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文档简介
2024.12.20PCT/EP2023/0693422023.07.12WO2024/017737EN2024.01.25条件而监视评估装置的状态并生成指示在评估及分析候选缺陷信号以确定候选缺陷是否为真实缺陷;其中如果状态信号指示评估信号和/或与候选缺陷相对应的候选缺陷信号已受到错误2处理所述评估信号以标识候选缺陷并输出候选缺针对错误状况,监视所述评估装置的状态并生成指示其中所述候选缺陷的分析包括使用状态信号来验证所述评估信号和/或与所述候选缺2.根据权利要求1所述的方法,其中所述错误状况包括以下中的一项或多项:异常振3.根据权利要求1或2所述的方法,还包括生成用5.根据前述权利要求中任一项所述的方法6.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所7.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述评估装置是带电粒子评估装置,所述带电粒子评估装置被配置为通过跨所述样品的表面相对地扫描带电粒子束来检测样束信息指示所述多个带电粒子束中的哪个带电粒子束受到错准评估信号并分析这种校准评估信号来标识所述多个束10.根据权利要求8或9所述的方法,其中针对错误状况而监视所述评估装置的状态包11.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述评估信号包括描述候选缺陷的3状态监视器,被配置为针对错误状况而监视所述评估系统的状态并其中如果使用所述状态信号的验证指示所述评估信号和/或与所述候选缺陷相对应的述异常检测器被配置为检测所述子系统对所述控制信号的4[0002]本申请要求于2022年7月21日提交的美国申请63/39[0003]本文所提供的实施例总体上涉及带电粒子评估系统和操作带电粒子评估系统的衬底或其他物体/材料的表面是其制造期间和/或之后[0006]当图案检查装置被用于以高吞吐量检测样品上的缺陷时,会生成大量图像数B1和US9,436,985B1描述了减少噪声或提高从扫描电子显微镜获得的图像中的信噪比的[0007]本公开的目的是提供避免或改善影响用于检测缺陷的带电粒子评估装置的性能状况而监视评估装置的状态并生成指示在评估装置的运行期间的任何错误状况的状态信5状况而监视评估装置的状态并生成指示在评估装置的运行期间发生任何错误状况的状态使用状态信号来验证评估信号和/或与候选缺陷相对应的候选缺陷信号是否已受到错误状否为真实缺陷;其中如果状态信号指示评估信号和/或与候选缺陷相对应的候选缺陷信号选缺陷信号以确定候选缺陷是否为真实缺陷;其中如果估信号以基于针对每个检测器元件对评估信号中的属性信息的分析来标识样品上的缺陷6配置为控制带电粒子评估系统以确定束栅格的一个或多个束的故障并标识故障束的束标栅格中的多个带电粒子束和样品以使得栅格经过该表面来检测样品中的缺陷;该装置包置为控制带电粒子评估系统以确定束栅格的一个或多个束的故障并标识故障束的束标识;并且基于故障束的束标识,从处理和/或分析中移除故障束的检测信号或从故障束的检测状况而监视评估装置的状态并生成指示任何错误状况的发生和否则指示操作状态的状态7生,该发生将影响在发生期间生成的评估信号和/或与候选缺陷相对应并从评估信号中导[0022]从结合附图对示例性实施例的描述中,本公开的上述和其他方面将变得更加明权利要求中所述的与本发明相关的各方面一致的装置和方法的示例。[0030]电子设备的增强计算能力(其减小设备的物理尺寸)可以通过显著增加IC芯片上8束检查装置可以以比单束检查装置高得多的速度检[0035]现在对图1进行参考,其是图示了示例性带电粒子束评估系统100(或简称为评估电路装置被配置为执行各种信号和图像处理功能。虽然控制器50在图1中被示出为在包括9样品支架207可以分别被称为子系统。电子源201和投射装置230可以被合称为电子光学设处理功能。控制器50还可以生成各种控制信号来管控带电粒子束检查装置(包括带电粒子介于0eV与初级子束211、212和213的着陆能量之间的电子能量。由于检测到的能量小于检测与初级束中的一个初级束相关联的从样品208发射的信号粒子(其可以另外被称为子面中的一个轴或者例如在样品平面中的样品表面上的两个主轴(它们可以彼此正交)偏转[0049]控制器50可以控制致动台209在检查样品208期间移动样品208。控制器50可以使得致动台209至少在样品评估期间在某一方向上(例如连续地、例如以恒定速度)移动样品于检查扫描元件的特性和步进(例如扫描过程中的步进和/或扫描过程的扫描)(例如,如2021年5月3日提交的EPA21171877.0中所公开的)来控制台速度(包括其方向和期间)和/[0050]本文件中对相对地扫描一个或多个带电粒子束和样品的引用旨在涵盖移动样品致动台可以被致动以相对于带电粒子束的束[0051]已知的多束系统,诸如上述的电子束装置40和带电粒子束评估系统100,在估的样品中的缺陷。图3中描绘了用于检测由带电粒子评估装置生成的图像中的缺陷的数据处理装置(或设备)500。数据处理设备500器50的一部分、工厂中的另一台计算机的一部分或被集成在带电粒子评估系统100中的其置40或者甚至带电粒子评估系统100中方法是将样品的一部分的图像(在本文中被称为样品图像)与参考图像进行比较。在实践能意味着与参考图像不同并且具有与参考图像相同(即与参考图像没有区别)的相邻像素过设置用于确定缺陷存在的阈值来控制误报率。阈值可以是像素与参考图像相比的差异,[0060]为了确定源图像与参考图像之间的像素或像素区域的差异是否表示被检查图案可方便地由专用硬件(例如FPGA或ASIC)实现。这种专用硬件可以比编程的通用计算设备[0063]参考图像生成器503可以在一种或多种模式下操作,每种模式表示生成参考图像一个和样品图像来自样品的不同裸片(例如,以使得可以比较不同裸片的表面的相似部异可以被视为候选缺陷。样品图像与不同参考图像之间的比较中共同的差异被视为缺陷。器以在将图像供应给参考图像生成器503和滤波器模块501之前对准图像。在一种布置中,望将参考图像生成器实现在与比较器和/或滤波器模块相同的专用硬件中。在适当的情况考图像的或参考图像的像素数据片段)和/或关于由样品图像与参考图像之间的差异量级[0074]于2021年5月3日提交的EPA21171877.0中公开如作为束栅格)的视场内具有慢速和快速扫描方向的扫描实施例,这可以被称为混合跳跃[0075]带电粒子评估系统100可以具有高吞吐量和高分辨率,这意味着可以以高速率输定它们是否是实际缺陷。这种误报可能至少在最初或表面上看起来与实际缺陷难以区分。时间信息和指示瞬态错误状况的持续时间的或检测器)的子集。这种补救动作可能仅被应用于从受错误状况影响的特定特征或特征群[0081]图4中描绘了作为带电粒子评估装置(作为评估装置的示例)一部分的本发明的实例如诸如在束栅格中的束阵列中)的带电粒子评估装置的情况下,评估信号也可以被链接[0083]带电粒子评估装置还包括状态监视器300,其被配置为针对错误状况而监视S3带电粒子评估装置的状态,并生成指示在评估装置的运行期间的任何错误状况的状态信号动可能是频率超出正常振动期间发生的振动频率的振动和/或超出正常操作期间的振动的只有具有预定量级和/或持续时间的事件才可能被视为错误状况。其他错误状况当然是可[0085]温度传感器(诸如温度计)可以检测带电粒子评估装置或其一部分的温度的异常评估装置在其中操作的洁净室的温度控制系统的故[0086]气压计或真空计322可以检测带电粒子评估装置或其部分中的异常压力,例如瞬以使用更复杂的信号分析来区分正常操作声音和指示[0088]电压检测器或电流检测器可以检测带电粒子评估装置或[0090]传输通道241将检测信号从检测器单元240传输到信号处理系统280。传输错误检这种传输错误可能是瞬时错误。传输错误检测器242可以被配置为将传输错误信号传送到[0091]带电粒子评估装置具有控制器50,其生成用于控制带电粒子评估装置的子系统[0092]可以提供通信接口330以将评估信号和错误状态信号传送到外部装置,例如数据[0093]在实施例中,评估信号包括描述样品上的缺陷候选的数[0094]数据处理装置500处理评估信号,该评估信号包括与样品的属性相关的属性信息[0095]分析单元不完成对在状态信息指示带电粒子评估装置处于错误状态时生成的属延长和/或非局部错误状况可能导致评估系统的操作态。候选缺陷的时间或几何重合可能更有可能由于带电粒子评估装置中的错误状态而出装置中的单个检测器、束或列)的属性信息中的候选缺陷率高很可能是源自于该子系统的陷的图案是否更有可能指示错误状态而不是样品上的实际缺陷。如果存在重合的候选缺时间和/或每个束群组的候选缺陷数量的阈值可能就足够了。这种阈值可以基于被评估的样品中的预期缺陷率和/或带电粒子评估装置中的历史错误率来设定。也可以使用更复杂[0099]一旦通过对候选缺陷的分析已标识出故障状态,就可以采取如上所述的补救动游和下游的引用旨在是指与任何现有重力场无关的束路[0103]本文所描述的实施例可以采取一系列孔阵列或沿着束或多束路径而被布置成阵件(例如从束限制孔阵列到样品之前的子束路径中的最后一个电子光学元件)可以是静电[0105]根据本公开的评估工具或评估系统可以包括对样品进行定性评估(例如通过/失评估工具或系统的示例是检查工具(例如用于标识[0106]对可控制以某种方式操纵带电粒子束的组件或组件或元件系统的引用包括配置可以电连接到一个或多个组件以在控制器或控制系统或控制单元的控制下将电位施加到以使用一个或多个控制器、控制系统或控制单特定类型的处理器可以在降低成本和/或提高处理速度方面提供优势,并且本发明的方法理器和存储用于执行本发明的方法的指令的存储器或[0109]由计算机和处理器(诸如控制器或控制系统或控制单元)提供的功能性可以由计和/或与所述候选缺陷相对应的所述候选缺陷信号已受到错误状况的影响,则对候选缺陷使用状态信号来验证所述评估信号和/或与所述候选缺陷相对应的所述候选缺陷信号是否力波动和评估装置的子系统的异常响应,期望地,这种异常响应是暂时发生和/或部分发包括相对地扫描所述样品的表面和所述多个带电粒子束,并且所述状态信号包括束信息,所述束信息指示所述多个带电粒子束中的哪个带电粒子束受到错误状况成校准评估信号并分析这种校准评估信号来标识所[0121]条款10.根据条款8或9的方法,[0122]条款11.根据前述任一条款陷信号以确定所述候选缺陷是否为真实缺陷;其中如果所述状态信号指示评估信号和/或指示所述评估信号和/或与所述候选缺陷相对应的所述候选缺陷信号已受到错误状况的影[0126]条款15.根据条款13或14所述的评所述检测器单元传输到所述信号处理器和/或在所述信号处理器与分析单元之间传输;并带电粒子评估装置被配置为通过跨所述样品的表面相对地扫描带电粒子束来检测样品中[0132]条款21.根据条款20的评估系统述样品的表面相对地扫描多个带电粒子束来检测所述算机程序包括执行根据条款1至12中任一项从评估装置接收表示候选缺陷的候选缺陷信号和指示在评估装置的运行期间的任何错误[0137]条款26.根据条款24或25所述的方法[0138]条款27.根据条款24、25或26[0139]条款28.根据条款24至27中任一项所述于执行根据条款24至28中任一项所述的[0141]条款30.一种带电粒所述分析单元被配置为分析来自不同检测器元件的属性信息以确定与束栅格的一个或多[0142]条款31.根据条款30所述的带电[0143]条款32.根据条款30或31所述的带电粒[0144]条款33.根据条款30或31所述的带电[0145]条款34.根据条款30至33中任一项[0146]条款35.根据条款30至33中任一项所[0147]条
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