间距可以为[0084]值得注意的是，可以通过调节第二刻蚀液对位于第二区140的基底100的刻蚀程度，调节第二表面和第一表面之间的间距。在此基础上，设计第二表面和第一表面之间的间距可以为3μm~10μm,一方面，有利于避免第二表面和第一表面之间的间距过小，以确保第二钝化叠层115和叠层结构101之间存在一定的台阶差，以保证第二钝化叠层115中的掺杂非晶硅层117的大部分区域与叠层结构101中的掺杂多晶硅层103沿第一方向X上错开；另一方面，有利于避免第二表面和第一表面之间的间距过大，以避免第二钝化叠层115和叠层结构101之间的台阶差过大，从而避免最终形成的背接触电池的背面的凹凸差异过大，以提升最终形成的背接触电池的结构稳定性。[0085]以下对第一激光刻蚀工艺和第二激光刻蚀工艺进行详细说明。[0086]在一些实施例中，第一激光刻蚀工艺中采用的激光为第一激光，第二激光刻蚀工艺中采用的激光为第二激光，第一激光的波长可以小于第二激光的波长。[0087]值得注意的是，参考图4或图7,在进行第一激光刻蚀工艺之前，第一区130上已经形成叠层结构101;结合参考图9和图10,后续进行第一激光刻蚀工艺的步骤中，第一激光照射第一区130时所产生的能量过大或者对第一区130上膜层的穿透深度过大，均容易造成对叠层结构101较大的激光损伤。在此基础上，设计第一激光的波长可以小于第二激光的波长，有利于降低第一激光的穿透深度，以避免第一激光对叠层结构101造成较大的激光损伤，从而确保第一钝化叠层123对第一区130优异的钝化效果。[0088]在一些示例中，第一激光为紫皮激光，第二激光可以为绿皮激光。其中，较之绿皮激光，紫皮激光的波长更小，对膜层的穿透深度更小且紫皮激光的能量更集中于膜层的表面，均有利于降低第一激光对叠层结构101造成较大的激光损伤的概率。[0089]值得注意的是，紫皮激光或绿皮激光均属于皮秒激光，皮秒激光为超短脉冲激光。紫皮激光也可以指紫外皮秒激光，绿皮激光也可以指绿色皮秒激光。[0090]在一些实施例中，第一激光刻蚀工艺中采用第一激光器产生第一激光；第二激光刻蚀工艺中采用第二激光器产生第二激光。在此基础上，为避免第一激光对叠层结构101造成激光损伤，也可以通过调节第一激光器的激光扫描速率、功率或频率，以避免第一激光照射第一区130时所产生的能量过大。[0091]在一些情形下，第一激光器的激光扫描速度可以大于第二激光器的激光扫描速度。值得注意的是，可以通过调节激光扫描速度控制照射于膜层上的光斑的尺寸大小，设计第一激光器的激光扫描速度大于第二激光器的激光扫描速度，有利于降低第一激光照射于膜层上的光斑的尺寸，以降低第一激光对叠层结构101造成较大的激光损伤的概率。[0092]在一些示例中，第一激光器的激光扫描速度可以为40m/s~60m/s,例如，可以为[0093]在一些情形下，第一激光器的功率可以小以通过调节激光器的功率控制激光器输出的激光的能量，设计第一激光器的功率小于第二激光器的功率，有利于降低第一激光器输出的第一激光的能量，以降低第一激光照射于膜层上的能量，以降低第一激光对叠层结构101造成较大的激光损伤的概率。[0095]在一些情形下，第一激光器的频率可以小于第二激光器的频率。值得注意的是，可以通过调节激光器的频率控制照射于膜层上的光斑的重叠率，设计第一激光器的频率小于第二激光器的频率，有利于降低第一激光在膜层上形成的光斑的重叠率，以降低第一激光对叠层结构101造成较大的激光损伤的概率。[0096]在一些示例中，第一激光器的频率可以为900kHz~1100kHz,例如，可以为910kHz、的频率可以为1100kHz~1300kHz,例如，可以为1110kHz、1120kHz、1130kHz、1140kHz、[0097]需要说明的是，结合调节激光扫描速度和激光器的频率，也可以控制照射于膜层上的光斑的重叠率。[0098]此外，为第一激光对叠层结构101造成较大的激光损伤的概率，较之第二激光器，设计第一激光器的激光扫描速度、功率或频率的至少一种更小均可实现。换言之，上述三种情形可以择一设计，也可以择二设计，也可以同时设计于制造方法中。[0099]在一些示例中，在较之第二激光器，设计第一激光器的激光扫描速度、功率或频率的至少一种更小的基础上，第一激光为紫皮激光时，第二激光可以为绿皮激光或紫皮激光。[0100]在一些实施例中，结合参考图11和图12,图12为本公开一实施例提供的背接触电池的制造方法中进行酸洗工艺后的一种局部剖面示意图，在形成第二钝化叠层115之后，背接触电池的制造方法还可以包括：采用酸洗工艺，去除位于第二区140上的第二保护层108,以及去除第一保护层104。如此，有利于后续在第一钝化叠层123上形成与掺杂多晶硅层103电连接的第一栅线，在第二钝化叠层115上形成与掺杂非晶硅层117电连接的第二栅线。[0101]需要说明的是，在形成第一栅线和第二栅线之前，先在第一钝化叠层123和第二钝化叠层115共同构成的表面上形成透明导电膜，对透明导电膜进行图形化处理，保留下来的透明导电膜包括沿第二方向Y交替排布且间隔排布的透明导电层，后续在透明导电层上制备第一栅线和第二栅线。其中，单个透明导电层位于单个第一区130或单个第二区140上。如此，相邻透明导电层之间具有间隔，有利于避免第一栅线和第二栅线短路。[0102]在一些实施例中，参考图9,第二保护层108的材料可以包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的至少一者。[0103]在一些实施例中，参考图4,第一保护层104的材料可以包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的至少一者。[0104]在一些示例中，结合参考图11和图12,酸洗工艺中可以采用氢氟酸溶液去除位于第二区140上的第二保护层108,以及去除第一保护层104。[0105]综上所述，在进行第一激光刻蚀工艺之前，不仅在在第一区130上形成第一保护层104,还在掺杂非晶硅膜107远离本征非晶硅膜106的一侧形成第二保护层108.然后，在不对叠层结构101造成激光损伤和过刻蚀的前提下，先采用第一激光刻蚀工艺对位于第一区130上的第二保护层108和初始第二钝化叠层105进行初步刻蚀，然后在位于第二区140上的第二保护层108和第一保护层104的配合下，采用第一刻蚀液对位于第一区130上的第二保护层108和初始第二钝化叠层105进行补充刻蚀，以确保最终形成的背接触电池中，叠层结构101仅位于第一区130,第二钝化叠层115仅位于第二区140,从而有利于降低最终形成的背接触电池的串联电阻，以及提升背接触电池的填充因子，从而提升背接触电池的光电转换效率。而且，在步骤S2至步骤S6的相互配合下，有利于提升背接触电池的制备工艺的稳定性，以及降低制备出的不同背接触能电池之间的光电转换效率的差异性，从而提升制备的背接触电池的良率。[0106]本公开另一实施例还提供一种背接触电池，通过前述实施例提供背接触电池的制造方法形成。以下将结合附图对本公开另一实施例提供的背接触电池进行详细说明。需要说明的是，与前述实施例相同或相应的部分在此不做赘述。[0107]参考图12,背接触电池包括：基底100,基底100具有沿第一方向X相对的第一面110和第二面120,第二面120包括沿第二方向Y交替排布的第一区130和第二区140,第一方向X为基底100的厚度方向，第二方向Y与第一方向X相交；位于第一区130上的叠层结构101,叠层结构101包括沿第一方向X上堆叠设置的隧穿层102、掺杂多晶硅层103和第一保护层104;位于第二区140上的第二钝化叠层115,第二钝化叠层115包括沿第一方向X上堆叠设置的本征非晶硅层116和掺杂非晶硅层117。[0108]本公开又一实施例还提供一种背接触叠层电池，背接触叠层电池包括前述实施例提供背接触电池的制造方法形成的背接触电池、或者前述实施例提供的背接触电池。以下将结合附图对本公开又一实施例提供的背接触叠层电池进行详细说明。需要说明的是，与前述实施例相同或相应的部分，在此不再赘述。[0109]参考图13,图13为本公开又一实施例提供的背接触叠层电池一种局部剖面示意图，背接触叠层电池包括：底电池159,底电池159为前述实施例提供的背接触电池的制造方法所形成的背接触电池，或为前述实施例提供的背接触电池；顶电池169,顶电池169为钙钛矿电池、给体受体电池、碲化镉太阳能电池、铜铟镓硒太阳能电池或砷化镓太阳能电池中的一种，顶电池169位于底电池159的一侧。[0111]在一些示例中，第一传输层可以为电子传输层或者空穴传输层中的一者，第二传输层可以为电子传输层或者空穴传输层中的另一者。[0112]在一些实施例中，顶电池169的带隙宽度宽于底电池159,因此，在底电池159上方叠加顶电池169可以使叠层电池具有更广泛的光谱响应范围，从而最大限度地利用太阳能，提高太阳能电池的效率。[0113]在一些实施例中，底电池159还包括与掺杂多晶硅层103电连接的第一栅线，以及与掺杂非晶硅层117电连接的第二栅线。[0114]以下对顶电池169和底电池159的连接方式进行详细说明。[0115]在一些实施例中，参考图14,图14为本公开又一实施例提供的背接触叠层电池中顶电池和底电池的一种连接方式示意图，顶电池169和底电池159可以构成四端叠层结构。顶电池169中的正极和负极分别作为独立的端子引出，底电池159中的第一栅线和第二栅线也分别作为独立的端子引出。换言之