CN119432363A 一种量子点及其制备方法及组合物、光电器件 （浙江大学）

件本发明提供了一种量子点及其制备方法及至少4个ZnSe单层结构，其表面可以进一步可控生长ZnS外壳层，所述量子点的表面配体包括长量子点核壳晶格不匹配而产生的拉伸应力被明面配体的协同作用下，使得量子点具有接近2层所受拉伸应力为0～3所述内核所受压缩应力为1～3%;3.根据权利要求1或2所述的量子点，其特征在于，所述量子点的平均圆度大于等于体在所述壳层的表面的分布密度小于短直链羧酸锌优选地，所述第一Se源中的Se的摩尔量与所述长直链羧酸锌8.根据权利要求6或7所述的量子点的制备方法，其特9.根据权利要求6_8任一项所述的量子点的制备方法，其特征在于，所述第一混合包先将量子点内核、长直链羧酸锌和第一非配位反应介质3羧酸锌的摩尔量与所述含有支链的羧酸锌的摩尔量的比值为0优选地，所述第二Se源中的Se的摩尔量与所述含有支链的羧将具有第一壳厚的核壳量子点、含有支链的羧酸锌和第二非配4光学和光电特性的核/壳层量子点的可控和可重复合成在很大主要是因为成功合成了纤锌矿和锌闪锌矿的且具有近乎理想的光学和光电性质的CdSe/不可避免的，高质量的QD发射体在蓝到绿发射窗口中很难通过CdS壳层包覆合成。总体而言，具有ZnSe壳层(可能具有额外的ZnS外壳)的核/壳量子点正逐渐成为该领域的主要目5[0014]优选地，所述内核的材料的晶格常数与所述ZnSe壳层的晶格常数差异在±5％以6[0043]将具有第一壳厚的核壳量子点、含有支链的羧酸锌和第二非配7[0057](1)本发明提供的量子点结构，形状和尺寸可控，且形貌均一，带边发射的荧光支链的羧酸锌本身大的位阻导致只有少部分配位到表面(但足以维持纳米晶胶体稳定性)，然后剩余的表面由第二短直链羧酸锌充分配位，由于二者的组合使得整个表面活性较高[0063]图5为实施例1_5提供的量子点的TEM图以及实施例1_6中的相同的CdSe内核的TEM[0065]图7为实施例1和实施例6提供的量子点的XRD图和实施例6中提供的量子点的TEM1_5)的不同壳厚(横坐标为ZnSe单层数量)的CdSe/ZnSe量子点的核和壳的相对晶格常数变8[0082]通过测试不同壳层厚度的量子点的拉曼光谱得到核与壳相对应的纵向声子的相拉伸应力约为0通过ZnSe壳层的拉伸应力与内核的压缩应力的协同配合，共同实现了9[0084]作为一个具体实施方式中优选的技术方案，量子点的粒径为4～12nm，例如4nm、[0086]作为一个具体实施方式中优选的技术方案，ZnSe壳层包括4～16个ZnSe单层[0092]作为一个具体实施方式中优选的技术方案，ZnSe壳层的带隙大于所述内核的带述壳层的表面的分布密度小于短直链羧酸锌[0095]作为一个具体实施方式中优选的技术方案，ZnSe壳层的表面还设置有ZnS壳层。ZnS壳层的厚度可以为小于等于4单层(M[0100]作为一个具体实施方式中优选的技术方案，长直链羧酸锌中长直链的C原子数为薄的第一壳层；然后在第二步中采用含有支链的羧酸锌和第二短直链羧酸锌作为配体(同相作用会明显改善量子点的QD的光致发光(PL)；使得核壳之间具有接近100％的PL量子产后剩余的表面由第二短直链羧酸锌充分配位，由于二者的组合使得整个表面活性较高(没[0115]第一Se源中的Se的摩尔量与所述长直链羧酸锌和第一短直链羧酸锌的摩尔量之[0116]作为另一个具体实施方式中优选的技术方案，长直链羧酸锌中长直链的C原子数[0118]作为另一个具体实施方式中优选的技术方案，第一短直链羧酸锌的短链中的C原[0119]作为另一个具体实施方式中优选的技术方案，第一非配位反应介质包括凡士林[0123]作为另一个具体实施方式中优选的技术方案，第一热处理的温度为2[0128]第二Se源中的Se的摩尔量与所述含有支链的羧酸锌和第二短直链羧酸锌的摩尔[0129]作为另一个具体实施方式中优选的技术方案，含有支链的羧酸锌具有式(I)所示[0132]作为另一个具体实施方式中优选的技术方案，第二短直链羧酸锌的短链中的C原[0133]作为另一个具体实施方式中优选的技术方案，第二非配位反应介质包括凡士林一定量的ODE混合后可以形成半流态凝胶。若可将无机(或有机)化合物制成细粉末(约100前体连续均匀自动化地引入到反应前体中，保证ZnSe壳层在热力学控制的状态下均匀生[0136]将具有第一壳厚的核壳量子点、含有支链的羧酸锌和第二非配[0137]作为另一个具体实施方式中优选的技术方案，第二热处理的温度为2点包括内核以及位于内核表面的ZnSe壳层时，量子点的FWHM为6～23nm，例如6nm～10nm，方式中所述的量子点或由另一个具体实施方式所述的制备[0158]所述量子点的表面配体包括硬脂酸锌配体、2_己基癸酸锌配体(简写为Zn[0159]所述ZnSe壳层的带隙大于所述内核的带隙；所述内核的材料的晶格常数与所述[0160]所述2_己基癸酸锌配体在所述壳层的表面的分布密度小于硬脂酸锌配体的分布混合物加热至290℃,然后将68nmol的纯化后的含有CdSe内核的ODE溶液(0.2mL)迅速注入烧瓶中，随即，通过自动注射泵以3mL/h的速度将4mLZn(Ac)2_Gel和(0.05mol/L)通过将Se粉末(0.2mmol)分散在ODE(2mL)和凡士林(2mL)中超声处理5分钟后并将混合物加热至290℃,然后将68nmol的纯化后的含有薄壳CdSe/ZnSe核/壳量子点的ODE4mLSe_Gel(Se_Gel(0.05mol/L)通过将Se粉末(0.2mmol)分散在ODE(2mL)和凡士林(2mL)[0170]本实施例与实施例1的区别为，本实施例中的ZnSe壳层包括2个ZnSe单层结构[0171]制备方法与实施例1的区别为：ZnSe制备时只有第一步反应，即以Zn(Ac)2[0174]本实施例与实施例1的区别为，本实施例中的ZnSe壳层包括4个ZnSe单层结构[0178]本实施例与实施例1的区别为，本实施例中的ZnSe壳层包括12个ZnSe单层结构[0182]本实施例与实施例1的区别为，本实施例中的ZnSe壳层包括16个ZnSe单层结构去除上清液，将沉淀物与100uL乙酸和5mL甲醇混合，混合物在80℃下保持4分钟后，在三颈烧瓶中混合，加热至310℃,然后将含有34nmol上述制备的纯化的CdSe/ZnSe核/壳QDs的ODE溶液(0.5mL)快速注入烧瓶中的反应混合物中，同时将3.5mL的S前体溶液(将S粉末[0196]本实施例与实施例6的区别为，本实施例中的ZnS壳层包括0.4个ZnS单层结构[0200]本实施例与实施例6的区别为，本实施例中的ZnS壳层包括1.3个ZnS单层结构[0204]本实施例与实施例6的区别为，本实施例中的ZnS壳层包括2.4个ZnS单层结构[0208]本实施例与实施例6的区别为，本实施例中的ZnS壳层包括2.7个ZnS单层结构[0216]本实施例与实施例6的区别为，本实施例中的ZnS壳层包括3.5个ZnS单层结构2[0228]将Zn(Ac)2(0.2mmol)和硬脂酸(0.6mmol)放置于25mL的三颈烧瓶中，加热至150合物加热至290℃,然后将68nmol的纯化后的含有CdSe内核的ODE溶液(0.2mL)迅速注入烧(0.2mmol)分散在ODE(2mL)和凡士林(2mL)中超声处理5分钟后得到)分别装在两个注射器2[0238]将Zn(Ac)2(0.2mmol)和硬脂酸(0.6mmol)放置于25mL的三颈烧瓶中，加热至150合物加热至290℃,然后将68nmol的纯化后的含有CdSe内核的ODE溶液(0.2mL)迅速注入烧瓶中，随即，通过自动注射泵以3mL/h的速度将4mLSe_Cl_Gel(Se为0.05mol/L，Cl为0.005mol/L)通过将Se粉末(0.2mmol)和棕榈酰氯(0.02mmol)分散在ODE(2mL)和凡士林点)；生长的时同时通过自动注射泵以3mL/h的速度将4mLZn(性是在一个包含光谱仪(Andor193i，配备300升/毫米光栅和iXonUltra897EMCCD)的表石英比色皿中的环己烷中溶解纯化的量子点来制备。激发源为一个473纳米的二极管泵浦[0264]图5示出了实施例1_5提供的量子点的TEM图以及实施例1_6中的相同的CdSe内核[0266]图7示出了实施例1和实施例6提供的量子点的XRD图和实施例6中提供的量子点的尺寸和发光性质有着显著不同的影响。以硬脂酸锌(ZnSt2)为锌前体和表面配体的唯一来体系统通过进一步释放配体诱导的应变使厚ZnSe壳层外延生长。XRD测试证实CdSe/2ZnSeQDs的晶格常数接近纯CdSe的晶格常数，这表明在表面配体应变适中但晶体结构控制良好施例1_5)的不同壳厚(横坐标为ZnSe单层数量)的CdSe/ZnSe量子点的核和壳的相对晶格常[0276]从图11可以看出，实施例6_实施例10的CdSe/ZnSe/ZnS量子点的FWHM在室温单颗[0277]从图12中可以看出，步骤1中CdSe/2ZnSe量子点的晶格常数接近纯CdSe量子点的>85%65%70%70%>85%65%70%70%65%87%>90%>90%>90%90%85%82%55%<30%60%<3%体诱导的应变并保持高的胶体稳定性。高质量的CdSe/ZnSe/ZnS核/壳/壳量子点室温下单