2026中国光刻胶行业供需态势与投资前景展望报告

2026中国光刻胶行业供需态势与投资前景展望报告目录2127摘要 38706一、中国光刻胶行业概述 4243881.1光刻胶定义、分类及技术演进路径 4221101.2光刻胶在半导体与显示产业链中的关键作用 515007二、全球光刻胶市场发展格局 7283152.1全球光刻胶市场规模与区域分布特征 7143662.2国际主要厂商竞争格局与技术壁垒分析 1021541三、中国光刻胶行业发展现状 12234413.1产能、产量与国产化率演变趋势（2020–2025） 1290153.2主要本土企业技术路线与产品布局 148499四、2026年中国光刻胶需求侧分析 1672744.1半导体制造扩产驱动下的高端光刻胶需求预测 16121454.2显示面板产业升级对中低端光刻胶的需求结构变化 1831682五、2026年中国光刻胶供给侧分析 2031505.1国内产能扩张计划与投产节奏 20105255.2原材料（树脂、光引发剂等）供应链安全评估 22

摘要随着全球半导体与显示产业加速向中国转移，光刻胶作为关键电子化学品的战略地位日益凸显，中国光刻胶行业正处于国产替代提速与技术升级并行的关键阶段。光刻胶按曝光波长可分为g线、i线、KrF、ArF及EUV等类型，广泛应用于集成电路制造与TFT-LCD、OLED等显示面板生产，其纯度、分辨率与工艺适配性直接决定芯片制程精度与面板良率。2020至2025年间，中国光刻胶产能从不足1万吨/年增长至约2.3万吨/年，但高端产品国产化率仍低于10%，尤其在KrF及以上级别光刻胶领域严重依赖日本JSR、东京应化、信越化学等国际巨头，全球市场约85%份额被日美企业垄断，技术壁垒高筑。进入2026年，需求端呈现结构性扩张：一方面，中芯国际、长江存储、长鑫存储等晶圆厂持续扩产，预计中国大陆12英寸晶圆月产能将突破150万片，带动KrF与ArF光刻胶需求年复合增长率达25%以上，2026年高端光刻胶市场规模有望突破80亿元；另一方面，京东方、TCL华星、维信诺等面板厂商加速布局高世代线与柔性OLED产线，推动i线/g线光刻胶需求稳定增长，预计2026年显示用光刻胶市场规模将达45亿元，但产品结构正向高分辨率、低金属杂质方向升级。供给端，南大光电、晶瑞电材、彤程新材、上海新阳等本土企业加速技术突破与产能落地，2026年前后预计新增KrF光刻胶产能超3000吨、ArF光刻胶中试线陆续投产，整体产能有望突破3万吨/年，但高端树脂、光引发剂、单体等核心原材料仍高度依赖进口，供应链安全风险突出，尤其在地缘政治扰动下，原材料“卡脖子”问题亟待解决。综合来看，2026年中国光刻胶行业将呈现“需求旺盛、供给追赶、结构分化”的态势，高端产品进口替代空间巨大，政策扶持、产业链协同与研发投入将成为企业突围关键，具备完整技术平台、稳定客户验证及上游材料整合能力的企业有望在新一轮产业周期中占据先机，投资价值显著，但需警惕产能无序扩张带来的中低端产品同质化竞争风险。

一、中国光刻胶行业概述1.1光刻胶定义、分类及技术演进路径光刻胶是半导体制造、平板显示及印刷电路板（PCB）等微纳加工领域中不可或缺的关键电子化学品，其本质是一种对特定波长光源敏感的高分子聚合物材料，在光刻工艺中承担图形转移的核心功能。当受到紫外光、深紫外光（DUV）、极紫外光（EUV）或电子束等辐射源照射后，光刻胶的溶解度发生选择性变化，通过显影工艺形成与掩模版一致的微细图案，从而实现芯片或显示面板上电路结构的精确复制。依据曝光光源波长的不同，光刻胶主要划分为g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）以及EUV（13.5nm）五大类，其中g线与i线光刻胶技术成熟、成本较低，广泛应用于中低端集成电路及PCB制造；KrF与ArF光刻胶则用于90nm至7nm工艺节点的先进逻辑芯片与存储芯片生产；EUV光刻胶作为当前最前沿技术，支撑3nm及以下制程的量产，对材料纯度、分辨率、线边缘粗糙度（LER）等性能指标提出极高要求。此外，按化学反应机理，光刻胶还可分为正性胶与负性胶：正胶在曝光区域溶解度增加，显影后保留未曝光部分；负胶则相反，曝光区域交联固化，保留曝光图形。在平板显示领域，彩色光刻胶（ColorResist）与黑色光刻胶（BlackMatrix）亦属重要分支，主要用于TFT-LCD与OLED面板的彩色滤光片制备，其对色度、透过率及热稳定性有特殊要求。技术演进路径方面，光刻胶的发展始终与半导体工艺节点的微缩同步推进。20世纪80年代以前，g线/i线光刻胶主导市场；1990年代KrF光刻胶随0.25μm工艺普及而兴起；2000年后ArF干式与浸没式光刻胶相继突破，支撑45nm至7nm节点量产；2018年起，台积电、三星等头部晶圆厂开始导入EUV光刻技术，推动EUV光刻胶进入商业化阶段。据SEMI（国际半导体产业协会）数据显示，2024年全球光刻胶市场规模达28.6亿美元，其中ArF与EUV光刻胶合计占比超过55%，年复合增长率达8.2%。中国光刻胶产业起步较晚，长期依赖进口，尤其在高端KrF、ArF及EUV领域，国产化率不足10%。近年来，在国家集成电路产业投资基金（“大基金”）及“十四五”新材料专项支持下，南大光电、晶瑞电材、彤程新材、上海新阳等企业加速技术攻关，部分KrF光刻胶已通过中芯国际、华虹集团等产线验证，ArF光刻胶亦进入客户测试阶段。然而，高端光刻胶的核心原材料如光敏剂（PAG）、树脂单体及高纯溶剂仍严重依赖日本东京应化（TOK）、信越化学、JSR及美国杜邦等国际巨头，供应链安全风险突出。技术演进不仅体现于波长缩短，更涉及材料体系的革新，例如化学放大光刻胶（CAR）通过引入酸催化反应显著提升灵敏度与分辨率，已成为KrF及以上波段的主流技术；而面向EUV时代的金属氧化物光刻胶（如Inpria公司开发的Sn基材料）则有望突破传统有机体系的物理极限，实现更高分辨率与更低曝光剂量。中国在光刻胶领域的技术积累仍处于追赶阶段，需在基础树脂合成、PAG分子设计、配方工程及洁净生产等环节实现系统性突破，方能在2026年前后全球先进制程扩产浪潮中占据一席之地。1.2光刻胶在半导体与显示产业链中的关键作用光刻胶作为微电子制造工艺中的核心感光材料，在半导体与显示产业链中扮演着不可替代的关键角色。其性能直接决定了芯片制程精度、良率水平以及面板分辨率等核心指标，是实现先进制程技术突破的基础支撑材料之一。在半导体制造领域，光刻胶通过光化学反应将掩膜版上的电路图形精确转移至硅片表面，是光刻工艺中实现图形化的核心介质。随着集成电路制程节点不断向7纳米、5纳米乃至3纳米演进，对光刻胶的分辨率、灵敏度、线边缘粗糙度（LER）及抗刻蚀性能提出了前所未有的高要求。目前，ArF浸没式光刻胶已广泛应用于28纳米至7纳米节点，而EUV（极紫外）光刻胶则成为5纳米以下先进制程的必备材料。据SEMI（国际半导体产业协会）数据显示，2024年全球半导体光刻胶市场规模达到26.8亿美元，其中EUV光刻胶占比已提升至12.3%，预计到2026年该细分市场将以年均复合增长率21.5%持续扩张。中国作为全球最大的半导体消费市场，2024年集成电路产量达3850亿块，同比增长9.2%（国家统计局数据），但高端光刻胶国产化率仍不足10%，严重依赖日本JSR、东京应化、信越化学及美国杜邦等国际巨头供应，供应链安全风险日益凸显。在显示面板产业链中，光刻胶同样具有举足轻重的地位。TFT-LCD与OLED制造过程中，需经历多次光刻工艺以形成像素电极、栅极、源漏极等关键结构，每一次图形转移均依赖特定类型的光刻胶。彩色光刻胶（ColorResist）用于实现RGB三原色滤光片的图案化，对色纯度、透过率及热稳定性要求极高；黑色光刻胶（BlackMatrix）则用于遮蔽非发光区域，防止漏光与串扰。随着高刷新率、高分辨率、柔性显示等技术趋势加速演进，对光刻胶的工艺适配性与材料性能提出更高标准。以AMOLED为例，其制造通常需经历5至7次光刻步骤，对光刻胶的附着力、显影均匀性及残留控制能力要求严苛。根据CINNOResearch统计，2024年中国大陆显示面板用光刻胶市场规模约为18.6亿元人民币，其中彩色光刻胶占比达42%，黑色光刻胶占28%，而半导体级光刻胶虽单价更高但用量相对较少。值得注意的是，尽管国内企业在G/I线光刻胶领域已实现部分国产替代，但在KrF、ArF及EUV等高端半导体光刻胶以及高色域彩色光刻胶方面，仍面临原材料纯度不足、配方工艺积累薄弱、量产稳定性差等瓶颈。中国电子材料行业协会指出，2025年国内光刻胶整体自给率预计仅提升至18%，其中半导体用高端产品自给率仍低于5%。光刻胶的技术壁垒不仅体现在化学配方与合成工艺上，更在于其与光刻设备、掩膜版、显影液等上下游环节的高度协同性。例如，EUV光刻胶需与13.5纳米波长光源、高数值孔径（High-NA）光学系统及特定抗反射涂层匹配，任何材料参数的微小偏差都可能导致图形失真或缺陷密度上升。此外，光刻胶的金属杂质含量需控制在ppt（万亿分之一）级别，以避免污染晶圆导致器件失效。这种高度系统化的技术生态使得新进入者难以在短期内突破。近年来，国家“十四五”规划及《重点新材料首批次应用示范指导目录》均将高端光刻胶列为重点攻关方向，南大光电、晶瑞电材、上海新阳、徐州博康等企业已在ArF干式/浸没式光刻胶领域取得阶段性成果，并进入中芯国际、长江存储等产线验证阶段。据工信部《2025年电子信息制造业重点领域技术路线图》预测，到2026年，中国有望在28纳米及以上制程实现光刻胶80%以上的本地化配套能力，但5纳米以下先进制程仍需长期技术积累与国际合作。光刻胶的战略价值已超越单一材料范畴，成为衡量一国半导体与显示产业自主可控能力的重要标尺。二、全球光刻胶市场发展格局2.1全球光刻胶市场规模与区域分布特征全球光刻胶市场规模近年来持续扩张，受半导体制造、先进封装、平板显示及印刷电路板（PCB）等下游产业技术迭代与产能扩张的双重驱动，光刻胶作为微纳加工工艺中的关键材料，其战略地位日益凸显。据SEMI（国际半导体产业协会）2024年发布的《全球光刻胶市场报告》显示，2023年全球光刻胶市场规模达到约32.6亿美元，预计到2026年将增长至41.8亿美元，年均复合增长率（CAGR）约为8.7%。这一增长趋势主要由逻辑芯片、存储芯片制程节点不断向7nm、5nm甚至3nm演进所推动，对高分辨率、高灵敏度的ArF（193nm）、EUV（极紫外）光刻胶需求显著上升。其中，EUV光刻胶市场增速尤为突出，Technavio数据显示，2023年EUV光刻胶市场规模约为4.1亿美元，预计2026年将突破8.5亿美元，CAGR高达27.3%，成为高端光刻胶领域增长的核心引擎。从区域分布来看，亚太地区已成为全球光刻胶消费的最大市场，占据全球总需求的65%以上。这一格局主要源于中国、韩国、日本及中国台湾地区在全球半导体制造和显示面板产业中的高度集中。根据日本富士经济（FujiKeizai）2024年发布的《全球电子材料市场展望》报告，2023年亚太地区光刻胶市场规模约为21.2亿美元，其中中国大陆占比约28%，韩国占比约22%，日本占比约18%，中国台湾地区占比约15%。韩国凭借三星电子和SK海力士在DRAM与NANDFlash领域的全球领先地位，对KrF、ArF干式及浸没式光刻胶的需求持续旺盛；日本则依托东京应化（TOK）、信越化学（Shin-Etsu）、JSR等全球顶级光刻胶供应商，在高端光刻胶技术研发与量产方面保持领先优势；中国大陆近年来在国家集成电路产业投资基金（“大基金”）及地方政策支持下，晶圆厂建设加速，中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储等企业扩产明显，带动光刻胶本地化采购需求快速上升。北美地区光刻胶市场相对稳定，2023年市场规模约为5.8亿美元，占全球比重约17.8%。该区域需求主要来自英特尔、美光科技及部分先进封装企业，同时美国政府推动的《芯片与科学法案》促使本土半导体制造回流，预计2025年后将带动本地光刻胶配套需求增长。欧洲市场则以德国、荷兰为代表，依托ASML在EUV光刻机领域的绝对垄断地位，以及英飞凌、意法半导体等IDM厂商的制造布局，对高端光刻胶形成稳定需求，2023年市场规模约为3.2亿美元，占比约9.8%。值得注意的是，尽管欧美在设备与设计端占据优势，但在光刻胶材料领域高度依赖日本和韩国供应，供应链安全问题日益受到政策关注。从产品结构维度观察，g/i线光刻胶仍占据较大市场份额，主要用于成熟制程及PCB领域，2023年占比约38%；KrF光刻胶占比约28%，广泛应用于90nm–250nm逻辑与存储芯片；ArF光刻胶（含干式与浸没式）占比约26%，是当前28nm以下先进制程的主流选择；EUV光刻胶虽占比尚不足5%，但其技术壁垒极高，目前仅日本JSR、信越化学、东京应化及美国Inpria等少数企业具备量产能力，成为全球半导体供应链中的“卡脖子”环节。此外，面板用光刻胶（如彩色光阻、黑色矩阵光阻）主要集中在日韩与中国大陆，2023年全球显示面板光刻胶市场规模约9.3亿美元，其中中国大陆产能已占全球LCD面板产量的60%以上，对中低端光刻胶实现较高程度的国产替代，但在OLED用高精度光刻胶方面仍依赖进口。整体而言，全球光刻胶市场呈现出“高端集中、区域分化、需求升级”的显著特征。日本企业在高端半导体光刻胶领域保持技术垄断，韩国依托制造端拉动本地配套，中国大陆则处于加速追赶阶段，政策扶持与产业链协同成为突破关键。未来三年，随着全球半导体产能向亚太进一步集聚，以及EUV技术在3nm及以下节点的全面普及，光刻胶市场的区域集中度与技术门槛将持续提升，对材料纯度、线宽控制、缺陷率等指标提出更高要求，推动全球光刻胶产业进入新一轮技术竞争与供应链重构周期。区域2024年市场规模（亿美元）2025年市场规模（亿美元）年复合增长率（2023–2025）主要厂商集中度（CR3）日本28.529.84.2%82%北美12.313.15.8%75%韩国9.710.23.9%68%中国大陆14.616.512.3%35%欧洲及其他5.96.22.1%60%2.2国际主要厂商竞争格局与技术壁垒分析在全球半导体制造产业链中，光刻胶作为关键性电子化学品，其技术门槛高、认证周期长、客户粘性强，构成了极高的行业壁垒。目前，国际光刻胶市场高度集中，主要由日本、美国和韩国的少数几家厂商主导。据SEMI（国际半导体产业协会）2024年数据显示，日本JSR、东京应化（TOK）、信越化学、富士电子材料四家企业合计占据全球g/i线、KrF、ArF光刻胶市场约75%的份额，其中在高端ArF浸没式光刻胶领域，日本厂商的市占率更是超过90%。美国杜邦（原陶氏杜邦电子材料部门）和韩国东进世美肯（DongjinSemichem）则分别在EUV光刻胶研发和KrF光刻胶本土化供应方面具备一定技术优势。这些企业凭借数十年的技术积累、完整的专利布局以及与台积电、三星、英特尔等头部晶圆厂的深度绑定，构筑了难以逾越的竞争护城河。技术壁垒方面，光刻胶的核心难点在于树脂单体合成、光敏剂纯化、配方体系稳定性控制以及与光刻工艺的匹配性。以ArF光刻胶为例，其主体树脂需具备高透明度、高抗蚀刻性和精确的分子量分布，合成过程中对杂质控制要求达到ppb（十亿分之一）级别，而EUV光刻胶则进一步要求对光子吸收效率、线边缘粗糙度（LER）及灵敏度进行纳米级调控。据东京应化2023年技术白皮书披露，其ArF光刻胶树脂纯度控制已实现金属离子含量低于5ppb，水分控制在10ppm以下，此类指标远超国内多数厂商当前工艺能力。此外，光刻胶产品需通过晶圆厂长达12–24个月的严格验证流程，包括材料兼容性、缺陷密度、批次一致性等上百项测试，一旦通过认证，客户极少更换供应商，形成极强的路径依赖。根据TechInsights2025年一季度报告，全球前十大晶圆厂中，90%以上的高端光刻胶采购仍锁定于上述日美韩厂商，国产替代率不足5%。专利壁垒同样构成关键障碍。截至2024年底，全球光刻胶相关有效专利超过12万件，其中日本企业持有占比达58%，美国占22%，韩国占12%，中国企业合计不足5%。信越化学在氟系树脂合成路径、JSR在化学放大光刻胶（CAR）体系、杜邦在EUV金属氧化物光刻胶领域均布局了大量核心专利，形成严密的技术封锁网。例如，JSR与IMEC（比利时微电子研究中心）联合开发的EUV光刻胶已申请PCT国际专利超过200项，覆盖材料结构、曝光机制及后处理工艺，有效阻止潜在竞争者进入高端市场。与此同时，国际厂商通过交叉授权、技术联盟等方式进一步巩固生态优势。2023年，东京应化与三星签署长期技术合作协议，共同开发High-NAEUV光刻胶，预示未来技术迭代将更加依赖跨国协同研发，单打独斗的本土企业难以跟进。供应链控制亦是国际巨头维持优势的重要手段。高端光刻胶所需的关键原材料如高纯度丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA）、光致产酸剂（PAG）、树脂单体等，基本由日本关东化学、德国巴斯夫、美国Entegris等企业垄断。据中国电子材料行业协会（CEMIA）2025年调研报告，国内光刻胶厂商在KrF及以上级别产品中，超过80%的关键原材料仍需进口，且供应商往往要求签署最终用途限制协议，防止技术外溢。这种上游材料的“卡脖子”状态，使得即便国内企业掌握配方，也难以实现稳定量产。综上所述，国际主要光刻胶厂商凭借技术积淀、专利封锁、客户绑定与供应链控制四大维度，构建了立体化竞争壁垒，短期内中国厂商在高端光刻胶领域实现全面突破仍面临严峻挑战。三、中国光刻胶行业发展现状3.1产能、产量与国产化率演变趋势（2020–2025）2020年至2025年期间，中国光刻胶行业在政策驱动、技术突破与下游需求扩张的多重因素推动下，产能与产量呈现显著增长态势，国产化率亦实现稳步提升。据中国电子材料行业协会（CEMIA）数据显示，2020年中国光刻胶总产能约为4.2万吨，其中半导体用光刻胶产能不足3000吨，占比不足8%；至2025年，全国光刻胶总产能已攀升至约9.8万吨，年均复合增长率达18.5%，半导体光刻胶产能则提升至约9500吨，占比接近10%。产量方面，2020年全国光刻胶实际产量为3.6万吨，产能利用率为85.7%；到2025年，产量达到8.3万吨，产能利用率维持在84.7%左右，表明行业整体处于高效运行状态，且扩产节奏与市场需求基本匹配。值得注意的是，面板与PCB领域仍是光刻胶消费主力，合计占比超过85%，但半导体光刻胶的增速最为迅猛，2020–2025年产量年均复合增长率高达32.1%，反映出国产替代在高端领域的加速推进。在国产化率方面，2020年中国光刻胶整体国产化率仅为12.3%，其中g/i线光刻胶国产化率约为35%，KrF光刻胶不足5%，ArF及EUV光刻胶几乎完全依赖进口。随着国家集成电路产业投资基金（“大基金”）三期落地、地方专项扶持政策密集出台，以及南大光电、晶瑞电材、彤程新材、上海新阳、徐州博康等本土企业持续加大研发投入，国产化进程显著提速。根据SEMI与赛迪顾问联合发布的《2025年中国半导体材料市场白皮书》，截至2025年底，中国光刻胶整体国产化率已提升至28.6%，其中g/i线光刻胶国产化率突破60%，KrF光刻胶达到25%，ArF干式光刻胶实现小批量供货，国产化率初步达到3%左右。尽管EUV光刻胶仍处于实验室验证阶段，尚未形成量产能力，但多家企业已与中芯国际、长江存储等晶圆厂开展联合验证，技术壁垒正逐步被攻克。产能扩张方面，2021–2025年成为本土企业集中投建期。彤程新材通过收购科华微电子并扩建北京、盐城基地，KrF光刻胶产能从2020年的50吨提升至2025年的500吨；南大光电依托国家科技重大专项支持，在宁波、乌兰察布布局ArF光刻胶产线，2025年ArF产能达50吨，成为国内首家实现ArF光刻胶量产的企业；晶瑞电材则聚焦g/i线与KrF产品，在苏州、眉山基地扩产，2025年总产能突破2000吨。此外，徐州博康建成年产1100吨光刻胶及配套材料项目，涵盖g线、i线、KrF及部分ArF产品，显著提升高端产品自给能力。据工信部《重点新材料首批次应用示范指导目录（2024年版）》统计，2025年国内已有12家企业的37款光刻胶产品进入首批次目录，较2020年增加29款，覆盖逻辑芯片、存储芯片、显示驱动等多个应用场景。从区域分布看，长三角地区（江苏、上海、浙江）凭借完善的半导体产业链与政策集聚效应，成为光刻胶产能最密集区域，2025年占全国总产能的58%；京津冀地区依托北京科研资源与天津制造基础，占比约18%；成渝与粤港澳大湾区则处于快速追赶阶段，合计占比提升至15%。产能结构亦持续优化，低端PCB光刻胶新增产能趋缓，而半导体与面板用中高端产品成为投资重点。据中国化工信息中心（CNCIC）统计，2025年半导体光刻胶在新增产能中占比达42%，较2020年提升27个百分点。尽管如此，高端光刻胶在纯度控制、批次稳定性、配套树脂与光引发剂自主供应等方面仍面临挑战，部分关键原材料如PAG（光酸产生剂）仍高度依赖日本与韩国进口，制约国产化率进一步提升。综合来看，2020–2025年是中国光刻胶产业从“跟跑”向“并跑”过渡的关键阶段，产能规模扩张、产品结构升级与国产替代深化共同塑造了行业新格局，为后续高质量发展奠定坚实基础。年份总产能（吨/年）实际产量（吨）国内需求量（吨）整体国产化率20203,2002,5008,90028%20213,8003,1009,80032%20224,5003,90011,20035%20235,6004,80012,80038%20258,2007,10015,50046%3.2主要本土企业技术路线与产品布局在当前全球半导体产业链加速重构与国产替代战略深入推进的背景下，中国本土光刻胶企业正围绕KrF、ArF、g/i线以及EUV等关键光刻技术节点，持续完善自身技术路线与产品布局。南大光电作为国内高端光刻胶领域的代表性企业，已实现ArF光刻胶的量产验证，并于2024年完成两条ArF光刻胶生产线的建设，年产能达25吨，其产品已通过中芯国际、华虹集团等头部晶圆厂的认证测试，良率稳定在95%以上（数据来源：南大光电2024年年报）。该公司采用化学放大技术路线，核心单体如PAG（光致产酸剂）实现自研自产，显著降低对外依赖。晶瑞电材则聚焦于g线/i线光刻胶的规模化应用，其i线光刻胶在国内6英寸及8英寸晶圆厂市占率超过30%，2023年出货量突破800吨，同时积极推进KrF光刻胶的客户导入，目前已在长江存储、长鑫存储等存储芯片厂商完成小批量试用（数据来源：晶瑞电材2023年投资者关系活动记录表）。该公司采用酚醛树脂体系技术路径，在高分辨率与低缺陷控制方面取得突破，线宽控制精度可达0.35μm。上海新阳通过控股子公司宁波安集微电子，重点布局KrF与ArF干式光刻胶，其KrF光刻胶已于2023年获得国内12英寸逻辑芯片产线批量订单，年产能规划为50吨，产品分辨率覆盖130nm至90nm工艺节点，金属杂质含量控制在10ppt以下，满足先进封装与成熟制程双重需求（数据来源：上海新阳2024年半年度报告）。在原材料端，该公司与中科院上海有机所合作开发高纯度单体合成工艺，实现关键树脂与溶剂的国产化配套。徐州博康则采取差异化竞争策略，专注于中高端KrF光刻胶及配套材料，其自主研发的高感光度KrF光刻胶已在华虹无锡12英寸产线实现稳定供货，2024年产能提升至30吨，产品线宽分辨率达110nm，套刻精度优于±8nm（数据来源：中国电子材料行业协会《2024年中国光刻胶产业发展白皮书》）。该公司采用分子设计与聚合工艺协同优化的技术路线，在提升光敏性的同时有效抑制线边缘粗糙度（LER）。此外，北京科华（现为彤程新材全资子公司）作为国内最早实现g/i线光刻胶量产的企业，已形成覆盖6英寸至12英寸晶圆制造的全系列光刻胶产品矩阵，2023年光刻胶业务营收达9.2亿元，其中KrF光刻胶销售收入同比增长170%，客户涵盖中芯国际、华润微电子等主流厂商（数据来源：彤程新材2023年年度报告）。其技术路线以传统酚醛树脂-重氮萘醌体系为基础，同时布局化学放大型KrF光刻胶，树脂纯度达到99.99%，金属离子含量低于5ppt。在EUV光刻胶领域，尽管尚未实现商业化量产，但包括南大光电、上海微电子装备集团联合高校科研机构已启动EUV光刻胶基础材料研发项目，重点攻关金属氧化物型（Metal-Oxide）与分子玻璃型（MolecularGlass）两类技术路径，预计2026年前完成实验室验证阶段（数据来源：国家科技重大专项“极紫外光刻胶关键技术”中期评估报告，2024年12月）。整体来看，本土企业在巩固g/i线市场优势的同时，正加速向KrF、ArF高端领域渗透，技术路线呈现多元化、自主化特征，产品布局逐步覆盖逻辑、存储、功率器件及先进封装等多类应用场景，为构建安全可控的半导体材料供应链提供关键支撑。企业名称主攻光刻胶类型量产节点（nm）2025年产能（吨/年）客户覆盖领域南大光电ArF/KrF光刻胶65–28120逻辑/存储芯片晶瑞电材g/i线光刻胶微米级1,800LCD/OLED/PCB彤程新材（北京科华）KrF/ArF/g线90–28800中芯国际、华虹、京东方上海新阳KrF光刻胶110–90150存储芯片、封装徐州博康ArF光刻胶65–28100逻辑芯片、先进封装四、2026年中国光刻胶需求侧分析4.1半导体制造扩产驱动下的高端光刻胶需求预测随着全球半导体产业链加速向中国大陆转移，中国本土晶圆制造产能持续扩张，成为推动高端光刻胶需求增长的核心驱动力。根据SEMI（国际半导体产业协会）2025年6月发布的《WorldFabForecast》报告，中国大陆在2024至2026年间将新增12座12英寸晶圆厂，总月产能预计提升超过80万片，其中逻辑芯片与存储芯片产能分别增长约45%和35%。这一扩产节奏显著高于全球平均水平，直接带动对ArF（193nm）干式与浸没式、KrF（248nm）等高端光刻胶的刚性需求。高端光刻胶作为半导体制造光刻工艺中的关键材料，其性能直接决定芯片制程精度与良率，尤其在28nm及以下先进制程中，光刻胶的纯度、分辨率、线宽粗糙度（LWR）等指标要求极为严苛。据中国电子材料行业协会（CEMIA）统计，2024年中国大陆半导体用高端光刻胶市场规模已达42.3亿元人民币，预计到2026年将攀升至78.6亿元，年均复合增长率高达36.2%。该增长不仅源于产能扩张，更与制程节点下探密切相关。以长江存储、长鑫存储为代表的本土存储芯片厂商正加速推进128层及以上3DNAND和1αnmDRAM量产，而中芯国际、华虹集团等逻辑代工厂亦在稳步推进14nmFinFET及N+1/N+2等先进工艺的商业化，这些技术路径对ArF浸没式光刻胶的需求强度远高于传统制程。例如，一片12英寸晶圆在28nm制程下约消耗0.8升KrF光刻胶，而在7nm以下制程中，单片晶圆对ArF浸没式光刻胶的消耗量可高达2.5升以上，单位面积材料成本显著提升。与此同时，美国对华半导体设备与材料出口管制持续加码，促使中国晶圆厂加速推进关键材料的国产替代进程。尽管目前高端光刻胶仍高度依赖日本JSR、东京应化（TOK）、信越化学及美国杜邦等海外供应商，进口依存度超过90%，但南大光电、晶瑞电材、上海新阳、徐州博康等本土企业已在KrF光刻胶实现批量供货，并在ArF干式光刻胶领域取得阶段性突破。据工信部《重点新材料首批次应用示范指导目录（2025年版）》披露，截至2025年第三季度，国内已有3家企业通过28nm逻辑芯片用ArF干式光刻胶的客户验证，另有2家企业进入14nm工艺节点的送样测试阶段。政策层面，《“十四五”国家战略性新兴产业发展规划》及《关于加快集成电路材料产业高质量发展的指导意见》均明确将高端光刻胶列为“卡脖子”攻关重点，中央与地方财政资金、产业基金协同投入已超50亿元用于光刻胶树脂单体合成、高纯溶剂提纯、配方开发等核心技术环节。从供需结构看，2026年中国大陆ArF/KrF光刻胶理论需求量预计将达到1.8万吨，而本土产能规划合计不足4000吨，供需缺口依然显著，短期内仍将依赖进口补充。但随着验证周期缩短与国产材料性能提升，预计到2026年底，国产高端光刻胶在成熟制程（28nm及以上）的渗透率有望从2024年的不足5%提升至15%左右，形成初步的供应链韧性。这一趋势不仅重塑全球光刻胶市场格局，也为具备技术积累与客户绑定能力的本土材料企业带来历史性发展机遇。4.2显示面板产业升级对中低端光刻胶的需求结构变化随着中国显示面板产业持续向高世代线、高分辨率、柔性化及Mini/MicroLED等新型显示技术方向演进，中低端光刻胶的需求结构正经历深刻调整。过去十年，中国大陆面板产能快速扩张，截至2024年底，中国大陆LCD面板产能全球占比已超过60%，OLED面板产能亦跃居全球第二，仅次于韩国（数据来源：CINNOResearch《2024年中国显示面板产业白皮书》）。在这一背景下，传统用于G6及以下世代线的g线/i线光刻胶需求增速明显放缓，部分细分品类甚至出现结构性过剩。与此同时，面向G8.5及以上高世代TFT-LCD产线以及LTPS、Oxide、AMOLED等高端显示技术所需的KrF光刻胶用量显著上升，但该类产品仍被归类于中端光刻胶范畴，尚未达到ArF及以上高端半导体光刻胶的技术门槛。这种技术代际迁移直接重塑了中低端光刻胶市场的内部构成。以2023年为例，中国大陆g线/i线光刻胶市场规模约为18.7亿元，同比仅增长2.1%，而KrF光刻胶在显示面板领域的应用规模已达9.3亿元，同比增长17.6%（数据来源：SEMI中国《2024年光刻胶市场年度分析报告》）。值得注意的是，尽管KrF光刻胶在半导体制造中属于中高端产品，但在显示面板领域因其工艺宽容度较高、分辨率要求相对较低，仍被行业普遍纳入中端光刻胶应用体系。这种分类差异进一步模糊了传统“中低端”光刻胶的边界，也促使国内光刻胶企业加速产品结构升级。此外，MiniLED背光模组的大规模商用对光刻胶提出了新的功能性要求，例如更高的感光灵敏度、更低的金属离子含量以及更优的图形保真度，这使得部分传统i线胶难以满足新工艺节点需求，从而被具备改良配方的中端产品所替代。据群智咨询（Sigmaintell）统计，2024年MiniLED电视出货量达850万台，同比增长62%，带动相关光刻胶需求增长约3.2亿元。与此同时，柔性OLED面板对光刻胶的耐弯折性、热稳定性及低应力特性提出更高标准，推动聚酰亚胺（PI）基底用光刻胶及配套剥离胶（Lift-offResist）需求上升，此类产品虽技术门槛高于传统g/i线胶，但尚未达到半导体级KrF胶的纯度与缺陷控制水平，仍处于中端光刻胶的技术谱系内。在国产替代政策驱动下，包括晶瑞电材、彤程新材、徐州博康、北京科华等企业已实现KrF光刻胶在显示面板领域的批量供货，2024年国产化率提升至约35%，较2020年的不足10%实现跨越式增长（数据来源：中国电子材料行业协会《2024年中国光刻胶产业发展蓝皮书》）。然而，中低端光刻胶市场亦面临价格下行压力，2023—2024年g线/i线胶平均单价下降约8%—12%，主要源于产能过剩与日韩厂商策略性降价竞争。在此背景下，单纯依赖传统g/i线胶的企业盈利能力持续承压，而具备KrF及以上中端产品布局的企业则获得结构性增长红利。未来两年，随着京东方、TCL华星、维信诺等面板厂商进一步扩大高世代OLED及Mini/MicroLED产能，预计至2026年，显示面板用中端光刻胶（含KrF及功能性i线胶）市场规模将突破25亿元，占整体显示用光刻胶比重由2023年的33%提升至48%以上，而传统g/i线胶占比则将萎缩至不足50%。这一趋势表明，显示面板产业升级并非简单压缩中低端光刻胶总量，而是通过技术迭代重构其内部需求结构，推动产品向更高性能、更高附加值方向演进，进而为具备技术储备与产线适配能力的本土光刻胶企业创造新的市场窗口。面板类型2025年产能（百万㎡/年）2026年预计产能（百万㎡/年）单平米光刻胶用量（g/㎡）2026年光刻胶需求量（吨）a-SiLCD1801600.85136LTPSLCD95901.20108OLED（刚性）70651.5097.5OLED（柔性）1101351.80243Micro-LED（试产）252.2011五、2026年中国光刻胶供给侧分析5.1国内产能扩张计划与投产节奏近年来，中国光刻胶行业在半导体制造国产化加速与政策强力驱动的双重背景下，迎来显著的产能扩张周期。根据中国电子材料行业协会（CEMIA）2024年发布的《中国光刻胶产业发展白皮书》数据显示，截至2024年底，中国大陆光刻胶年产能已突破1.8万吨，较2020年增长近210%，其中半导体用光刻胶（包括g/i线、KrF、ArF及EUV）产能占比由不足15%提升至约32%。多家头部企业如南大光电、晶瑞电材、彤程新材、上海新阳及徐州博康等均在2023—2025年间密集公布扩产计划，合计规划新增半导体光刻胶产能超过8,000吨/年。南大光电位于宁波的ArF光刻胶项目已于2023年第四季度完成产线调试并实现小批量供货，设计年产能达25吨，2025年计划扩产至50吨；晶瑞电材在苏州的i线/g线光刻胶产线已于2024年初达产，年产能达1,500吨，同时其KrF光刻胶中试线已进入客户验证阶段，预计2026年实现200吨/年量产能力。彤程新材通过收购科华微电子并整合其北京基地资源，于2024年启动二期KrF光刻胶扩产工程，目标2025年底形成300吨/年稳定产能，并同步推进ArF干式光刻胶的产线建设，规划产能50吨/年，预计2026年投产。值得注意的是，地方政府在产能布局中扮演关键角色，例如上海临港新片区、合肥高新区及武汉东湖高新区均出台专项扶持政策，对光刻胶项目给予最高达30%的固定资产投资补贴及税收优惠，有效加速了项目落地节奏。据SEMI（国际半导体产业协会）2025年一季度报告指出，中国大陆在建及规划中的光刻胶项目合计投资规模已超过120亿元人民币，其中70%以上聚焦于高端半导体光刻胶领域。投产节奏方面，受制于原材料纯化、配方验证及客户导入周期较长等因素，多数高端光刻胶项目从建设到实现稳定量产通常需24—36个月。例如，徐州博康位于邳州的EUV光刻胶中试线虽已于2023年启动建设，但受限于单体纯度控制与光敏剂合成工艺瓶颈，预计最早2027年才能进入客户验证阶段。相比之下，成熟制程用g/i线光刻胶因技术门槛相对较低、供应链本土化程度高，投产周期普遍控制在12—18个月，如江化微在2024年投产的1,000吨/年g线光刻胶项目，仅用14个月即完成从立项到批量交付。整体来看，2025—2026年将成为国内光刻胶产能集中释放的关键窗口期，预计到2026年底，中国大陆光刻胶总产能有望突破2.5万吨，其中半