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关于石墨氮化碳(g-C3N4)元素掺杂的研究文献综述目录TOC\o"1-3"\h\u24835关于石墨氮化碳(g-C3N4)元素掺杂的研究文献综述 182651.1金属元素掺杂 1327241.1.1钾元素掺杂 1176171.1.2铁元素掺杂 4225091.2非金属元素掺杂 844921.1.1磷元素掺杂 8741.1.2硫元素掺杂 1117397参考文献 14元素掺杂是利用物理或化学方法,将离子引入到g-C3N4晶格结构内部,从而在其晶格中引入新电荷、形成缺陷,影响光生电子和空穴的运动状况、调整其分布状态或者改变g-C3N4的能带结构,进而调整其可见光吸收能力和氧化还原能力,最终导致g-C3N4的光催化活性发生改变。1.1金属元素掺杂g-C3N4具有独特的结构,包含氮三角形,具有六个孤对电子,可使金属元素掺杂其中。因此,g-C3N4的这种特殊结构使金属离子掺杂成为设计新型有机-金属杂化材料的一种可行方法。此外,金属杂质的引入会产生附加的杂质态,可以降低光吸收能量阈值,并增强可见光的吸收,从而赋予掺杂系统独特的光催化性能。因此,通过在g-C3N4中掺入金属离子,可以改变g-C3N4的光化学性质,产生以下好处:抑制光生载流子复合、通过降低带隙能量使阈值波长响应区进入可见光范围REF_Ref73470759\r\h[17]。钾、钠、锌、铁等多种金属掺杂剂被用于g-C3N4的掺杂。1.1.1钾元素掺杂碱金属具有活泼的化学性质,在光催化反应中得到了广泛的应用。例如Chen等人REF_Ref73471334\r\h[18]采用溶胶-凝胶法和热处理法制备了K离子掺杂的TiO2,K离子掺杂可以减少光生载流子的复合,改善反应物在催化剂上的吸附,减小晶粒尺寸,增大比表面积。因此,Hu等人REF_Ref73471461\r\h[19]首次以双氰胺单体和氢氧化钾为前驱体,制备了具有增强矿化能力的带隙可调钾掺杂石墨氮化碳。在可见光光催化降解RhB的过程中,考察了其光催化活性和稳定性,详细讨论了K离子掺杂对g-C3N4结构和光催化性能的影响。K(x)-CN中K离子可能的掺杂位点如图1.1.1所示。图1.1.SEQ图_2.1.\*ARABIC1g-C3N4和K(X)-CN的N2吸附-脱附等温线图1.1.SEQ图_2.1.\*ARABIC2K(X)-CN中K离子可能的掺杂位置通过测定氮吸附和脱附等温线来表征所制备的g-C3N4基催化剂的比表面积(图1.1.2)。g-C3N4、K(0.02)-CN、K(0.05)-CN、K(0.07)-CN和K(0.09)-CN的BET比表面积(SBET)分别为8.9图1.1.SEQ图_2.1.\*ARABIC1g-C3N4和K(X)-CN的N2吸附-脱附等温线图1.1.SEQ图_2.1.\*ARABIC2K(X)-CN中K离子可能的掺杂位置图1.1.SEQ图_2.1.\*ARABIC3制备的g-C3N4基催化剂的紫外-可见漫反射光谱采用紫外-可见漫反射光谱法测定了制备的g-c3n4基催化剂的光吸收特性(图1.1.3)。g-c3n4的主吸收边出现在约460nm处。g-c3n4的带隙约为1.65eV,与文献报道的值吻合较好。对于K(x)-CN,观察到吸收带有明显的红移,这种吸收带的移动不是碱处理引起的,而是钾掺杂引起的。随着钾浓度的增加,K(x)-CN的颜色逐渐加深。K(0.02)-CN、K(0.05)-CN、K(0.07)-CN和K(0.09)-CN的禁带能分别减小到1.6、图1.1.SEQ图_2.1.\*ARABIC3制备的g-C3N4基催化剂的紫外-可见漫反射光谱用扫描电镜分析了代表性样品的形貌。图1.1.4(C)为制备的g-C3N4基催化剂K(0.05)-CN,含有大量不规则颗粒。这些颗粒(图1.1.4(B))呈现出与石墨类似物g-C3N4相似的层状结构(图1.1.4(A))。与g-C3N4相比,K(0.05)-CN的层状结构尺寸明显减小。这说明钾掺杂会阻碍石墨氮化碳的晶体生长。图1.1.4(D)中所示的元素映射图像表明K在g-C3N4中均匀分布。图1.1.SEQ图_2.1.\*ARABIC4制备的g-C3N4和K(X)-CN的带隙结构图1.1.SEQ图_2.1.\*ARABIC5g-C3N4(A),K(0.05)-CN(B,C)的SEM图像和K(D)的元素图谱图像如图1.1.5所示,K掺杂后,CB和VB电位发生了变化。通过控制K浓度,CB和VB电位可以从−1.09图1.1.SEQ图_2.1.\*ARABIC4制备的g-C3N4和K(X)-CN的带隙结构图1.1.SEQ图_2.1.\*ARABIC5g-C3N4(A),K(0.05)-CN(B,C)的SEM图像和K(D)的元素图谱图像PL是一种高灵敏度的技术,用于提供光诱导带电载流子的电荷分离/重组信息。一般而言,PL强度越低,光生电子-空穴对的分离率越高。图1.1.6表明K(x)-CN的电子空穴分离率的提高不是碱处理引起的,而是K掺杂引起的。K掺杂导致g-C3N4晶格结构畸变,表面能增加,电子-空穴对复合率降低,界面电荷转移率提高。图1.1.7为所制备的g-c3n4催化剂在可见光照射下降解RhB的光催化性能。从0.02~0.05,随着K浓度的增加,光催化活性逐渐增强。K(0.05)-CN和K(0.07)-C的光催化活性明显高于其他掺钾催化剂。当K浓度超过0.07时,活性显著下降。图1.1.SEQ图_2.1.\*ARABIC6制备的g-C3N4基催化剂在可见光照射下的光催化性能图1.1.SEQ图_2.1.\*ARABIC7制备的g-C3N4基催化剂的荧光光谱这种具有可调能带结构的新型g-C3N4光催化剂,K离子浓度的增加明显改变了g-C3N4的CB和VB电位。K掺杂后g-C3N4在可见光下对RhB的光降解能力显著提高。由于钾掺杂对能带结构的调节作用,K(0.05)-CN和K(0.07)-CN活性远高于其他K掺杂催化剂。K(0.05)-CN表现出稳定的催化活性和化学结构。K(0.05)-CN的速率常数最高,是g-C3N4的6.4倍。即K掺杂的g-C3N图1.1.SEQ图_2.1.\*ARABIC6制备的g-C3N4基催化剂在可见光照射下的光催化性能图1.1.SEQ图_2.1.\*ARABIC7制备的g-C3N4基催化剂的荧光光谱1.1.2铁元素掺杂图1.1.SEQ图_2.1.\*ARABIC8合成的g-C3N4块体、纯g-C3N4纳米片和Fe掺杂g-C3N4纳米片的紫外-可见漫反射光谱Tonda等人REF_Ref73471672\r\h图1.1.SEQ图_2.1.\*ARABIC8合成的g-C3N4块体、纯g-C3N4纳米片和Fe掺杂g-C3N4纳米片的紫外-可见漫反射光谱合成的块体g-C3N4、纯g-C3N4纳米片和Fe掺杂g-C3N4纳米片的紫外-可见散射光谱如图1.1.8所示,观察到g-C3N4纳米片与块体g-C3N4相比有轻微的蓝移,Fe掺杂的g-C3N4纳米片的漫反射光谱显示红移且可见光吸收范围增加。随着Fe含量的增加,带隙能量逐渐减小。Fe掺杂g-C3N4纳米片的吸收波长红移有利于其在阳光照射下产生更多的光生电子-空穴对,从而增强光催化性能。采用氮吸附等温线分析方法研究了纯g-C3N4和Fe掺杂g-C3N4纳米片的比表面积。CN和FCN-2样品的比表面积分别为358.22和365.78m2g-1。这些大比表面积的纳米片可以更好地吸附有机化合物,也为光催化反应提供更多的活性位点,从而提高光催化活性。同时,Fe掺杂显著地提高了g-c3n4的电导率,在Fe掺杂g-c3n4体系中,光生载流子能更有效地分离,也增强了光催化活性。光催化剂的光催化活性增强归因于有效的光生电子-空穴对分离,光致发光(PL)光谱可用于研究半导体中光致电子-空穴对的迁移、转移和复合过程。图为合成的块体g-C3N4、纯的g-C3N4纳米片以及Fe掺杂g-C3N4纳米片的PL光谱。可以看出,与块体g-C3N4相比,纯g-C3N4纳米片和Fe掺杂g-C3N4纳米片的光致发光光谱出现了轻微的蓝移,并且与块体g-C3N4和纯g-C3N4纳米片相比,Fe掺杂g-C3N4纳米片的荧光强度显著降低。弱强度的光致发光信号代表较低的光生载流子复合率。因此,在g-C3N4表面引入Fe可以有效地抑制光生载流子的复合,这有利于g-C3N4中光生电子-空穴对的进一步分离,从而提高其光催化活性。图图1.1.SEQ图_2.1.\*ARABIC9合成的块体g-C3N4、纯g-C3N4纳米片、Fe掺杂g-C3N4纳米片在365nm激发下的室温光致发光光谱对于制备的样品的光催化活性,Fe掺杂g-C3N4纳米片在阳光照射下降解RhB的光催化活性远高于合成的块体g-C3N4和纯g-C3N4纳米片。此外,Fe掺杂量对RhB的光降解有很强的影响,g-C3N4纳米片的最佳铁含量为2mol%,此时随着铁含量的增加,光催化活性降低。另一方面,含铁的金属酶可以作为设计有效和对环境友好的氧化反应仿生催化系统的蓝图,目前已研制出多种含铁试剂,用于催化不同反应条件下的醇类选择性氧化。Fe(III)可以用于设计绿色有效的光催化剂,克服催化剂的均匀性和抑制醇氧化的有毒副产品等缺点,且g-C3N4基复合材料对包括氧化在内的许多重要有机反应具有优异的光催化活性。因此,Fe(III)络合物和g-C3N4的组合可能形成异质结构,其光催化性能可能比单个组分在可见光下的光催化性能更强。MeghaliDevi等人REF_Ref73471905\r\h[21]以过氧化氢(H2O2)为氧化剂,[Fe(acac)3]/g-C3N4为新型催化剂,开发了一种可见光催化氧化各种醇生成相应羰基化合物的方法。主要描述了一种新的Fe(acac)3修饰的g-C3N4异质结构的简易合成。图1.1.SEQ图_2.1.\*ARABIC10Fe(acac)3/g-C3N4合成示意图该光催化剂的形成如图图1.1.SEQ图_2.1.\*ARABIC10Fe(acac)3/g-C3N4合成示意图如图1.1.11所示,通过紫外-可见DRS分析样品,可以得知[Fe(acac)3]在g-C3N4上的散布而引起其光学性质的变化。纯g-C3N4在紫外区358nm处有一个强吸收峰,而[Fe(acac)3]在200-500nm和600-800nm范围内有两个明显的吸收带。因此,[Fe(acac)3]/gC3N4可吸收强可见光,这是由于[Fe(acac)3]具有显著的可见光吸收。图1.1.SEQ图_2.1.\*ARABIC11g-C3N4、[Fe(acac)3]、[Fe(acac)3]/g-C3N4的吸收光谱(插图:g-C3N4、[Fe(acac)3]、[Fe(acac)3]/g-C3N4的带隙)光致发光(PL)发射光谱(图1.1.12)研究了g-C3N4和[Fe(acac)3]/g-C3N4光生电子-空穴对的迁移和复合过程。由图可知,g-C3N4的辐射强度明显高于[Fe(acac)图1.1.SEQ图_2.1.\*ARABIC11g-C3N4、[Fe(acac)3]、[Fe(acac)3]/g-C3N4的吸收光谱(插图:g-C3N4、[Fe(acac)3]、[Fe(acac)3]/g-C3N4的带隙)图1.图1.1.SEQ图_2.1.\*ARABIC12g-C3N4和[Fe(acac)3]3+/g-C3N4的光致发光光谱(插图:[Fe(acac)3]3+/g-C3N4的PL光谱)通过简单的超声处理Fe(III)配合物[Fe(acac)3]与g-C3N4,制备了一种新的[Fe(acac)3]/g-C3N4纳米杂化材料。与g-C3N4和[Fe(acac)3]相比,[Fe(acac)3]/g-C3N4具有较大的比表面积、较强的可见光吸收能力、较低的光生电子-空穴对的复合率。因此,[Fe(acac)3]/g-C3N4具有较高的光催化活性。1.2非金属元素掺杂为了保持g-C3N4的无金属性质,非金属掺杂引起了广泛的关注。非金属材料具有较高的电离能和高的电负性[]。因此,非金属在与其他化合物反应时,通常可以通过获得电子而形成共价键。同时,非金属掺杂也可以避免掺杂金属离子时化学态的热变化。所以,非金属离子掺杂已被广泛应用于通过缩小带隙能量,提高光催化剂的捕光能力,来提高光催化剂的活性,例如磷、硫、氮、氧、硼等多种非金属掺杂剂被用于g-C3N4的掺杂。1.1.1磷元素掺杂磷可以被引入到g-C3N4的结构框架中,从而使其电子性能得到调节,电导率得到提高,这说明在g-c3n4的结构框架中引入磷可能有利于光催化效率的提高。Zhang等人REF_Ref73474049\r\h[22]采用双氰胺与含磷离子液体(BmimPF6)共缩合的方法将磷掺杂到g-C3N4聚合物中,通过简单加热的方法合成了磷掺杂g-c3n4催化剂。与纯g-C3N4相比,掺杂材料具有更强的可见光光催化活性,并详细研究了磷含量对染料光催化降解效率的影响。图1.1.SEQ图_2.2.\*ARABIC1制备的xCNP和CN的X射线衍射图谱图1.1.SEQ图_2.2.\*ARABIC1制备的xCNP和CN的X射线衍射图谱(所制备的样品表示为xCNP,未处理的纯g-C3N4样品命名为CN)图1.1.SEQ图_2.2.\*ARABIC2制备的xCNP和CN的UV-Vis光谱(插图为制作好的xCNP和CN样品的照片)采用透射电镜和氮气吸附法研究了0.1CNP的形貌和微观结构。0.1CNP的TEM图清晰地反映了它是由皱褶和不规则形状的小薄片组成的二维结构,这与大部分的g-C3N4不同。BET比表面积分析结果表明,0.1CNP的BET比表面积和孔容分别为15m2g图1.1.SEQ图_2.2.\*ARABIC2制备的xCNP和CN的UV-Vis光谱(插图为制作好的xCNP和CN样品的照片)将低比例的磷原子掺入g-C3N4中,改变了其结构和电子结构,从而改变了由此产生的磷掺杂g-C3N4聚合物的光学和电子性能。利用光学吸收光谱研究了磷掺杂对g-C3N4电子结构的影响。如图1.1.2所示,纯g-C3N4具有典型的半导体吸收模式。磷掺杂g-C3N4的能谱随着磷含量的增加出现明显的带隙红移。进一步观察发现,随着磷含量的增加,掺磷g-C3N4的可见光区吸收波长由470nm提高到650nm,颜色由浅黄色变为棕色。图1.1.SEQ图_2.2.\*ARABIC图1.1.SEQ图_2.2.\*ARABIC3298K下400nm激发下CN和0.1CNP的荧光光谱图1.1.图1.1.SEQ图_2.2.\*ARABIC4(A)在可见光照射下,xCNP和CN光催化剂对RhB的光催化降解(B)0.1CNP和CN上光催化降解MO与反应时间的关系作者又采用不同磷含量的磷掺杂g-c3n4作为无金属催化剂,研究可见光下RhB在水溶液中的降解。图1.1.4(A)为所制备的xCNP和CN的光催化活性比较。xCNP样品比纯CN具有更高的活性。RhB的降解速率随着x的增大而增大,在0.1时达到最大值,超过这个值,样品的活性开始下降。同时测试了有机污染物的降解,如MO。如图1.1.5(B)所示,0.1CNP样品对MO的降解表现出比未掺杂的g-c3n4更好的光催化性能,这进一步证明了低磷杂原子掺杂确实可以提高g-C3N4的光催化性能。磷掺杂样品的光催化活性增强反映了由于磷原子掺杂给g-C3N4带来了良好的结构、光学性质和电子结构,使得光生载流子之间的复合概率降低。采用双氰胺与含磷离子液体共缩合的方法,将磷掺杂到聚合物g-c3n4中,与未掺杂的g-C3N4相比,磷的掺入对掺杂样品的形貌、可见光响应范围和光生载流子的复合率有显著影响。在可见光照射下,磷掺杂的g-C3N4在分解染料和降解有机污染物方面表现出较高的光催化活性,这归因于磷原子掺杂氮化碳主体所产生的良好的结构、光学性质和电子结构,进而提高了其光催化性能。1.1.2硫元素掺杂非金属掺杂可以扩大光吸收范围,结构修饰可以提供大的表面积来促进电荷的迁移和分离,这两种调控手段被证明是提高g-C3N4光催化性能的有效途径。将两种策略结合在一种材料中可以进一步提高g-c3n4的光催化活性。可以采用不同的前驱体化合物等方法改变g-C3N4的形态和组成修饰方面,来提高g-C3N4的光催化活性。对于S来说,硫和氮具有相似的电负性,S原子优先取代g-C3N4的N原子,但是通过硫脲的热缩聚,原位硫可掺杂取代g-C3N4中的C原子,从而产生S-N键,导致带隙能量减小,有效增强g-C3N4的光催化活性。因此,JinduiHong等人REF_Ref73474067\r\h[23]以含硫前驱体硫脲(TU)和二氧化硅纳米颗粒为模板,形成原位掺杂硫介孔g-C3N4(mpgCNS),并在最终产物中检测到硫的存在,导致了g-C3N4电子能带结构的改变和可见光下水分解制氢的光催化性能的增强。在mpgCNS样品中,粒径为10-20nm的孔分布均匀,mpgCNS的比表面积远远高于g-C3N4。催化剂的开孔结构和高比表面积有利于催化剂的传质和分散。紫外-可见漫反射光谱(图1.1.5(A))显示,mpgCNS的吸收边从天然CN样品的460nm红移到475nm,并且有较强的光吸收。硫的掺杂进一步提高了g-C3N4在紫外和可见光区的光吸收。图1.1.5(B)为在365nm激发波长下的光致发光(PL)光谱,显示了mpgCNS的光致发光强度降低,光致发光强度被大大抑制,这可能表明光生电子-空穴对的复合率大大降低,这种光学性质对于提高光催化性能是非常重要的。此外,硫掺杂也略微缩小了带隙能量,导致了导带的降低,虽然导带位置略有下降可能导致电子的还原能力较低,但其较窄的带隙和增强的光吸收在促进光催化活性方面更关键。图1.1.图1.1.SEQ图_2.2.\*ARABIC5(A)紫外可见漫反射光谱(B)298K激发波长365nm下mpgCNS和对照g-C3N4样品的荧光光谱除此之外,Fan等人REF_Ref73474190\r\h[24]通过简单加热三聚氰胺-三硫氰酸(MT)超分子复合物,一锅法合成了硫掺杂的g-c3n4多孔棒。以MT超分子配合物为前驱体,有望将纳米结构和硫掺杂的g-c3n4结合成一种材料,由于硫掺杂和纳米结构的协同作用,这种材料将表现出更优异的光催化活性。将制备的g-c3n4样品记为S-pg-C3N4。S-pg-C3N4样品都呈现棒状结构。随着加热温度的升高,S-pg-C3N4结晶更加完美,棒材的尺寸分布更加均匀。SEM图像(图1.1.6(a)和(b))显示了MT配合物和S-pg-C3N4的形态,在600◦C条件下,S-pg-C3N4的TEM图像(图1.1.6(c))可以清晰地观察到不规则孔隙结构。制备的样品中存在大孔结构,并且样品的BET比表面积和孔隙体积随加热温度的升高而增大。图图1.1.SEQ图_2.2.\*ARABIC6(A)MT络合物(B)S-PG-C3N4在600◦C合成的扫描电镜图像:(C)在600◦C合成的S-PG-C3N4的透射电镜图像;紫外-可见漫反射吸收光谱(图1.1.7a)显示,S-pg-C3N4样品都显示出光吸收能力明显改善,尤其是在450-600纳米范围内。Tauc图(图1.1.7a插图),结果显示S-pg-C3N4样品显示出比大块g-C3N4更窄的带隙。如图1.1.7b所示,通过340nm激发的光致发光光谱(PL)来研究光生载流子的复合,所有S-pg-C3N4样品的荧光强度均低于块体gC3N4,表明S-pg-C3N4光生电子空穴对的分离效率较高。图1.1.图1.1.SEQ图_2.2.\*ARABIC7(A)块体g-C3N4和S-PG-C3N4的紫外可见漫反射吸收光谱和相应的Tauc曲线图(插图)和(B)光致发光(PL)光谱。S-pg-C3N4光催化活性增强的机理可归因于三个主要原因。首先,S-pg-C3N4表面积的增加提供了更多的表面活性位点,提高了催化剂对污染物的吸附能力,加速了降解反应。其次,硫掺杂改变了g-C3N4的电子结构,导致带隙变窄,拓宽了可见光吸收范围,价带位置降低,导致g-C3N4氧化能力增强。最后,S-pg-C3N4具有较高的光生电子-空穴对分离效率,从而提高了光催化活性。总之,由于硫掺杂和特殊结构的协同改善作用,S-pg-C3N4样品在可见光下表现出比本体g-c3n4更好的光催化活性。综上所述,金属离子被广泛用于g-C3N4的掺杂,通过金属掺杂可以有效地增加可见光吸收能力,减小带隙能量,加速电荷迁移率和延长电荷载流子的寿命,改善电荷载流子的转移、传输和分离效率,为增强光催化氧化还原反应提供了更有利的条件。Fe、Cu、Zn、Ni等过渡金属掺杂的半导体光催化剂可以调节光吸收的光谱范围,是因为金属离子的掺杂在禁带中产生了杂质能级。过渡金属阳离子的掺杂会产生高于原始价带的能带(给体能级)或低于原始导带的受体能级,使得金属阳离子修饰的禁带变窄。除过渡金属离子外,碱金属Li、Na和K也能在g-C3N4中起配位作用。碱金属的加入可以增加催化剂表面的电子密度。将碱金属配位到氮化碳的C-N平面会促进光生载流子的有效分离,改善了电荷载流子的转移、传输效率,从而改善了催化剂的光催化活性。非金属掺杂主要是使用O、C、P、S、B、I、F等阴离子与g-C3N4的结合缩小g-C3N4的带隙提高光吸收性能和电荷分离效率。非金属离子掺杂被广泛用于通过缩小光催化剂的带隙能量来提高太阳能收集能力。与金属离子(阳离子)掺杂剂不同的是,非金属离子掺杂是通过提高价带的最大值来减小禁带宽度,在禁带内不太可能形成给体能级。并且,阴离子掺杂不容易形成复合中心,因此更能有效地提高光催化活性。参考文献FujishimaA,HondaK.ElectrochemicalPhotolysisofWaterataSemiconductorElectrode[J].Nature,1972,238(5358):37-38.张祚煜,杨佳林,李卓豪,陈秀婷,方涛.SiO2掺杂BiVO4光催化降解刚果红的研究[J].化工新型材料,2021,49(04):212-216.阳生红,蒋志洁,张曰理.Cr-Fe共掺CeO2纳米颗粒的结构和铁磁性能[J].磁性材料及器件,2021,52(02):1-5.李笑笑,杨凯,曾德彬,张开莲,余长林,黄微雅.微波水热法制备棒状BiPO4催化剂及其光催化性能研究[J].有色金属科学与工程,2019,10(04):78-84+105.唐士朋,夏阳,范佳杰,程蓓,余家国,WingkeiHoc.碳铂双助催化剂增强CdS空心球光催化产氢性能(英文)[J].ChineseJournalofCatalysis,2021,42(05):743-752.WenJ,XieJ,ChenX,etal.Areviewong-C3N4-basedphotocatalysts[J].AppliedSurfaceScience,2017,391(PT.B):72-123.梁言,王婷雯,赵永琴,李克艳,郭新闻.Fe-Ce/g-C3N4芬顿催化剂的制备及其降解有机污染物性能研究[J].现代化工,2021,41(03):190-195.陈艳丽,苏凤云,谢海泉.制备缺陷MoO3-x/g-C3N4以增强光催化CO2还原性能研究[A].河南省化学学会.河南省化学会2020年学术年会论文摘要集[C].河南省化学学会:河南省化学学会,2020:1.陈纪兵.g-C3N4基纳米异质结的制备及光催化分解水制氢性能研究[D].西北大学,2019.李凌云.磁性Ag/AgCl/g-C3N4的制备及其抗菌性能研究[D].福州大学,2018.艾兵,李思源,张昊,李德刚.Zn掺杂g-C3N4的制备及其可见光催化性能研究[J].山东理工大学学报(自然科学版),2019,33(03):60-64.徐启红.氧掺杂g-C3N4的制备及其吸附性能[J].印染助剂,2021,38(01):48-51+54.张月月,梁元伟,黄现礼,周宁,何建平.介孔g-C3N4的制备及其对航空煤油的吸附脱硫性能[J].石油学报(石油加工),2019,35(01):160-165.段贤扬,徐继红,何梦奇,张雪琪.二维石墨相氮化碳纳米片的制备及其光催化
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