CN114334609B 一种提高碳化硅外延材料少数载流子寿命的方法 （中国电子科技集团公司第五十五研究所）_第1页
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JP2004356355A,200一种提高碳化硅外延材料少数载流子寿命本发明提供一种提高碳化硅外延材料少数化硅外延材料。本发明提供的方法工艺过程简命，且可避免长时间高温退火对材料表面的破2步骤一，将SiC衬底放置到化学气相沉积设备的反应室中，并对反应室进行抽真空处℃,碳源、硅源和掺杂源流量调节至生长缓冲层所需流量并设置为排外，待温度稳定后对步骤四，保持反应室温度和压力不变，将碳源和硅源骤一中对反应室进行抽真空处理使反应室的真空度在2×10-3mbar3高压直流传输系统等领域起着至关重要的作用。随着高压大功率器件击穿电压不断提高，[0004]为解决现有技术中提升SiC外延材料少子寿命的方法工艺复杂，且容易对材料造4[0015]优选的，步骤一中对反应室进行抽真空处理使反应室的真空度在2×10-3mbar以5[0033]步骤四，保持反应室温度和压力不变，将乙烯和三氯氢硅流量分别调节至定后进行3min退火处理，之后将温度降低100℃至1400℃,待温度稳定后进行3min退火处[0039]提升在N型SiC衬底上制备的50μm厚SiC外延材料的少数载流子寿命，利用氯化氢1650℃,乙烯、三氯氢硅、氮气和氯化氢的流量分别调节至18sccm、75sccm、250sccm和[0043]步骤四，保持反应室温度和压力不变，将乙烯和三氯氢硅流量

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