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适用于PECVD沉积隧穿多晶层工艺的石墨舟一种适用于PECVD沉积隧穿多晶层工艺的石墨舟舟表面沉积氮化硅膜，之后开启辉光进行氢处膜的厚度为375_700nm；且所述氢处理的条件包明能够沉积高质量的隧穿多晶层，提升钝化水22.根据权利要求1所述的适用于PECVD沉积隧3.根据权利要求1所述的适用于PECVD沉积温度为430_530℃,压力为2000_4000mtorr，功率为4000_6000W，反应时间为15_4.根据权利要求1所述的适用于PECVD沉积隧穿多晶层工温度为430_530℃,压力为1000_1500mtorr，功率为4000_6000W，反应时间为90_5.根据权利要求1_4中任一项所述的适用于PECVD沉积隧穿多晶层工艺的石墨舟饱和6.根据权利要求5所述的适用于PECVD沉积隧穿多7.根据权利要求1所述的适用于PECVD沉积求1_7中任一项所述的适用于PECVD沉积隧穿多晶层工艺的净层的氢含量为1e17cm_3_3e20cm_3，且氮化硅膜的厚度为50_100nm，氧化硅膜的厚度为10.根据权利要求9所述的适用于PECVD沉积隧穿多晶层工艺的饱和石墨舟，其特征在3度在300_600℃,且氧化硅膜的厚度d4适用于PECVD沉积隧穿多晶层工艺的石墨舟饱和[0001]本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种适用于PECVD沉积隧穿多晶层工[0003]目前业内管式PECVD主要用来沉积氮化硅，因此传统的石墨舟饱和工艺主要是使[0005]本发明的目的是为了克服现有技术存在的传统石墨舟饱和方法导致钝化水平严5[0013]在本发明的一些优选实施方式中，所述烘烤的条件包括：炉管内恒温至400_600℃,使用氮气吹扫，氮气流量为8_10slm，腔室压力为2000_5000mtorr，烘烤时间为90_过第一方面所述的适用于PECVD沉积隧穿多晶层工艺的石墨舟膜的厚度d根据隧穿多晶层的沉积温度T的升高67过第一方面所述的适用于PECVD沉积隧穿多晶层工艺的石墨舟8膜的厚度d根据隧穿多晶层的沉积温度T的升高9将上述实施例和对比例的饱和石墨舟分别用于现有的联合钝化背接触太阳能电墨舟上，在硅片背面采用管式PECVD沉积得到隧穿多晶层，隧穿多晶层的沉积温度T为400层（包含厚度为10nm的本征非晶硅和厚度为15nm的P型掺杂非晶硅之后在部分第二半导体层上形成与第二半导体开口区间隔排列的第一半导体开口区；在所得背面沉积导电膜层，并在位于第一半导体开口区与第二半导体开口区之间的部分导电

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