电子行业AI产业系列深度报告：AI技术创新与供需格局变化共同驱动存储景气周期

正文目录存储市场规模大，望迎来以AI驱动的新一景气周期 5储片以DRAM和NANDFlash等产为主 5储片业上为设及料下应广泛 6储场模大有望以AI驱的轮景周期 7存储需求持续容，给端调控与技术创共驱动增长 8厂资开加，服器储求盛 8工能+消终速渗，侧储望续扩容 10HBMDDR5引端DRAM市，QLCNAND术步熟 12给调产致DDR4供应，品攀升 15国产存储技术新突，存储产业链迎来展遇 17储场中较，国存技突有提升货量 17储厂本支望扩，游导设有望益 21内储组商大备力，望益产品价气期 22投资建议 22风险因素 23图表1: 存储片类 5图表2: 2025年Q3储片规模比 5图表3: DRAMNANDFlash与NORFlash对比 6图表4: 存储片业链 7图表5: 存储片游下游业图谱 7图表6: 全球储片售与应的期 8图表7: 2021-2026全八云商资支及测 9图表8: 全球务出预测 9图表9: NANDFlash应用布 10图表10: DRAM用布 10图表英达H100AI服务置 10图表12: 智能机NAND/DRAM均容变化 图表13: 部分AIPC品件对比 图表14: 部分牌AI/AR眼镜参数比 12图表15: AI运行段储求 12图表16: 2022-2026年DRAM与NANDFlash产业资支及预测 13图表17: HBM术代 13图表18: 主流AI加卡HBM配方案 14图表19: 服器DRAM颗应势 14图表20: 企级SSD中QLC应趋势 15图表21: 存储厂期产停动作 15图表22:DRAM分格品平均走情（位美元） 16图表23: NANDFlash部分格现货均走情（位：元） 17图表24: 2022-2026年DRAM与NANDFlash产业资支及预单亿元）17图表25: 2025Q3各厂DRAM收排名 18图表26: 2025Q3各厂NANDFlash营排名 18图表27: 长鑫储DDR5品示 19图表28: 长鑫储LPDDR5X产展示 19图表29: 长鑫储能划测 20图表30: 长江储代QLC3DNAND存意图 20图表31: A上部存芯业产布情况 21图表32: 海外储厂本支划 21图表33: 全球导设市规及构变（位十美元） 22图表34: A上部模厂利率况单：%） 22图表35: A上部模厂货情（位亿） 22存储市场规模较大，有望迎来以AI驱动的新一轮景气周期存储芯片以DRAM和NANDFlash等产品为主存储芯片主要用于计算机系统中的数据存储。存储芯片，又称半导体存储器，是指集成电路中用来存储数据的一种数字芯片，用于临时或永久地存储数据和指令，以便在需要时能够快速访问和处理。存储芯片可分为随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）两种，RAM为易失性存储器，ROM为非易失性存储器。其中，易失性存储芯片可随时进行数据读写且速度较快，断电后保存数据会丢失，通常用作操作系统或者其他运行中程序的临时数据存储，可分为静态随机存储器和动态随机存储器；而非易失性存储芯片断电后也能保存数据，但只能读取事先所存数据的存储，可分为OTPROM、FlashMemory等，其中FlashMemory包括NORFlash和NANDFlash。图表1: 存储片类类型 细分类型 细分型

静态随机存储器（SRAM）动态随机存储器（DRAM，包括DDR、LPDDR）动态随机存储器（DRAM，包括DDR、LPDDR）FLASHMEMORY（包括NORFLASH、NANDFLASH）OTPROMFLASHMEMORY（包括NORFLASH、NANDFLASH）商产业研究院

EPROMEEPROMDRAM和NANDFlash2025年Q3CFMDRAM24.7至400.37，NAND至184.22584.59元创季历新其场比Flash占31.5二者NorFlash图表2: 2025年Q3储片规模比FM闪存市场DRAM、NANDFlash与NORFlash在技术与应用场景中有所互补。当前半导体存储市场的主流产品包括DRAM、NANDFlash与NORFlash三类，其中DRAM具备集成度高、价格较低、功耗较低的优势，但存取速度相对缓慢；Flash存储器进一步分为NORFlash和NANDFlashNORFlashNANDFlash（DOC）Flash，NORFlash图表3: DRAMNANDFlash与NORFlash对比类别DRAMNANDFLASHNORFLASH当前制程12-13nm（1β）15/14nm40/28nm挥发性易失性非易失性非易失性读取速度慢中快写入速度-2.4-8MB/s0.47MB/S擦除速度极快（无擦除）高速（4ms）低速（5s）尺寸-小，NOR的1/8大寿命无限百万次十万次功耗低中高容量低MB/GB高GB/TB中MB/GB成本高低中主要途 手机PC服商存模组经产业研究院

主要存储器，用于手机和SSD

适合存储内容较少的执行代码的应用，系统启动代码存储存储芯片产业链上游为设备及材料，下游应用广泛IPEDACMP1）消费电子，主要搭载LPDRAN闪存DDRSDDR4/DDR5内存（HBM）NANDAI算力释放效率。3）工业控制与汽车电子，工业场景依赖MRAM、NORTB级NAND据。图表4: 存储片业链环节 项目环节 项目上游原料设） 设计具(IP核EDA等)半导体设备(光刻机、刻蚀设备、薄膜沉积设备、清洗设备、涂胶显影设备、封装测试设备等)半导体材料(半导体硅片、光刻胶、靶材、电子特气、封装材料、CMP抛光材料等)中游设、造封 存储片计测）晶圆代工封装测试存储模组集成下游应领） 消费子、人智、络通、能载工控制物网等商产业研究院图表5: 存储片游下游业图谱波龙招股说明书存储市场规模较大，有望迎来以AI驱动的新一轮景气周期年至202320251894.07近十年存储行业经历三轮周期，前两轮主要由产品迭代和下游消费终端需求驱动。2016DDR4202IAIAIAIHBM产品由DRAMHBM3EHBM4AI图表6: 全球储片售与应的期世界半导体贸易统计组织存储需求持续扩容，供给端调控与技术创新共同驱动增长云厂商资本开支加速，服务器存储需求旺盛GoogleMetaMicrosoft（度，02AGoogle2025910-930Meta700722Aao15虽未披露完整年度数据但预期2026财年支出将高于2025年。根据2025CSPs65，并预期20266000AIGPU/ASIC、存ODMAI图表7: 2021-2026全八云商资支及测rendForce集邦咨询AAIAICFM数据，20243.2至129011501402025134011602024年务台则有达180万、增长29。图表8: 全球务出预测2024-2025年全球存储市场趋势白皮书》，闪存市场服务器存储占比有望进一步提升。大型云服务商积极投资AI基础设施以部署存算力NANDeSSDeSSD32TBQLCeSSDNAND3020216020DRAMDR的处AIAIDDR5及HBM，22DR34（203222在64GBDDR5及HBM3e，20252024-2025PCeSSDDDR5及HBMNANDDRAM容量求计别长12和15。图表9: NANDFlash应用布 图表10:DRAM用布2024-2025年全球存储市场趋势白皮书》，闪存市场 场

2024-2025年全球存储市场趋势白皮书》，闪存市AI服务器单机存储容量提升。AI服务器的单机存储容量呈现提升的态势，以英伟达H100AIHBM容量则32TB-132TBAIAI图表11:H100AIMemory单位容量最大数量合计容量（GB）GPUHBM380GB8640GB系统CPUDDR564-128GB322048-4096GB内部存储eSSD4TB-16TB832-128TBOS存储eSSD2TB24TB2024-2025年全球存储市场趋势白皮书》，闪存市场人工智能消费终端加速渗透，端侧存储有望持续扩容AI手机加速渗透，智能手机存储容量持续提升。AIAIAIAICFM20A202650202412GB16GB256GB向512GB1TBCFM2025NAND220GB，DRAM8GB。图表12:智能手机NAND/DRAM平均容量变化2024-2025年全球存储市场趋势白皮书》，闪存市场AIPC02CoplotPPCAIPCCFM2025AIPCPC，AIPCCPU+GPU+NPUNPUCopilot+PCPlus/XEliteAMDRyzenAI30040万亿NPU16GBDDR5或LPDDR5X256GBSSD或UFSAIAIPCMacBookPro14AppleM4YOGAAir14sAI元EliteBookUltra1432GBLPDDR5X、1TB图表13:部分AIPC产品硬件参数对比产品名称联想YOGAAir14s骁龙AI元启惠普EliteBookUltra14灵耀16Air宏碁Swift16AI苹果MacBookPro14英寸CPU高通骁龙XPlus酷睿Ultra9288VAMDRyzenAI9HX370IntelCoreUltra9288VAppleM4芯片内存类型32GBLPDDR5X8448MHz32GBLPDDR5X8533MHz32GBLPDDR5X7500MHz32GBLPDDR5X8533MHz最高32GB硬盘容量1TBPCIe4.0SSD1TBPCIe4.0SSD1TBPCIe4.0SSD2TBPCIe4.0SSD最高2TBSSD屏幕分辨率2944×18402880×18002880×18002880×18003024×1964显卡类型AdrenoGPU显卡英特尔锐炫140V核显AMDRadeonGraphics核显英特尔锐炫140V核显Apple核显网络Wi-Fi7Wi-Fi7Wi-Fi7Wi-Fi7Wi-Fi6E厚度/重量12.9mm/1.29kg14.9mm/1.35kg11mm/1.49kg1.5kg（厚度未标注）22.12mm/1.55kg电池容量70Whr64Whr78Whr75Whr72.4Whr散热系统双风扇、双热管双风扇、双热管双风扇加均热板//2024-2025年全球存储市场趋势白皮书》，闪存市场AI在RayBanMetA眼镜VUI（）TTSARGUI（）AIAR，AI/AR眼镜AR1W5172022AR2，预计未来会有更多厂商选择搭载；软件系统除自研方案外（如StarVView内置魅族FlymeR2.02年1AdrodXR、AR2GB+32GBePOPAI128GB/256GBePOP图表14:部分品牌AI/AR眼镜技术参数对比品牌CPU存储重量售价交互模式Ray-BanMeta骁龙AR132GB48.6g299美元VUIRayNeoV3骁龙AR132GB39g1799元VUI闪极AI拍拍镜紫光展锐W517/30g999元起VUIINMOAir3骁龙AR1//4999元GUIRokidGlasses骁龙AR132GB/2499元VUI+GUIStarView//74g2499元VUI+GUIXREALOne自研X1128GB/256GB82g3999元VUI+GUIRayNeoX3Pro////VUI+GUI2024-2025年全球存储市场趋势白皮书》，闪存市场HBM、DDR5引领高端DRAM市场，QLCNAND技术逐步成熟AIAI训练阶段需要存储系统具备高速读写能力与AICheckpoint（如G-15ChekpoBBCeckin，图表15:AI运行阶段存储需求阶段I/O特性存储需求影响数据输入海量顺序写入高顺序写入吞吐量优化存储意味着数据输入过程更加快速数据准备随机读取数据；按小规模随机读取低延迟；高顺优化存储意味着在模型训练过程中能顺序写入预处理项序写入吞吐量提供更多的数据，使模型准确性提升模型训练随机数据读取多任务性能和容量可扩展性；优化存储可以提升昂贵训练资源优化随机读取；适用于检查点写入的高顺序写入性能（GPU,TPU,CPU）利用率模型部署混合随机读取和写处理新的故障和修复能力；不端侧需要高可用性、良好的服务能力断组断组扩的恢，果模 和可性型持续微调，则应具备与训练过程相同的特征入存档 顺序随写入 高写性能 为了规审目，要更的据保留2024-2025年全球存储市场趋势白皮书》，闪存市场AI驱动HBM需求高增，HBM市场规模持续增长。传统冯诺依曼计算架构下的存储墙瓶颈已阻碍服务器性能提升，为此各大厂商推出了非易失性存储、存算一体、CXL、GDDR等方案，HBM（HighBandwidthMemory，高带宽内存）也是其中之一。HBM具备高带宽、多I/O数量、低功耗等特性，随着AI技术发展与应用对存力和算力的要求提升，HBM市场自2024年起进入爆发增长阶段。据闪存市场数据，2024年全球HBM市场规占体DRAM场的16预计2025HBM市场亿元占全DRAM市的28。图表16:2022-2026DRAM与NANDFlash2024-2025年全球存储市场趋势白皮书》，闪存市场HBM2013JEDECHBM4HBM44Hi、8Hi12Hi及16Hi的堆24Gb32Gb的DRAM6.4GT/s10GT/sHBM42.56TB/s2048图表17:HBM技术迭代参数项HBMHBM2HBM2EHBM3HBM3EHBM4最多DRAM层数4-Hi8-Hi12-Hi12-Hi12-Hi16-Hi最大容量1GB8GB16GB24GB36GB64GBI/O数102410241024102410242048I/O传输速率1Gbps2.4Gbps3.6Gbps6.4Gbps9.2Gbps10Gbps带宽128GBps256GBps480GBps819GBps1.2TBps2.56TBps制程技术3x2x1y/1z1z1a/1b1b/1c2024-2025年全球存储市场趋势白皮书》，闪存市场主流AI加速卡多数采用HBAIGAS与PG路线虽仍存在博弈，但在高带宽内存的选择上，HBM几乎是各技术路线的一致选项。据CFM统计，HBM3/2E是目前主流AI芯片采用的型号。随着英伟达GB300、AMDMI325X的相继推出，再加上其他市场参与者的平台迭代，HBM3E的市场份额有望得到提升。图表18:主流AI加速卡HBM配置方案供应商AI芯片应用领域芯片名称制程节点存储搭配最大需求容量英伟达GPUAI训练H1004nmHBM394GB英伟达GPUAI训练H2004nmHBM3e141GB英伟达GPUAI训练H8004nmHBM2e80GB英伟达GPUAI训练A1007nmHBM2/2e80GB英伟达GPUAI训练A8007nmHBM2/2e80GB英伟达GPU推理B3004NPHBM3e288GB英伟达GPU推理A307nmHBM2e24GBAMDGPUAI训练MI2006nmHBM2e128GBAMDGPUAI训练MI3005nm/6nmHBM3192/128GBAMDFPGA推理VirtexUltraScale+HBM16nmHBM216GBAMDFPGA推理VersalHBM系列7nmHBM2e32GB英特尔ASIC训练/推理Gaudi系列7nmHBM2e128GB英特尔GPU训练/推理MaxGPUIntel7HBM2e128GB英特尔FPGA训练/推理Aterastratix14nmHBM216GB2024-2025年全球存储市场趋势白皮书》，闪存市场DDR5据CFM2024年二DRAMDDR52025年末，80为die16GbDDR5与32GbDDR532GbDDR516GbDDR5dieTSV128GBDDR5DDR5DDR5图表19:DRAM2024-2025年全球存储市场趋势白皮书》，闪存市场NANDQLCNANDLCNANDAINANDFlashPlane包含多个BlockBlockBlockPagePageNAND（P/E到QLCQLX3-00QLCNANDP/ECycles可达4000TLC2024SSDSSD进入100TB，Solidigm推出122TBSSD16TB32TBQLCSSDQLCSSDQLCSSDHDDAIAI图表20:SSD中QLC2024-2025年全球存储市场趋势白皮书》，闪存市场供给端调控产能致DDR4等供不应求，产品价格攀升HBMDRAM及NANDDRAMDDR4DRAMDRAM20254DDR4DDR4DDR5和HBMAIDDR4DDR4DDR5和HBMDDR4NANDSK238层和321层NAND图表21:存储大厂近期减产或停产动作厂商产品类型动作类型具体内容时间节点美光NAND减产美光宣布NANDFlash晶圆将减产10%，以调控供给量。2024年12月DRAM停止服务美光停止为服务器提供传统DDR4内存模块。2025年4月DRAM停产美光官方确认DDR4将停产，预计未来2~3个季度陆续停止出货。美光将DDR4产能转向DDR5和HBM市场，以满足AI服务器和高性能计算的需求。2025年6月三星电子NAND减产削减其位于中国西安工厂的NANDFlash投片量，减少超过10%。此外，华城工厂12号和17号生产线的产量也将下调，进一步降低整体产能。2025年1月DRAM停产三星率先宣布将开始逐步停止生产DDR4内存颗粒。2025年4月SK海力士DRAM减产计划将DDR4DRAM产量削减至DRAM总产量的20%。2024-2025年NAND减产宣布将上半年NANDFlash产量削减10%，意味着每月将减少3万片晶圆的产出。SK海力士正在进行技术迁移，以量产最新的238层和321层NAND产品。2025年1月铠侠NAND减产随着NAND闪存市况持续恶化，铠侠预计在2024年12月开始实施减产，以阻止闪存市场价格进一步下跌。2024年12月西部数据

NAND 停产 西部据布正剥其NAND存务后将不生产NAND及SSD。T之家，科创板日报，TrendForce集邦咨询

2025年3月DRAM原厂停供DDR4DDR5和HBM产品中，DRAM原厂自2024年第三季度以来相继宣布减产/转产年4DDR4LPDDR4XDDR4DDR591Gx8和DDR52Gx8图表22:DRAM部分规格产品现货平均价走势情况（单位：美元）DRAMexchangeNANDFlashNANDFlashNANDMLCMLCNANDMLCNANDFlash256GbTLCNANDWafer图表23:NANDFlash部分规格产品现货平均价走势情况（单位：美元）DRAMexchangeTrendForceDRAM与NANDFlash2025537202614。NANDFlash2025211亿美元，20262225Flash产业的投资重心正从传统的HBMCounterpointResearch2025年Q4续涨30并在明初上约20。图表24:2022-2026年DRAM与NANDFlash产业资本支出及预测（单位：亿美元）rendForce集邦咨询国产存储技术创新突破，存储产业链迎来发展机遇存储市场集中度较高，国产存储技术突破有望提升出货量存储市场头部集中度较高，竞争格局较为稳定。1）DRAM市场方面，2025年Q3，三星凭借HBMDRAMDRAMDRAMDRAM海力士以137.912.434.4（2025年6-8亿美，比增27.1市场额22.4，排第；南科三DRAM6.3美元环长21.5场额0.6Flash市场方面年Q35.62.72.1SK35.365.8三度售收达30.46亿美，比增28.1以16.5市场份额位第部据23.08亿元售入比增21.4市份额12.5，2025月-8NANDFlash22.524.512.2图表25:2025Q3各厂DRAM收排名 图表26:2025Q3各厂NANDFlash营排名RankCompany2025Q3SalesofDRAM($M)2025Q3MarketshareQoQRank Company 2025Q3 2025Q3 QoQSalesof MarketNAND share1Samsung13,94234.8%29.6%Flash($M)2SKhynix13,79034.4%12.4%1Samsung536629.1%20.7%3Micron898422.4%27.1%2SKhynix353619.2%5.8%4Nanya6301.6%83.7%3Kioxia304616.5%28.1%5Winbond2220.6%21.5%4Sandisk230812.5%21.4%Others24706.2%67.4%5Micron225212.2%4.5%Total40,037100.0%24.7%Others191410.4%23.9%Total18,422100.0%16.8%2024-2025年全球存储市场趋势白皮书》，闪存市场 场

2024-2025年全球存储市场趋势白皮书》，闪存市国产DRAMDDR5/LPDDR5X产DDR516Gb/24Gb，DDR4降低20DDR5DDR52）LPDDR5产品方面，12Gb和16GbLPDDR5LPDDR530图表27:长鑫存储DDR5产品展示鑫存储官网图表28:LPDDR5X鑫存储官网国内DRAMCounterpointDRAM出50DRAM6DDR5/LPDDR5到出货量上，即DDR5/LPDDR5的市场份额有望从一季度的1左右分别提升到7和9。图表29:长鑫存储产能规划预测T之家，Counterpoint国产NANDFlash龙头厂商长江存储已实现QLC、TLC等多款产品的技术突破。长江存储目前已可提供基于晶栈®Xtacking®4.0技术的第五代QLC、TLC等多款闪存颗粒产品，具备行业优异的存储密度、I/O传输速度及更优化的产品功耗，可广泛应用于企业级、消费级等存储产品中，以满足云计算、大数据、移动设备、个人消费终端等多场景下的存储需求。2025年2月，据韩国媒体ZDNetKorea报道，三星电子近期已与长江存储签署了开发堆叠400多层NANDFlash所需的混合键合技术的专利许可协议，以便从其第10代NANDFlash产品（430层）开始使用该专利技术来进行制造，此为我国存储业史上第一次对外许可专利技术。图表30:长江存储第五代QLC3DNAND闪存示意图江存储官网国内存储厂商有望充分受益于存储景气周期。随着科研积累的不断加深和研发团队图表31:A股