CN119419129A 芯片状态检测方法 （杭州长川科技股份有限公司）_第1页
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文档简介

标坑位高度Z51，另一坑位为实际坑位并对应实际坑位高度Z52；以目标坑位中的芯片状态为基工位其他结构配合，从而有效提高芯片检测效2移动激光位移传感器，使其依次经过料盘工位上的各个坑位，获取任意两个坑位对应的检测高度，以其中一个坑位为目标坑位获取所述目标坑位高度Z51与所述实际坑位高度Z52之间的对比差值|Z5值作为对比基准，所述不同阈值为所述目标坑位高度Z51和所述实际坑位高度Z52不同时，所述将对比差值与对比阈值范围进行对比，以判断实际坑位中的芯片坑位中的芯片状态与所述目标坑位中的芯片4.根据权利要求3所述的芯片状态检测方法，其特征在于，所述获取对比阈值范围包对比所述芯片厚度和所述检测差值，并对所述检测差值进行有效范围内的增大和缩所述目标坑位处于所述有料状态：若是所述对比差值与所述对比阈值范所述目标坑位处于所述无料状态：若是所述对比差值与所述对比阈值值作为对比基准，所述相同阈值为所述目标坑位高度Z51和所述实际坑位高度Z52相同时，3所述将对比差值与对比阈值范围进行对比，以判断实际坑位中的芯片坑位中的芯片状态与所述目标坑位中的芯片状所述目标坑位处于所述有料状态：若是所述对比差值与所述对比阈值范所述目标坑位处于所述无料状态：若是所述对比差值与所述对比阈值范8.根据权利要求5或7所述的芯片状态检测方法，移动所述激光位移传感器至所述实际检测点的上方，并向所述实际检测点发射点激移动所述激光位移传感器至各个所述实际检测点的上方，并向4[0002]在芯片检测中，会采用激光扫描的方式对料盘上各个坑位中的芯片状态进行测[0015]所述将对比差值与对比阈值范围进行对比，以判断5[0024]所述以目标坑位中的芯片状态为基准，对比目标坑位高度Z51与实际坑位高度[0025]所述目标坑位处于所述有料状态：若是所述对比差值与所述对比阈值范围相匹[0026]所述目标坑位处于所述无料状态：若是所述对比差值与所述对比阈值范围相匹[0028]所述将对比差值与对比阈值范围进行对比，以判断实际坑位中的芯片状态与所述目标坑位中的[0030]所述以目标坑位中的芯片状态为基准，对比目标坑位高度Z51与实际坑位高度[0031]所述目标坑位处于所述有料状态：若是所述对比差值与所述对比阈值范围相匹[0032]所述目标坑位处于所述无料状态：若是所述对比差值与所述对比阈值范围相匹6[0039]获取各个所述坑位的对角线，在所述对角线上选取至少三个[0046]图4为图3提供的芯片状态检测方法中第一种方案中的有料状态和无料状态的判[0048]图6为图5提供的芯片状态检测方法中第二种方案中的有料状态和无料状态的判7包括一个或多个相关的所列项目的任意的和坑位为目标坑位并对应目标坑位高度Z51，另一坑位为实际坑位并对应实际坑位高度Z52，8组。其只要能够通过任意两个坑位对比的方式获取料盘工位上各个坑位内的芯片状态即[0071]如图5所示，当以相同阈值作为对比基准时，将对比差值与对比阈值范围进行对9[0100]移动激光位移传感器至各个实际检测点的

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