CN119275123B 版图的蚀刻补偿方法、装置、电子设备及存储介质 （华芯程(杭州)科技有限公司）

本申请实施例公开了一种版图的蚀刻补偿目标位置获取与目标位置关联的多个特征信息多个二维表中依次确定每个二维表对应的第二多个特征信息中获取每两个特征信息对应的补2获取蚀刻后的芯片版图，针对所述芯片版图中待补偿的目标依次从所述多个特征信息中选取两个特征信息，建立所述两个特根据所述特征参数从所述多个二维表中依次确定每个二维表对应的第二补偿值，包根据多个第二补偿值和多个特征信息对目标补偿值的影响因子计算根据所述目标方向和移动距离对所述芯片版图中的目标位获取模块，用于获取蚀刻后的芯片版图，针对所述芯片版图中待建立模块，用于依次从所述多个特征信息中选取两个特征信息3确定模块，用于根据所述特征参数从所述多个二维表数对应的第二区间，根据所述第一区间和所述第二区间确定所述二维表对应的第二补偿计算模块，用于根据多个第二补偿值和多个特征4[0002]蚀刻偏差(Etchbias)是集成电路制造中蚀刻工艺引起的图形的尺寸变化（比如表格的行和列一次性只能对图形的两个考虑因素进行蚀刻补偿工艺，如考虑图形的线宽/[0009]根据多个第二补偿值和多个特征信息对目标补偿值的影5述存储器中存储有计算机程序，所述处理器通过调用所述存储器中存储的所述计算机程6其在该具体实施例中的解释或者进一步结合该具体实施例中上下骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交7[0045]如图1所示，图1是本申请实施例提供的版图的蚀刻补偿8[0055]在一实施例中，上述二维表中的变量x和变量y可以通过范围区间的方式进行排[0057]104、根据多个第二补偿值和多个特征信息对目标补偿值的影响因子计算目标补以依据上述目标补偿值对芯片版图中待补偿的目标[0059]在本实施例中会根据蚀刻后的芯片版图自动测量计算版图中目标位置的各个特[0060]由上所述，本申请实施例提出的版图的蚀刻补偿方法可以获取蚀刻后的芯片版图，针对芯片版图中待补偿的目标位置获取与目标位置关联的多个特征信息以及特征参补偿值，根据多个第二补偿值和多个特征信息对目标补偿值的影响因子计算目标补偿值，[0062]请参阅图2，图2是本申请实施例提供的版图的蚀刻补偿方法的第二种流程示意度L以及临边间距L_adj。进一步的，针对上述4个特征信息进行测量可知BD的长度L为4009[0083]207、根据多个第二补偿值和多个特征信息对目标补偿值的影响因子计算目标补以依据上述目标补偿值对芯片版图中待补偿的目标[0089]由上所述，本申请实施例提出的版图的蚀刻补偿方法可以获取蚀刻后的芯片版图，针对芯片版图中待补偿的目标位置获取与目标位置关联的多个特征信息以及特征参第二测量值计算多个偏差值，并将多个偏差值作为两个特征信息对应的多个第一补偿值，[0091]例如，如图4所示，是本申请实施例提供的版图的蚀刻补偿装置的一种结构示意[0094]确定模块303，用于根据所述特征参数从所述多个二维表中依次确定每个二维表[0095]计算模块304，用于根据多个第二补偿值和多个特征信息对目标补偿值的影响因图，针对芯片版图中待补偿的目标位置获取与目标位置关联的多个特征信息以及特征参补偿值，根据多个第二补偿值和多个特征信息对目标补偿值的影响因子计算目标补偿值，[0103]根据多个第二补偿值和多个特征信息对目标补偿值的影[0111]处理器402是计算机设备的控制中心，利用各种接口和线路连接整计算机设备的[0116]根据多个第二补偿值和多个特征信息对目标补偿值的影储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或者是包含一