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文档简介
电路基础
主要内容:讲解元器件的认识、测量和代换;
教学目的:1、使每个学员认识并会测量和替换笔记本主板上的元器件;
2、掌握三极管、MOS
路中的作用和工作方式;
3、了解门控芯片、精密稳压器、线性稳压器、运算放大比较器、门电路。等芯片的功能和作用;
11电路电力系统中负载:电路的组成及功能电路——由实际元器件构成的电流的通路。电路组成电源:可将其他形式的能量转换成电能、向电路提供电能的装置。可将电能转换成其他形式的能量、在电路中接收电能的设备。中间环节:电源和负载之间不可缺少的连接、控制和保护部件统称为中间环节,如导线、开关及各种继电器等。电路的功能电子技术中的电路可对电信号进行传递、变换、储存和处理。的电路可对电能进行传输、分配和转换。2
线路板:(PCB)printcircuitboard
线路板的组成:线路板又称印刷电路板,一般是两层板、四层板、六层板。由环氧树脂板(绝缘)和敷铜板组成,电路是敷铜板经过三氯化铁腐蚀而成。在印刷电路板上我们可见:元件孔、线路(铜泊、敷铜)、阻焊膜、(红色、紫色、绿色等级)、焊盘、(焊点、)过孔、(孔壁镀铜、连接各层线路)3电路的基本公式:
欧姆定律:I=U/R
I:电流安AmA
U:电压伏VmV
R:电阻欧ΩmΩ
电功率:P=IU=I2R=U2/R
电功:W=Pt=1千瓦·1
小时=1千瓦时
P:功率瓦W
1度电=1000瓦时
4交流电和直流电:
交流电:大小和方向都变化(正弦波)直流电:(脉动直流)大小变,方向不变平滑的直流:大小方向都不变5IC引脚序列678大家有疑问的,可以询问和交流可以互相讨论下,但要小声点9死区时间,上下管驱动信号均为低电平10电阻的串并联特性和作用11电阻的作用:
a、降压:
在电源与负载之间
串入一个电阻起降低电压的作用;12b、分压:
两个电阻串联构成分压电路,
提供合适的电压给负载
13发光二极管的工作电流很小,为了防止其烧毁或延长电源的使用时间,要将电路的电流限制在其工作电流范围内,根据欧姆定律可以计算出R1的值。
I=V/(R1+RD)(此时的I值应该是发光二极管的工作电流值),相信不难求出电阻的值。C、限流:限制电路中电流的大小:
发光二极管必须接电阻;14电容器:capacitor1、符号和单位:符号:
C、(TC、CT、CB、BC、CM、MC、CE、EC、CC、CN、CP)单位:法(F)、微法(μF=10-6F)、纳法(nF=10-9F)、皮法(pF=10-12F)电容的常用单位是微法、纳法和皮法;电容的默认单位是微法;1516特性和作用:
a、特性:电容是一种能够储存电能的元件,通过充电和放电来储存和释放电能;有如下特性:1)充放电储存和释放能量;2)通交流而隔直流;3)通高频交流电而阻碍低频交流电;4)电容不允许加在其两端的电压发生突变,电容的充放电需符合一定的规律,其充放电常数τ=RC
5)容抗:电容对交流电的阻碍作用,用Xc表示,单位为Ω。
XC=1/(2πfc)其中2π为常数,f为频率,c为容量
17电容的串并联:
电容的容量与极板面积成正比,
与极板间的距离成反比;
1)串联:串联使总电容容量减少,耐压值提高;
2)并联:增加容量,但耐压不变18电容的作用19整流后电容滤波波形图203)隔直:
串联在电路中,隔断直流信号;
C1、C2是耦合电容,传输音频交流信号,C2同时有隔直流的作用,防止直流烧坏扬声器;214)旁路:
为交流提供一个额外的通路;
滤除调频调幅的干扰信号;
这种功能主要用于音频电路中的中放电路,消除由于前级高频放大从天线引入的杂波和干扰信号;225)谐振:
电容与电感或晶振一起,产生振荡信号
6)定时(延时):236、测量判断与代换:
1)电容两端阻值无穷大为好,刚测的时候有阻值但马上会慢慢变大,等数值没变化时为正确值。
2)怎样判断电容的好坏:维修时先检查目测电解电容顶部的防爆槽是否裂开,顶部鼓起来的、漏液的一律更换掉。测量容量偏差太大的以及用试波器看波形,波形不对的也一律更换掉;
3)常见电容故障有:容量减小、漏电、软故障、高压电容有时会击穿。
4)代换原则:
尽量原值代换,滤波电容容量可以稍大;
谐振电容必须用同类型的代换;
贴片的无极性电容可以用体积和颜色一样的代换。
最好:通功能电路代换。
(因为电容有耐压值之分,小耐压换高耐压会被击穿短路)
24电感:1、符号和单位:符号:L单位:1亨(H)=1000毫亨(mH)
1mH=1000微亨(μH)252、特性与作用:
1)特性:
a、自感储能(能把电能转化为磁能储存起
来,也能把磁能转化为电能释放出来)
b、通直阻交:
c、通低频阻高频
电感类型:贴片电感和线圈电感
2627作用:
a、滤波:电感的滤波作用与电容非常相似,只不过电容是并联在电路中,而电感是串联在电路中,它相当于一个电源,这两个电源是串联关系。单独电感做滤波的情况比较少,一般与电容配合使用组成L型或π型滤波电路,滤波效果才更佳。28L型滤波和π型滤波29b、储能:c、振荡:由电感和电容组成的电路;
d、过流保护:故障最多的是接口附近的贴片电感。303、电感的测量与代换:
⑴判断好坏:
①从外观上观察电感的磁环及线圈的颜色,正常的为金属光泽,因为它们的表面涂过绝缘漆,烧了就没有光泽了;
②将万用表置于二极管档,测电感的两端,显示“000”为正常,有数值则损坏;
⑵电感线圈的代换:
■磁环大小一致;
■线圈匝数一致;
■铜线粗细一致;(线径)
同样大小的贴片电感可以用0欧电阻、保险、导线代换;
电感线圈又做保险,又抗干扰;
31⑶线圈不太可能烧断,台式机基本不出故障;修液晶显示器会遇到电感线圈接触不良。
对笔记本电脑贴片式的电感线圈是扁铜条绕的,与台式机比较,它变薄了,笔记本电脑怕摔,可能造成电感虚焊,机器工作不稳定,运行小程序没事,运行大程序电流一大,就“死机”或蓝屏,一般先对电感加焊再说。笔记本电脑上有四个脚的电感;1394口边上有一种16脚的电感,比较特殊;32变压器1、符号:T.B332、变压器的原理:变压器用于交流或脉冲电压的变换(有一个电压需要得到另一个电压),是一个电→磁→电的转换过程(通过互感实现电压变换);3、变压器的特性:
■变压器的电压比等于匝数比;U1/U2=N1/N2■在理想(不考虑磁通量、铁芯线圈发热等损耗)状态下,初级的功率与次级的功率应该相等,即P1=P2;变压器的功率主要由次级决定;I1U1=I2U2实际上输出的功率要比输入的少。
■如果使用时超过了额定的设计功率就可能发热而烧毁。342、变压器的分类:
按变压的种类分:
①升压变压器;
②降压变压器;
③隔离变压器;(网卡上叫网络变压器)
按使用的频率分:
①高频变压器;磁芯(开关电源)
②低频(工频)变压器;铁芯(硅钢片)35变压器的代换原则:
1、原型号代换;
2、不同型号代换;必须考虑:
①电压;
②功率;
③体积;
④引脚排列;36晶振:1、符号:X、Y(晶振由压电石英晶体制成)
2、频率:时钟:14.318Mhz南桥:32.768khzI/O:32.768khz声卡:24.576Mhz网卡:25.00Mhz显卡:27Mhz
3、代换原则:原值代换不可偏差。同型号原值代换。37笔记本电脑主板上四个脚的晶振有两种情况:
一种谐振电容在外面,
一种谐振电容在里面。(见下面的图)383、晶振的测量:①用示波器或频率计测在线工作时的波形或频率;②用万用表二极管档测晶振两端(脚),如果显示“1”为正常,如有读数值则损坏;(在主板上测应显示1000以上的数值)③对地打阻值,二极管档,红表笔接地,黑表笔分别接晶振的两个脚,数值在300-800之间为正常,而且两级数据应相等;④电压测量法:加电,用万用表直流20V电压档,黑表笔接地,红表笔分别接晶振的两脚,两脚对地电压不一样为正常。39二极管:a、符号:40b、分类:按功能分:1)整流二极管:普通、快恢复、超快恢复、肖特基
2)稳压二极管:3)开关二极管:4)发光二极管:5)光电二极管:按材料分:硅管、锗管按封装形式分:玻璃封装、塑料封装41c、特性与作用:1、特性:①单向导电性:电流只能从正极流向负极而不能从负极流向正极;②正向导通时有压降,普通硅管为0.6-0.7V;普通锗管为0.2-0.3V
发光二极管的压降1-5V③反向电压大于定值时会击穿;如1N40011A50V1N40071A100V42⑵作用:
①整流:把交流电变成直流电;
②限幅:限制电压幅度;43③稳压:
稳压二极管反向连接在电路中,
工作在特殊的软击穿状态,使两端电压保持稳定。
一旦电压超过其稳压值,稳压二极管就会软击穿反向导通,将高出的电压对地短路掉;
当电压低于稳压二极管的稳压值时,稳压二极管是截止的。
注意:如果所加的反向电压过大,超过了稳压二极管的允许值,就会击穿短路、也可能烧断或者稳压电压值改变。
44稳压二极管的应用举例:45
④LED:光源、指示、显示、传递信号;
⑤光电二极管:光传感器、光电控制;
⑥钳位:
46好坏的判断:
普通二极管只有一组数值就是好的
(从电路上拆下来测量);
常见故障为击穿或烧断;
代换:
同型号代换或用同类型的、
参数接近的代换;
47晶体三极管:电流控制型器件,按导电类型分为PNP管和NPN管;电路符号及常见型号:
图中箭头的方向是发射极e加正向电压时电流的方向
NPN型三极管型号:T04、SIA、IAM、KIN、IP、IAP.PNP型三极管型号:T06、2B、2A.工作状态:在实际电路中,主要应用了放大电路和开关电路。
1、放大电路:当基极(输入端)输入一个较小的基极电流时,其集电极(输出端)将按比例产生一个较大的集电极电流,这个比例就是三极管的电流放大系数。(VC>Vb>
Ve)482、开关电路:三极管在电路中通常用做电子开关。在开关状态下的三极管处于饱和(导通)状态和截止状态。a、饱和(导通)状态:三极管的发射极加正向电压时,这时集电极与发射极之间的电阻很小,就像开关闭合一样,三极管处于饱和(导通)状态;(Vb>Ve)b、截止状态:三极管的发射极加反向电压或两断电压为零时,这时集电极与发射极之间的电阻很大,就像开关断开一样,三极管处于截止状态;;(Vb≤Ve)49三极管的作用:放大、开关和稳压作用。三极管的检测与代换:用档找基极:用一个表笔接任意一脚,另一表笔分别接另外两脚,如果两次都有400~600的数值,则不动的表笔接的就是基极b;集电极与发射极:两次阻值中,较大的一次接的是发射极e,小的一次是集电极c;红表笔接基极b,能测出两组数值的是NPN管;黑表笔接基极b,能测出两组数值的是PNP管;在路测量时,无论表笔怎么接,所测阻值不能为0或1(∞);50
场管N沟道增强型MOSFET的结构
取一块P型半导体作为衬底,用B表示。
用氧化工艺生成一层SiO2
薄膜绝缘层。
然后用光刻工艺腐蚀出两个孔。
扩散两个高掺杂的N型区。从而形成两个PN结。(绿色部分)
从N型区引出电极,一个是漏极D,一个是源极S。
在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。N沟道增强型MOSFET的符号如左图所示。左面的一个衬底在内部与源极相连,右面的一个没有连接,使用时需要在外部连接。51MOS:电压控制型器件,有N沟道和P沟道之分;
衬底中箭头的方向表明是N沟道还是P沟道:箭头朝里的是N沟道,箭头朝外的是P沟道。实物外形:DSGB衬底N沟道增强型图符号DSGB衬底P沟道增强型图符号52N沟道MOS管(单管)P沟道MOS管(单管)复合MOS管SI4435SI48356986S53特殊脚位MOS管G1S2G2D1D2/S14816G1S1S2G2D14814D24235546脚中功率MOS管(有N沟道和P沟道)N沟道MOS的导通条件:VG>VS(八脚MOS管大于4.5V,三脚MOS管大于3V)P沟道MOS的导通条件:VG<VS(八脚MOS管小于4.5V,三脚MOS管小于3V)VGS<VT(开启电压0.45V-3V):MOS管工作在截止区,漏源电流IDS≈0,输出电压VDS≈VDD
,MOS管处于“断开”状态;VGS>VT(开启电压0.45V-3V):MOS管处于“导通”状态,VD≈VS
;55N沟道增强型MOSFET的工作原理
对N沟道增强型MOS场效应三极管的工作原理,分两个方面进行讨论,一是栅源电压UGS对沟道会产生影响,二是漏源电压UDS也会对沟道产生影响,从而对输出电流,即漏极电流ID产生影响。
1.栅源电压UGS的控制作用
先令漏源电压UDS=0,加入栅源电压UGS以后并不断增加。
UGS带给栅极正电荷,会将正对SiO2层的表面下的衬底中的空穴推走,从而形成一层负离子层,即耗尽层,用绿色的区域表示。
同时会在栅极下的表层感生一定的电子电荷,若电子数量较多,从而在漏源之间可形成导电沟道。
沟道中的电子和P型衬底的多子导电性质相反,称为反型层。此时若加上UDS
,就会有漏极电流ID产生。反型层
当UGS较小时,不能形成有效的沟道,尽管加有UDS
,也不能形成ID
。当增加UGS,使ID刚刚出现时,对应的UGS称为开启电压,用UGS(th)或UT表示。56检测与代换:用档测量
N沟道:黑表笔接D,红表笔接S,有400~6
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