CN111007695B 光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）

US2005250041A1,2005.US2017075216A1,2017.US2004005513A1,2004.0US2015234272A1,2015.光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案本申请公开了光致抗蚀剂组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法。一种光致抗蚀剂成分包所述共轭部分是选自由以下项构成的组的一项23.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，还包括金属氧化物纳米颗粒和一种或多通过将显影剂施加到选择性曝光的光致抗蚀剂组合物层来显影所述潜在图案以形成34特征和第二特征之间形成附加特征，使得第一特征和第二特征可以不直接接触的实施例。或多个)特征的关系。这些空间相关术语意在涵盖器件在使用或工作中除了图中所示朝向之外的不同朝向。器件可能以其他方式定向(旋转90度或处于其他朝向)，并且本文中所用组成”。[0024]图1示出了根据本公开实施例的制造半导体器件的工艺流程100。在一些实施例5部分97被朝向涂覆有光致抗蚀剂的衬底10的Si/Mo多层75反射，而极紫外辐射的入射到吸促进在曝光过程中由辐射45/97撞击光致抗蚀剂层15而产生的酸/碱/自由基的产生、分散6晶格常数从衬底的晶格常数逐渐改变为随后形成的源极/漏极区域的晶格常数。缓冲层可较少)的光致抗蚀剂区域可溶于显影剂的光致抗蚀剂材料。暴露于辐射时变得不可溶的负性抗蚀剂的区域可能由于暴露于辐射所引起的交联反应基通过改善光致抗蚀剂组合物组分(包括光开关组分)的溶解度来改善光致抗蚀剂对比度。7中，共轭材料使电子/空穴离域，并然后增加电子/空穴的寿命以进行能量转移(即-e-→8[0054]在一些实施例中，将聚合物树脂和PAC以及任何期望的添加剂或其他试剂一起添异丙醇(IPA)、四氢呋喃(THF)、甲基异丁基甲醇(MIBC)、9[0058]在一些实施例中，用于烃结构的重复单元的特定结构包括下列项中的一项或多的具体示例包括金刚烷、降莰烷(norbornane)、异莰烷(isobornane)、三环十二烷[0065]在一些实施例中，聚合物树脂包括可以帮助增加光致抗蚀剂层15对下面的结构[0067]光致抗蚀剂的一些实施例包括一种或多种光敏化合物(PAC)[0074]如本领域普通技术人员将认识到的，本文所列出的化合物仅旨在作为PAC的例示所有这样的PAC完全旨在被包括在本实施例的剂用于将聚合物树脂中一种碳氢化合物结构中的一个基团与另一种碳氢化合物结构中的33环氧中用作偶联剂的材料的具体示例包括以下结构：一些实施例中，溶剂的选择使得聚合物树脂和PAC可以均匀地溶解到溶剂中并分配在要图钛、亮绿染料(C.I.42020)、维多利亚纯蓝FGA(Linebrow)、维多利亚BO(Linebrow)[0094]在光致抗蚀剂的一些实施例中添加表面平整剂，以帮助[0095]在一些实施例中，将聚合物树脂和PAC以及任何期望的添加剂或其他试剂添加到[0098]图3A和3B示出了光致抗蚀剂层的选择性暴露以形成曝光区域50和未曝光区域5[0099]在一些实施例中，辐射源(未示出)向光致抗蚀剂层15提供辐射45/97，例如紫外[0100]在一些实施例中，在光刻工具中使用光学器件(未示出)以在由光掩模30/65图案基与交联剂反应以与光致抗蚀剂层15的曝光区域内的其他聚合当旋转涂有光致抗蚀剂的衬底时，显影剂57从光致抗蚀剂层15上方施加到光致抗蚀剂层[0116]根据本公开的新型光致抗蚀剂成分和光刻图案化方法在更高的晶圆曝光吞吐量聚苯和聚苯胺由一个或多个取代基取代，所述一个或多个取代基选自由以下项构成的组择性地将所述光致抗蚀剂层曝光于光化辐射以形成潜在图案之后并且在显影所述潜在图述方法包括在选择性地将所述光致抗蚀剂层曝光于光化辐射以形成潜在图案之后并且在[0143]示例6.根据示例1所述的光致抗蚀剂成