CN110767696B 显示面板及其制备方法、透明oled基板、阵列基板 （云谷（固安）科技有限公司）

A,2018.05.11A,2018.08.07U,2019.10.11U,2020.10.09A,2011.11.092所述发光功能膜层(3)形成于所述驱动电路层(所述导电层(4)形成于所述发光功能膜层(3)上，位于所述第一显示区(A)的导电层的所述第一显示区与所述第二显示区为AMOLED显示区；位于所述第一显示位于所述第一显示区的导电层的材料包括Mg和A3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，M位于所述有机发光材料与所述导电层之间的电子注入层，所述电子注入层的材料包括Ag，6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，位于所度与位于第二显示区(B)的导电层的厚度的比例范围为0.25:1～7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，位8.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述衬底(13层的厚度小于所述第三有机层的厚度，所述第一无机层的厚度等于所述第三无机层的厚下方、所述第一衬底的透明材料层的侧面与所述第二衬底之间和/或所述第一衬底的透明材料层的上端与所述第一衬底的叠层之间设置17.如权利要求16所述的显示面板，其特征在于，所述保护层的材料包括IZO、ITO、21.如权利要求1所述的显示面板，其特征在24.如权利要求23所述的显示面板，其特征在于，所述透明材料的透明率大于或等于428.如权利要求27所述的显示面板，其特征在于，所述透明材料的透明率大于或等于其中，所述器件区位于所述第一显示区下方，且所述器31.根据权利要求30所述的显示装置，其特征在在所述发光功能膜层上形成导电层，位于所述第一显示区的导所述第一显示区与所述第二显示区为AMOLED显示区；位于所述第一显示在所述发光功能膜层上形成第一导电膜层，所述第一导电膜5在所述第一导电膜层上形成第二导电膜层，所述第二导电膜层仅设置于第二显示区；在位于所述第二显示区的所述发光功能膜层上形在所述第一显示区的发光功能膜层上及所述第二显示区的第三导电膜层上形成第四37.根据权利要求34所述的制备方法，其特征在于，在所述凹槽内形成透明材料层之所述第一OLED基板与所述第二OLED基板共用同一衬底，且所述第一OLE能膜层与所述第二OLED基板的发光功能膜其中，所述驱动电路层包括多个第一驱动电路单元，所述第一述第二驱动电路单元包括的晶体管的数量大于所述第一驱动电路单元包括的晶体管的数648.一种显示屏，其特征在于，所述显示屏包括权利要求38其中，所述器件区位于所述第一OLED基板下方，且所述器件区50.根据权利要求49所述的显示设备，其特征在78第一衬底的透明材料层的下端面与所述第二衬的侧面与所述第二衬底之间和/或所述第一衬底的透明材料层的上端与所述第一衬底的叠示区的部分与位于第二显示区的部分的厚度相同，利于将显示面板的厚度整体上大致相9二晶体管的漏极分别与所述第一导电层连接，所述第二晶体管的源极与所述数据线连接；位于第二显示区的导电层的厚度，可使得第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率，[0054]在所述第一显示区的发光功能膜层上及所述第二显示区的第三导电膜层上形成[0077]根据本申请实施例的第六方面，提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括第一光功能膜层与所述第二OLED基板的发光功能膜层在同一设置，第一驱动电路单元的结构复杂度小于第二驱动电路单元的结构复杂度，从而第一基板及第二封装结构，所述第二封装结构设置在所述阵列基板上，所述阵列基板的第一率大于第二显示区的透光率，从而设置于第一显示区下方的感光元件可接收到足够的光d1小于位于所述第二显示区B的导电层的[0120]所述第二显示区B可至少部分包围所述第一显示区A，图1所41，导电层4位于第二显示区的部分包括第二子导电层42和位于第二子导电层42上的第三[0123]第二子导电层42和第三子导电层43中的一层可与第一子导电层41的材质相同且[0125]在一个实施例中，位于所述第一显示区A的第一子导电层41的厚度与位于第二显示区B的导电层的厚度(也即是第二子导电层42和第三子导电层43的总厚度)的比例范围可于第二显示区B的第二子导电层42和第三子导电层43的总厚度的范围可为12～20nm。如此设置，可保证第一子导电层41的透光率较好，同时保证导电层4的导电性能及机械性能良机发光材料和导电层4之间，空穴注入层和空穴传输层位于驱动电路层2与发光功能膜层3是电子注入层中Ag的质量与其他组分的质量的比值范围为1[0134]为了保证显示面板100工作时第二显示区B的亮度较高，需使第二显示区B的透光率较低，以减小第二显示区B的亮度损失。所述第二显示区B的第二衬底12的透光率可在材料层与第二衬底12的位于同层的无机材料层共用膜[0137]再次参见图4，所述第一衬底11的叠层112可包括第一有机层113和位于所述第一第三有机层123共用同一膜层材料，所述第一无机层114与所述第三无机层124共用同一膜膜层材料指的是二者材料相同且在同一工艺步骤中形成，第一有机层113与部分所述第三第一衬底11的叠层112的上端面与第二衬底12的上端面齐平，则第一衬底11的总厚度与第衬底11的透明材料层111的侧面与所述第二衬底12之间和/或所述第一衬底11的透明材料[0143]图3是一种显示面板100的第一显示区A及部分第二显示区B沿CC9的剖视图。参见位于平坦化层27上的阳极层23，以及设置在膜层之间的晶体管(未图示)和存储电容(未图[0144]第一显示区A为PMOLED显示区时，驱动电路层2位于第一显示区A中的结构可有如[0145]第一种方式中，参见图5(图5是一种显示面板100的第一显示区A及部分第二显示[0148]第一显示区A为AMOLED显示区时，驱动电路层2位于第一显示区A的部分中设置有[0149]第二显示区B为AMOLED显示区，驱动电路层2位于第二显示区B的部分中设置有多驱动电路单元中包括三个晶体管和一个存储电容)。第二驱动电路单元例如可为7TIC电路(即第二驱动电路单元中包括七个晶体管和一个存储电容)、5TIC电路(即第二驱动电路单第一导电层91，所述第一导电层91的一部分912作为所述存储电容的第一极板，另一部分路层2位于第一显示区的部分具有位于平坦化层27上的与第一驱动电路单元一一对应的阳[0153]需要说明的是，图6所示的驱动电路层2位于第一显示区A的部分除了图中所示的元的晶体管包括第一晶体管T1及第二晶体管T2，所述第一晶体管T1的源极及存储电容C的第一晶体管的栅极与存储电容C的第一极板D1连接；所述第二晶体管T2的栅极与所述扫描线连接，所述第二晶体管T2的漏极分别与存储电容C的第一极板D1及第一晶体管T1的栅极[0155]由于第二晶体管T2的漏极分别与存储电容C的第一极板D1及第一晶体管T1的栅极体管T1的源极分别与存储电容C的第二极板D2分别及所述电源线连接，第二导电层的一部[0157]第一驱动电路单元为3TIC驱动电路时，位于所述第一显示区A的驱动电路层还包晶体管还包括第三晶体管T3和第四晶体管T4，所述第三晶体管T3的源极与所述数据线连储电容C的第一极板D1及第一晶体管T1的栅极连接，所述第一晶体管T1的漏极与所述电源晶体管T4的栅极与所述第二扫描线连接，所述第四晶体管T4的源极与所述参考电位线连[0160]由于第三晶体管T3的漏极分别与存储电容C的第一极板及第一晶体管T1的栅极连T1的源极分别与阳极层及存储电容C的第二极板D2连接，所述第四晶体管T4的漏极与阳极层连接，而第三导电层的一部分作为存储电容C的第二极板D2，另一部分作为对应的阳极考电位线及所述阳极层均由透明材料制成。优选的，所述透明材料的透明率大于或等于覆盖在所述设备本体201上。其中，所述器件区202位于所述显示面板100的第一显示区下[0164]器件区202可以是开槽区，显示面板100的第一显示区可[0178]在步骤1013可在第二中间结构的基础上实施，在第二中间结构的基础上在凹槽[0181]其中，透明材料层111的下端面可与衬底层位于第二显示区B的部分的下断面齐[0185]在一个实施例中，所述在所述发光功能膜层上形成导电层的步骤104可通过如下盖位于第一显示区A和第二显示区B的发光功能A的部分只有第一导电膜层401，导电层4位于第二显示区B的部分包括第一导电膜层401和[0193]在另一个实施例中，在所述发光功能膜层上形成导电层的步骤104可通过如下步[0194]在步骤1043中，在位于所述第二显示区的所述发光功能膜层上形成第三导电膜19所示，第四导电膜层404覆盖第一显示区A的发光膜层3及第二显示区B的第三导电膜层404的厚度可与第一导电膜层401的厚度相同，第四导电膜层404的材料可与第一导电膜层[0202]上述的制备方法制备的显示面板与上述实施例提供的显示面板100属于同一构[0203]本申请实施例还提供了一种透明OLED基板300，如图20所示，所述透明OLED基板300包括衬底19、形成于所述衬底19上的驱动电路层29及形成于所述驱动电路层29上的发[0204]本申请实施例提供的透明OLED基板300，由于第一导电层的一部分作为所述第一应的阳极层239及第二导电层929，所述第二导电层929的一部分9229作为所述存储电容的第一晶体管的源极与所述第二导电层929连接，所述第一晶体管的漏极与对应的阳极层连元的晶体管可包括第一晶体管T1及第二晶体管T2，所述第一晶体管T1的源极及存储电容C第一晶体管的栅极与存储电容C的第一极板D1连接；所述第二晶体管T2的栅极与所述扫描线连接，所述第二晶体管T2的漏极分别与存储电容C的第一极板D1及第一晶体管T1的栅极[0209]由于第二晶体管T2的漏极分别与存储电容C的第一极板及第一晶体管T1的栅极连管T1的源极分别与存储电容C的第二极板D2分别及所述电源线连接，第二导电层的一部分存储电容C的第一极板D1及第一晶体管T1的栅极连接，所述第一晶体管T1的漏极与所述电[0214]由于第三晶体管T3的漏极分别与存储电容C的第一极板D1及第一晶体管T1的栅极体管T1的源极分别与阳极层及存储电容C的第二极板D2连接，所述第四晶体管T4的漏极与[0216]本申请实施例还提供了一种透明显示面板，所述透明显示面板包括上述的透明OLED基板及第一封装层，所述第一封装层设置在所述透明OLED基板的背离所述衬底的一[0219]本申请实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括第一OLED基板及第二功能膜层与所述第二OLED基板的发光功能膜层在同一[0222]在一个实施例中，所述第二OLED基板的驱动电路层包括所述第二驱动电路单元包括的晶体管的数量大于所述第一驱动电路单元包括的晶体管的管和一个存储电容)、4TIC电路(即第二驱动电路单元中包括四个晶体管和一个存储电容)第一极板形成之后再制备二者之间的连接结构，可简化第一驱动电路单元的制备工艺流感光元件能够透过该第一OLED基板对外部者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未公开的本技术领域中的公知常识