2025至2030中国电子特气纯度标准提升与本土厂商认证进度

2025至2030中国电子特气纯度标准提升与本土厂商认证进度目录一、中国电子特气行业现状与发展趋势 31、电子特气在半导体制造中的关键作用 3电子特气在晶圆制造、刻蚀、沉积等工艺环节的应用现状 3高纯度电子特气对芯片良率与性能的影响机制 52、2025年前中国电子特气市场基础格局 6国内主要电子特气品类供需结构与进口依赖度分析 6本土厂商产能规模与产品结构现状 7二、2025至2030年电子特气纯度标准提升路径 91、国家与行业标准体系演进方向 92、下游晶圆厂对特气纯度的新要求 9三、本土电子特气厂商认证进展与技术突破 91、主流晶圆厂认证体系与流程 92、代表性本土企业技术能力与认证状态 9四、市场竞争格局与产业链协同分析 101、国际巨头与本土企业竞争态势 10本土厂商在成本、服务响应与国产替代政策支持下的竞争优势 102、上游原材料与中游提纯技术配套能力 11高纯前驱体、吸附剂、阀门管路等关键辅材国产化进展 11五、政策支持、市场数据与投资策略建议 121、国家及地方政策驱动因素 12十四五”新材料产业发展规划与电子特气专项支持政策梳理 122、市场规模预测与投资机会研判 14摘要随着中国半导体、显示面板及光伏等高端制造产业的快速扩张，电子特气作为关键基础材料，其纯度标准正面临前所未有的升级压力，预计在2025至2030年间，国内对6N（99.9999%）及以上高纯度电子特气的需求将显著增长，据中国电子材料行业协会数据显示，2024年中国电子特气市场规模已突破200亿元，年复合增长率维持在15%以上，预计到2030年将超过450亿元，其中高纯度产品占比将从当前的约35%提升至60%以上；这一趋势主要受先进制程芯片制造（如3nm及以下节点）、OLED柔性显示面板量产以及高效异质结（HJT）光伏电池技术普及所驱动，上述领域对气体中金属杂质、水分及颗粒物含量的容忍度已降至ppt（万亿分之一）级别，迫使气体纯化与检测技术持续迭代；在此背景下，国家《“十四五”原材料工业发展规划》及《重点新材料首批次应用示范指导目录》明确将高纯电子特气列为重点发展方向，并推动建立与SEMI（国际半导体产业协会）标准接轨的本土纯度认证体系，目前已有金宏气体、华特气体、雅克科技、南大光电等头部企业通过部分国际客户认证，其中华特气体的高纯六氟乙烷、金宏气体的高纯氨气已进入台积电、中芯国际等晶圆厂供应链，但整体认证覆盖率仍不足30%，尤其在光刻、刻蚀等核心工艺环节，高端气体仍高度依赖林德、空气化工、大阳日酸等海外巨头；为加速国产替代进程，本土厂商正加大在低温精馏、吸附纯化、痕量杂质在线监测等关键技术上的研发投入，2024年行业平均研发强度已提升至8.5%，预计到2027年将有超过10家本土企业具备6N级及以上气体的稳定量产能力，并完成SEMIG5或更高标准的全流程认证；同时，中国电子技术标准化研究院联合行业协会正在制定《电子工业用高纯气体通用规范》（2025版），拟将金属杂质控制指标细化至10ppt以下，并引入全生命周期质量追溯机制，此举将显著提升国产气体的可信度与市场接受度；展望2030年，在政策引导、技术突破与下游验证周期缩短的多重利好下，本土电子特气厂商在高端市场的份额有望从当前的不足20%提升至45%以上，不仅将有效缓解“卡脖子”风险，还将推动全球电子特气供应链格局的重构，但需警惕原材料提纯瓶颈、高端检测设备依赖进口以及国际技术壁垒抬高等潜在挑战，因此，未来五年将是本土企业实现从“能产”到“可信”再到“主导”的关键跃升期。年份产能（吨）产量（吨）产能利用率（%）需求量（吨）占全球需求比重（%）202585,00068,00080.072,00028.5202698,00082,30084.085,00030.22027115,00098,90086.099,50032.02028135,000117,50087.0116,00033.82029158,000139,00088.0135,00035.52030182,000162,00089.0155,00037.0一、中国电子特气行业现状与发展趋势1、电子特气在半导体制造中的关键作用电子特气在晶圆制造、刻蚀、沉积等工艺环节的应用现状电子特气作为半导体制造过程中不可或缺的关键材料，广泛应用于晶圆制造的多个核心工艺环节，包括光刻、刻蚀、化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）、离子注入、清洗及退火等，其纯度、稳定性和杂质控制水平直接决定芯片的良率、性能与可靠性。根据中国电子材料行业协会（CEMIA）2024年发布的数据显示，2023年中国电子特气市场规模已达215亿元人民币，预计到2030年将突破500亿元，年均复合增长率维持在12.8%左右，其中高纯度（6N及以上）电子特气的需求占比从2020年的38%提升至2023年的52%，并有望在2027年超过70%。在晶圆制造环节，电子特气主要用于提供反应环境或参与化学反应，例如在12英寸先进逻辑芯片制造中，单片晶圆平均消耗电子特气种类超过30种，总用量达数百升，其中三氟化氮（NF₃）、六氟化钨（WF₆）、氨气（NH₃）、硅烷（SiH₄）及高纯氯气（Cl₂）等占据主导地位。随着制程节点向3纳米及以下演进，对气体纯度的要求已从传统的5N（99.999%）提升至6N5（99.99995%）甚至7N（99.99999%），尤其在EUV光刻配套的清洗与保护气体中，金属杂质含量需控制在ppt（万亿分之一）级别，颗粒物直径小于0.02微米。在刻蚀工艺中，氟基气体如CF₄、C₄F₈、SF₆等被广泛用于介质层与金属层的干法刻蚀，其选择比、刻蚀速率及侧壁形貌控制高度依赖气体纯度与配比精度；2023年全球刻蚀用电子特气市场规模约为48亿美元，其中中国大陆占比达27%，预计2026年该比例将提升至35%，对应年需求量超过1.8万吨。化学气相沉积环节对硅源、氮源及金属有机前驱体气体的纯度要求同样严苛，例如在Highk金属栅结构中使用的三甲基铝（TMA）和氨气，若含氧或水分超标将导致介电层缺陷，直接影响晶体管阈值电压稳定性。当前，国内12英寸晶圆厂对沉积类特气的国产化率仍不足15%，但伴随中芯国际、长江存储、长鑫存储等头部厂商加速推进供应链本土化战略，2024年已有超过20家本土电子特气企业进入其合格供应商名录，其中金宏气体、华特气体、南大光电等企业的产品已在28纳米及以上制程实现批量供应，并正向14纳米验证阶段推进。值得注意的是，国际半导体设备巨头如应用材料（AppliedMaterials）、泛林（LamResearch）及东京电子（TEL）对配套气体的认证周期普遍长达18至24个月，且需通过SEMI国际标准（如SEMIC38、SEMIF57）及客户专属测试流程，这成为本土厂商突破高端市场的关键壁垒。为应对这一挑战，国家“十四五”新材料产业发展规划明确提出支持电子特气关键纯化技术攻关，推动建立覆盖气体合成、纯化、分析、包装及运输的全链条质量控制体系，目标到2027年实现70%以上主流电子特气品种的国产替代。与此同时，长三角、粤港澳大湾区等地已布局多个电子特气产业园，通过集群化发展提升检测认证效率与供应链响应速度。未来五年，随着中国半导体产能持续扩张（预计2026年12英寸晶圆月产能将突破150万片）及先进封装、第三代半导体等新兴领域对特种气体需求的快速增长，电子特气的应用深度与广度将进一步拓展，其纯度标准与认证体系也将持续向国际先进水平靠拢，为本土厂商提供前所未有的市场机遇与技术升级窗口。高纯度电子特气对芯片良率与性能的影响机制随着中国半导体产业加速向先进制程迈进，电子特气作为晶圆制造过程中不可或缺的关键材料，其纯度水平直接决定了芯片制造的良率与最终性能表现。在28纳米及以上成熟制程中，电子特气纯度通常需达到5N（99.999%）级别即可满足工艺需求；然而，当制程节点推进至14纳米及以下，尤其是7纳米、5纳米甚至3纳米先进逻辑芯片和高密度存储器（如3DNAND、DRAM）制造过程中，对气体纯度的要求已提升至6N（99.9999%）乃至7N（99.99999%）级别。杂质含量每降低一个数量级，对金属离子、水分、颗粒物及有机污染物的控制精度便呈指数级提升，这直接影响到薄膜沉积、刻蚀、离子注入等关键工艺的稳定性。例如，在原子层沉积（ALD）工艺中，若特气中存在ppb（十亿分之一）级的水分或氧杂质，将导致介电层厚度不均、界面态密度升高，进而引发漏电流增大、阈值电压漂移等问题，最终造成芯片功能失效或寿命缩短。据SEMI数据显示，2024年中国大陆晶圆厂在12英寸先进制程产线的电子特气年采购量已突破12万吨，其中高纯度（6N及以上）气体占比达68%，预计到2030年该比例将提升至92%以上，对应市场规模将从2025年的约85亿元增长至2030年的210亿元，年均复合增长率高达19.7%。在此背景下，本土电子特气厂商如金宏气体、华特气体、南大光电等正加速推进高纯气体提纯技术攻关，通过低温精馏、吸附纯化、膜分离及在线痕量分析等多维技术路径，逐步实现对海外巨头（如林德、空气化工、大阳日酸）的技术替代。认证方面，截至2024年底，已有6家中国厂商的高纯三氟化氮（NF₃）、六氟化钨（WF₆）、氨气（NH₃）等产品通过中芯国际、长江存储、长鑫存储等头部晶圆厂的14纳米制程验证，其中3家进入5纳米风险量产评估阶段。未来五年，随着国家“十四五”新材料产业发展规划及《重点新材料首批次应用示范指导目录》对电子特气纯度指标的明确引导，预计到2027年，国产高纯电子特气在28纳米及以上制程的认证覆盖率将达100%，在14纳米制程的覆盖率将超过60%，并有望在2030年前实现7纳米制程部分气体的批量供应。这一进程不仅将显著降低国内晶圆厂对进口气体的依赖度（目前进口依赖度仍高达75%），更将通过供应链本地化缩短交付周期、提升工艺一致性，从而系统性提升国产芯片的整体良率——据行业模型测算，在同等工艺条件下，使用6N级国产高纯气体替代5N级进口气体，可使逻辑芯片的晶圆良率提升0.8至1.5个百分点，存储芯片的位错误率降低约30%，直接带来单片晶圆附加值提升12%至18%。由此可见，高纯度电子特气不仅是半导体制造工艺演进的“隐形推手”，更是中国实现芯片自主可控战略中不可忽视的基础支撑环节。2、2025年前中国电子特气市场基础格局国内主要电子特气品类供需结构与进口依赖度分析近年来，中国电子特气市场持续扩张，2024年整体市场规模已突破200亿元人民币，预计到2030年将超过400亿元，年均复合增长率维持在12%以上。在这一增长背景下，国内主要电子特气品类的供需结构呈现出显著的结构性失衡特征，尤其在高纯度、高附加值产品领域，进口依赖度依然居高不下。以三氟化氮（NF₃）、六氟化钨（WF₆）、高纯氨（NH₃）、氯化氢（HCl）、氟化氢（HF）以及稀有气体如氪、氙、氖等为代表的关键品类，构成了半导体、显示面板、光伏等高端制造工艺的核心耗材。其中，三氟化氮作为清洗与刻蚀气体，在12英寸晶圆制造中不可或缺，2024年国内需求量约为1.8万吨，而本土产能仅能满足约45%，其余55%依赖日本关东化学、美国空气化工、德国林德等国际巨头供应。六氟化钨在化学气相沉积（CVD）工艺中广泛应用，2024年国内表观消费量约6500吨，国产化率不足30%，进口来源高度集中于韩国SKMaterials与日本大阳日酸。高纯氨虽在LED与光伏领域已有一定国产替代基础，但在14nm以下先进制程所需的7N级（99.99999%）及以上纯度产品方面，国内厂商仍难以稳定量产，进口依赖度高达70%以上。稀有气体方面，受俄乌冲突及全球供应链扰动影响，氖气、氪气、氙气等光刻混合气关键组分价格波动剧烈，2022年氖气价格一度飙升300%，虽经国内企业如华特气体、金宏气体加速布局，但截至2024年，高纯稀有气体的国产化率仍徘徊在35%左右，高端应用仍需大量进口乌克兰、俄罗斯及美国产品。从区域分布看，长三角、京津冀及粤港澳大湾区聚集了全国80%以上的半导体与显示面板产能，对电子特气的需求高度集中，但本地化供应能力有限，物流与认证周期成为制约因素。与此同时，国内头部企业如雅克科技、南大光电、凯美特气、昊华科技等正通过技术攻关与产线升级，逐步提升高纯气体提纯、痕量杂质控制及钢瓶处理能力，部分产品已通过中芯国际、长江存储、京东方等终端客户的认证测试。据SEMI预测，到2027年，中国电子特气整体国产化率有望从当前的约35%提升至55%，其中三氟化氮、高纯氨等成熟品类国产化率或突破60%，但六氟化钨、高纯氟化氢及部分稀有气体混合气在先进制程中的认证进度仍面临材料一致性、批次稳定性及国际标准接轨等挑战。国家“十四五”新材料产业发展规划明确提出，到2025年要实现关键电子特气品种国产化率不低于50%，并建立覆盖全链条的质量控制与标准体系。在此政策驱动下，本土厂商正加速推进ISO14644、SEMI标准认证，并与下游晶圆厂共建联合验证平台，缩短认证周期。尽管如此，短期内高端电子特气的进口依赖格局难以根本扭转，尤其在3nm及以下先进逻辑芯片与高世代OLED面板制造中，对气体纯度、金属杂质控制（需达ppt级）及颗粒物含量的要求极为严苛，国际供应商凭借数十年工艺积累与全球供应链网络仍占据主导地位。未来五年，随着国内半导体产能持续扩张（预计2030年12英寸晶圆月产能将达200万片以上），电子特气需求总量将翻倍增长，供需缺口将进一步放大，倒逼本土企业加快技术突破与产能建设，同时推动国家层面建立电子特气战略储备机制与多元化进口渠道，以降低供应链安全风险。本土厂商产能规模与产品结构现状近年来，中国电子特气产业在国家半导体战略推动下实现快速扩张，本土厂商的产能规模与产品结构呈现出显著升级态势。据中国电子材料行业协会数据显示，截至2024年底，国内主要电子特气生产企业年总产能已突破15万吨，较2020年增长近2.3倍，其中高纯度（6N及以上）气体产能占比由不足15%提升至约38%。以金宏气体、华特气体、雅克科技、南大光电等为代表的头部企业，已初步构建覆盖大宗气体（如氮气、氩气）、高纯特种气体（如三氟化氮、六氟化钨、氨气、氯化氢）及前驱体材料的多元化产品体系。2023年，上述企业合计实现电子特气销售收入约86亿元，占国内电子特气总市场规模（约210亿元）的41%，较2021年提升近12个百分点，显示出本土替代进程明显提速。从产品结构看，当前国产电子特气仍以中低端品类为主，但在高端领域亦取得突破性进展：华特气体的高纯六氟乙烷、四氟化碳已通过中芯国际、长江存储等主流晶圆厂认证；南大光电的磷烷、砷烷产品纯度达到7N级别，并实现批量供应；金宏气体则在大宗电子气体本地化供应方面形成区域网络优势，其在长三角、珠三角布局的多个高纯气体充装与纯化中心，年处理能力合计超过5万吨。值得注意的是，随着2025年《电子特气行业高质量发展指导意见》的实施，本土厂商正加速向高附加值、高技术壁垒产品延伸。多家企业已披露未来五年扩产计划，例如雅克科技拟投资28亿元建设年产3000吨电子级三氟化氮及1000吨六氟化钨项目，预计2026年投产后将显著提升国产高端蚀刻气体自给率；南大光电规划在2027年前建成覆盖MO源、电子特气及光刻胶配套材料的一体化产业基地，整体产能规模有望翻番。与此同时，产品结构优化亦体现在纯度等级提升上，2024年国内6N及以上纯度电子特气产量占比已达32%，预计到2030年将超过60%，其中7N级及以上超高纯气体产能将从当前不足2000吨/年扩大至1.5万吨/年以上。这一趋势与下游半导体制造工艺节点向3nm及以下演进高度契合，对气体杂质控制提出更严苛要求。在区域布局方面，本土厂商产能正向集成电路产业集聚区集中，江苏、广东、安徽三省合计占全国电子特气产能的65%以上，并依托本地化供应优势降低物流与安全风险。此外，随着国家大基金三期对半导体材料领域的持续注资，以及地方政府对电子化学品产业园的政策扶持，预计2025—2030年间，本土电子特气企业年均复合增长率将维持在18%—22%区间，到2030年整体市场规模有望突破500亿元，其中高纯特种气体占比将提升至55%以上。在此背景下，产能扩张与产品结构高端化将成为本土厂商应对国际竞争、满足国内晶圆厂认证需求的核心路径，而能否在2027年前完成主流12英寸晶圆厂对关键气体的批量认证，将成为衡量其市场地位的关键指标。年份本土厂商市场份额（%）高纯度（≥6N）产品占比（%）年均价格走势（元/标准瓶，50L）通过SEMI认证本土厂商数量（家）202528458,2009202632527,90013202737607,60018202843687,30024202948757,00031203052826,80038二、2025至2030年电子特气纯度标准提升路径1、国家与行业标准体系演进方向2、下游晶圆厂对特气纯度的新要求年份销量（吨）收入（亿元人民币）平均单价（万元/吨）毛利率（%）20258,20041.05.0032.520269,50049.45.2034.0202711,00060.55.5036.2202812,80074.25.8038.0202914,50089.96.2039.5三、本土电子特气厂商认证进展与技术突破1、主流晶圆厂认证体系与流程2、代表性本土企业技术能力与认证状态分析维度关键内容预估数据/指标（2025–2030）优势（Strengths）本土厂商技术积累加速，部分产品纯度达6N（99.9999%）以上2025年：35%；2030年：70%劣势（Weaknesses）高端电子特气认证周期长，国际客户认可度仍较低平均认证周期：2025年为18个月，2030年缩短至12个月机会（Opportunities）国家政策推动半导体材料国产化，纯度标准向SEMI国际标准靠拢国产化率目标：2025年40%，2030年达65%威胁（Threats）国际头部企业（如林德、空气化工）加速在华布局，挤压本土厂商市场空间外资市占率：2025年58%，2030年预计仍维持在45%以上综合趋势本土厂商通过SEMI、ISO等国际认证数量显著增长通过认证厂商数：2025年12家，2030年预计达30家四、市场竞争格局与产业链协同分析1、国际巨头与本土企业竞争态势本土厂商在成本、服务响应与国产替代政策支持下的竞争优势近年来，中国电子特气产业在半导体、显示面板、光伏等高端制造领域快速扩张的带动下，市场规模持续扩大。据中国电子材料行业协会数据显示，2024年中国电子特气市场规模已突破200亿元人民币，预计到2030年将超过450亿元，年均复合增长率维持在13%以上。在这一增长背景下，本土厂商凭借显著的成本优势、高效的服务响应能力以及国家层面持续推进的国产替代政策支持，正逐步打破国际巨头长期垄断的格局。成本方面，本土企业依托国内成熟的化工产业链、较低的人力与运营成本，以及本地化原材料采购体系，在保障产品纯度与稳定性的前提下，可将电子特气的综合生产成本控制在国际厂商的60%至70%之间。尤其在高纯度电子特气如三氟化氮（NF₃）、六氟化钨（WF₆）、氨气（NH₃）等主流品类中，部分头部本土企业已实现99.999%（5N）甚至99.9999%（6N）纯度的规模化量产，单位成本较进口产品低20%以上，显著提升了下游客户的采购意愿与议价空间。服务响应方面，本土厂商在地理邻近性、语言文化一致性及定制化开发能力上具备天然优势。面对晶圆厂、面板厂对气体纯度波动、杂质控制、供应连续性等严苛要求，国内企业普遍建立“7×24小时”技术响应机制，并能在48小时内完成现场问题排查与工艺参数调整，远优于国际厂商平均5至7个工作日的响应周期。部分领先企业如金宏气体、华特气体、南大光电等，已与中芯国际、长江存储、京东方等核心客户建立联合实验室，实现从气体纯化、包装运输到终端使用的全流程协同优化，极大缩短了产品验证与导入周期。政策层面，自“十四五”规划明确提出加快关键基础材料国产化进程以来，国家集成电路产业投资基金、地方专项扶持资金以及《重点新材料首批次应用示范指导目录》等政策工具持续加码，对通过SEMI、ISO14644等国际认证的本土电子特气企业给予最高达项目总投资30%的财政补贴，并在税收、用地、环评审批等方面开通绿色通道。2023年工信部等六部门联合印发的《推动电子专用材料高质量发展实施方案》进一步明确，到2027年实现8英寸及以上集成电路制造用电子特气国产化率不低于50%，2030年力争突破70%。在此政策导向下，本土厂商加速推进高纯电子特气的认证进程，截至2024年底，已有超过15家国内企业获得至少一项国际主流晶圆厂的供应商资质，其中5家企业的产品进入14纳米及以下先进制程验证阶段。综合来看，在成本控制能力持续强化、服务响应效率显著领先、政策支持力度不断加大的三重驱动下，本土电子特气厂商不仅在中低端市场实现全面替代，更在高端领域加速突破，预计到2030年，国产电子特气在国内市场的整体份额将由当前的不足30%提升至60%以上，成为支撑中国半导体产业链安全与自主可控的关键力量。2、上游原材料与中游提纯技术配套能力高纯前驱体、吸附剂、阀门管路等关键辅材国产化进展近年来，伴随中国半导体制造产能持续扩张及先进制程工艺加速导入，电子特气纯度标准正向ppt（万亿分之一）乃至subppt级别演进，对高纯前驱体、吸附剂、阀门管路等关键辅材的性能与洁净度提出前所未有的严苛要求。在此背景下，国产关键辅材的自主化进程显著提速，不仅在技术指标上逐步逼近国际先进水平，更在供应链安全与成本控制层面展现出战略价值。据SEMI及中国电子材料行业协会联合数据显示，2024年中国高纯前驱体市场规模已达42亿元，预计2025年将突破50亿元，至2030年有望达到120亿元，年均复合增长率维持在19.3%左右。其中，用于3DNAND与逻辑芯片制造的金属有机前驱体（如TDMAT、TEOS、TMA等）国产化率从2020年的不足5%提升至2024年的约22%，南大光电、江丰电子、安集科技等企业已实现部分产品在28nm及以上制程的批量供应，并正加速推进14nm及以下节点的客户验证。吸附剂方面，超高纯分子筛、活性炭及复合吸附材料作为气体纯化系统的核心耗材，其国产替代进程同样迅猛。2024年国内吸附剂市场规模约为18亿元，预计2030年将增长至45亿元。以昊华科技、凯美特气为代表的厂商已开发出适用于氟化物、氯化物及惰性气体体系的专用吸附剂，纯度控制能力达到99.9999%以上，部分产品通过中芯国际、长江存储等头部晶圆厂的认证并进入小批量试用阶段。在阀门与管路系统领域，超高洁净度、低析出、耐腐蚀的特种不锈钢及EP（电解抛光）管路长期被Swagelok、VAT、Fujikin等外资品牌垄断，但近年来国产突破态势明显。2024年国内电子级阀门管路市场规模约为35亿元，预计2030年将达85亿元。新莱应材、派瑞气体、富淼科技等企业已实现EP管路、隔膜阀、单向阀等关键部件的量产，表面粗糙度Ra值控制在0.25μm以下，金属离子析出量低于1ppb，满足Class1洁净室标准，并在12英寸晶圆厂的特气输送系统中实现局部替代。值得注意的是，国家“十四五”新材料产业发展规划及《重点新材料首批次应用示范指导目录》明确将高纯电子化学品及配套辅材列为重点支持方向，叠加大基金三期对上游材料环节的持续注资，预计至2030年，高纯前驱体国产化率有望提升至50%以上，吸附剂与阀门管路系统整体国产替代比例亦将突破40%。与此同时，本土厂商正积极构建从原材料提纯、部件加工到系统集成的全链条验证能力，并与北方华创、中微公司等设备厂商协同开发定制化解决方案，以缩短认证周期、提升客户粘性。未来五年，随着国内28nm及以上成熟制程产能持续释放及14nm以下先进制程逐步导入，关键辅材的国产化不仅将成为保障电子特气高纯度标准落地的技术基石，更将深度重塑全球半导体材料供应链格局。五、政策支持、市场数据与投资策略建议1、国家及地方政策驱动因素十四五”新材料产业发展规划与电子特气专项支持政策梳理《“十四五”新材料产业发展规划》明确将电