CN111244074B 氮化镓半导体器件及其封装方法 （英诺赛科(苏州)半导体有限公司）_第1页
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本发明提供一种氮化镓半导体器件及其封一电气互连件和第二电气互连件两者中的至少2所述第一基板的背面设置有第一金属层，所述第一金所述第二基板的背面设置有与所述第一金属层电连接的第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层通过导电胶在所述第一基板的背面电镀铜形成与所述第二电气互连件电连接将所述第一金属层与所述第二金属层之间通过导电在所述第一衬板与第二衬板之间填充所述密封材料，并将所述密去除第一衬板和第二衬板，在所述绝缘胶上开设多个第一电极孔在所述第一电极孔、所述第二电极孔和所述穿玻通孔内电所述穿玻通孔内的电镀铜形成所述第一电气3统的封装方法为将这两颗芯片分别封装在两个封装件中然后在外部使用PCB板(印制电路4[0018]本发明的有益效果是，晶体管晶圆和二极管晶圆减薄切割后，采用嵌入式封装阴极23均位于第二基板21的正面211，第一基板11的背面112与第二基板21的背面212通过5在第一衬板与第二衬板之间填充密封材料3，并将密封材料3包裹在晶体管1和二极管2外。连件34位于穿玻通孔331内，且第一电气互连件34穿过密封材料33将源极313与阳极322电6

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