惠州学院数电半导体存储器

惠州学院数电半导体存储器一．

RAM的基本结构

由存储矩阵、地址译码器、读写控制器、输入/输出控制、片选控制等几部分组成。7.1随机存取存储器（RAM）

1.存储矩阵图中，1024个字排列成32×32的矩阵。为了存取方便，给它们编上号。32行编号为X0、X1、…、X31，32列编号为Y0、Y1、…、Y31。这样每一个存储单元都有了一个固定的编号，称为地址。

由地址译码器和存储矩阵组成。2只读存储器(ROM)也是采用浮栅技术生产的可编程ROM，但是构成其存储单元的是隧道MOS管，是用电擦除，并且擦除的速度要快的多（一般为毫秒数量级）。00000100RAM的工作时序（以写入过程为例）Y7Y6Y5Y4Y3Y2Y1Y0（1）分析要求、设定变量1100010010惠州学院数电半导体存储器（3）将待写入的数据加到数据输入端。ROM的输出是输入最小项的组合。A1A0（3）ROM存储内容的真值表2．地址译码器——将寄存器地址对应的二进制数译成有效的行选信号和列选信号，从而选中该存储单元。

例如，输入地址码A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0=0000000001，则行选线

X1＝1、列选线Y0＝1，选中第X1行第Y0列的那个存储单元。采用双译码结构。行地址译码器：5输入32输出，输入为A0、A1、…、A4，输出为X0、X1、…、X31；

列地址译码器：5输入32输出，输入为A5、A6、…、A9，输出为Y0、Y1、…、Y31，这样共有10条地址线。3．RAM的存储单元例：六管NMOS静态存储单元存储单元（1）写入过程：例如写入“1”（2）读出过程：例如读出“1”T1、T2为NMOS非门，T3、T4也为NMOS非门，两个非门交叉连接组成基本触发器存储数据。T5、T6为门控管。T7、T8是每一列共用的门控管。1100010110

4.片选及输入/输出控制电路

当选片信号CS＝1时，G5、G4输出为0，三态门G1、G2、G3均处于高阻状态，I/O端与存储器内部完全隔离，存储器禁止读/写操作，即不工作。当CS＝0时，芯片被选通：当R/W＝1时，G5输出高电平，G3被打开，被选中的单元所存储的数据出现在I/O端，存储器执行读操作；当R/W

＝0时，G4输出高电平，G1、G2被打开，此时加在I/O端的数据以互补的形式出现在内部数据线上，存储器执行写操作。

二.RAM的工作时序（以写入过程为例）写入操作过程如下：（1）欲写入单元的地址加到存储器的地址输入端；（2）加入有效的选片信号CS；（3）将待写入的数据加到数据输入端。（3）在R/W线上加低电平，进入写工作状态；（4）让选片信号CS无效，I/O端呈高阻态。N=目标存储器容量已有存储器容量需要片数N=8例：用1024字×1位RAM构成1024字×8位RAM.

方法：所有输入信号都并联（地址信号、片选信号和读写信号）。输出并列。三．RAM的容量扩展1．位扩展二、字扩展方式N=目标存储器容量已有存储器容量需要片数N=4例：用256字×8位RAM组成1024字×8位存储器。

方法：片内地址信号并联；多余地址端通过译码器接至各片的片选端；I/O同名端并联。例：用8片1K×8位RAM构成的8K×8位RAM。四、RAM芯片简介(6116)6116为2K×8位的静态CMOSRAM100CS片选×0×OE输出使能×10WE读/写控制×稳定稳定A0～

A10地址码输入高阻态输出输入D0～

D7输出工作模式低功耗维持读写6116的功能表A0～A10是地址码输入端，D0～D7是数据输出端，CS是选片端，OE是输出使能端，WE是读写控制端。（2）一次性可编程ROM（PROM）。出厂时，存储内容全为1（或全为0），用户可根据自己的需要编程，但只能编程一次。7.2只读存储器(ROM)

一．ROM的分类按照数据写入方式特点不同，ROM可分为以下几种：（1）固定ROM。厂家把数据写入存储器中，用户无法进行任何修改。（3）光可擦除可编程ROM（EPROM）。采用浮栅技术生产的可编程存储器。其内容可通过紫外线照射而被擦除，可多次编程。（5）快闪存储器（FlashMemory）。也是采用浮栅型MOS管，存储器中数据的擦除和写入是分开进行的，数据写入方式与EPROM相同，一般一只芯片可以擦除/写入100万次以上。（4）电可擦除可编程ROM（E2PROM）。也是采用浮栅技术生产的可编程ROM，但是构成其存储单元的是隧道MOS管，是用电擦除，并且擦除的速度要快的多（一般为毫秒数量级）。E2PROM的电擦除过程就是改写过程，它具有ROM的非易失性，又具备类似RAM的功能，可以随时改写（可重复擦写1万次以上）。二．ROM的结构及工作原理1. ROM的内部结构由地址译码器和存储矩阵组成。2.ROM的基本工作原理：由地址译码器和或门存储矩阵组成。例：存储容量为4×4的ROMROM真值表地址存储内容A1A0D3D2D1D0000110110101101001111110二极管固定ROM举例（1）电路组成：由二极管与门和或门构成。与门阵列组成译码器，或门阵列构成存储阵列。（2）输出信号表达式与门阵列输出表达式：或门阵列输出表达式：（3）ROM存储内容的真值表与门阵列输出表达式：或门阵列输出表达式：地址存储内容A1A0D3D2D1D00001101101011010011111101.作函数运算表电路【例7.2—1】试用ROM构成能实现函数y=x2的运算表电路，x的取值范围为0～15的正整数。三．ROM的应用【解】

（1）分析要求、设定变量自变量x的取值范围为0～15的正整数，对应的4位二进制正整数，用B=B3B2B1B0表示。根据y=x2的运算关系，可求出y的最大值是152＝225，可以用8位二进制数Y=Y7Y6Y5Y4Y3Y2Y1Y0表示。（2）列真值表例如读出“1”11E2PROM的电擦除过程就是改写过程，它具有ROM的非易失性，又具备类似RAM的功能，可以随时改写（可重复擦写1万次以上）。Y6=m8+m9+m10+m11+m14+m15例：用8片2764扩展成64k×8位的EPROM：这样每一个存储单元都有了一个固定的编号，称为地址。ROM的输出是输入最小项的组合。1101（2）加入有效的选片信号CS；01100100根据数据写入方式的不同，ROM又可分成固定ROM和可编程ROM。（1）欲写入单元的地址加到存储器的地址输入端；（3）ROM存储内容的真值表11000100000000000000010000010000001001000100000001100100100100001100010100000001010001011001000111100110010000100110011100010011100001Y7Y6Y5Y4Y3Y2Y1Y0输出0149162536496481100121144169196225对应十进制数0000000100100011010001010110011110001001101010111100110111101111B3B2B1B0输入例7.2—1真值表Y7=m12+m13+m14+m15（3）写标准与或表达式Y4=m4+m5+m7+m9+m11+m12Y6=m8+m9+m10+m11+m14+m15Y5=m6+m7+m10+m11+m13+m15Y3=m3+m5+m11+m13Y1=0Y2=m2+m6+m10+m14(4)画ROM存储矩阵结点连接图为做图方便，我们将ROM矩阵中的二极管用节点表示。Y0=m1+m3+m5+m7+m9+m11+m13+m15【解】

（1）写出各函数的标准与或表达式：按A、B、C、D顺序排列变量，将Y1、Y2、Y4扩展成为四变量逻辑函数。2.实现任意组合逻辑函数【例7.2—2】试用ROM实现下列函数：（2