CN111430384B 一种太阳能电池组件、叠层太阳能电池及其制作方法 （通威太阳能(眉山)有限公司）

电池吸光的影响，保证硅基电池的效率和发电2作为顶电池的钙钛矿子电池，且所述钙钛矿子电池的正面通过第一透作为底电池的硅基子电池，所述硅基子电池的正面具有第一结合区隧穿结，具有相对的顶表面和底表面，所述隧穿结被4.根据权利要求1所述的叠层太阳能电池，其特征在于，所述硅基子电池为异质结电在所述N型非晶硅层上制作第一透明导电层，并在第一透明导电层上形成第一栅线电分别在所述P型非晶硅层的第一区域上制作隧穿结、3将第一透明导电层形成在所述P型非晶硅层上，并在第一透明导电层上形成第一栅线分别在所述N型非晶硅层的第一区域上制作隧穿结、片式的电池片阵列，由多个权利要求1至7中任意一项所述的叠4[0011]硅基子电池作为叠层太阳能电池的底电池。硅基子电池的正面具有第一结合区[0013]在第二方面，本申请的示例提供了一种叠层太阳能电池的制作方法包括以下步5[0015]将第一透明导电层形成在N型非晶硅层上，并在第一透明导电层上形成第一栅线[0019]在第二方面，本申请的示例提供了一种叠层太阳能电池的制作方法包括以下步[0021]在P型非晶硅层上制作第一透明导电层，并在第一透明导电层上形成第一栅线电[0029]在以上实现过程中，本申请实施例提供的叠层太阳能电且分别包括钙钛矿太阳能和硅基太阳能电池。该叠层太阳能电池的双面均可入光进行发6[0041]背面电极101为背面导电栅线(栅线电极)，一般为银栅。其可以采用丝网印刷制[0042]非晶硅p层103的厚度一般为10nm。其可以通过等离子体增强化学气相沉积以是n型硅片或者p型硅片。其一般厚度为150微米到250微米。非晶硅i层(本征非晶硅层[0043]非晶硅p层103到非晶硅n层107膜层一起组成SHJ电池的半导体层，其中负极与隧7[0047]正面透明导电层1013一般为氧化铟锡(ITO)。其可以通过磁控溅射制作，厚度为[0052]同时，叠层太阳电池的电子通过正面透明导电层1013和正面的银栅即正面电极[0054]该叠层太阳能电池的电学特性可以通过电流-电压曲线(J-V曲线)予以部分地反也可以通过其它测试手段考察其光电转换效率等其[0055]叠层太阳电池的开路电压(Voc)等于钙钛矿太阳电池的开路电压与电压之和；叠层电池的短路电流密度(Jsc)等于钙钛矿太阳电池的短路电流密度和SH钛矿电池的吸收层和空穴传输层出现损坏时将导致整个叠层电池不能够继续工作。换言8使得电池的光生电子无法正常地产生和传输，从而使电池的正面电极无法正常收集电子。[0060]由于硅基太阳能电池的寿命更长，为了使其在钙钛矿电池的背面电极和设置在硅基电池的如前述的附加的电极作为电池合。并且一些示例中，该隧穿结可以采取叠层，如双层结构设计(如p型纳米晶和n型纳米征之一，硅基材料的太阳能电池的底电池还具有一个附加的电极(后文将以副电极再次出9中的结构可以是同型异质结(例如P+/P结或N/N-结或P-/P结或N/N+结)，或者异型异质(例与钙钛矿子电池401(背面)结合、以底表面与硅基子电池400(正面)的第一结合区域[0081]另一种可选的示例中，硅基子电池为异质结电池，且具有依次层叠的N型非晶硅硅层为基底具有相对于硅基子电池中的其它结构层更大的厚是电镀。先通过掩膜在背面透明导电层202上蒸镀或者溅射一层薄的钛(Ti)或者锡(Sn)作[0087]非晶硅n层203，通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制作，其厚度为2nm到[0092]电池的硅基半导体层由上述的非晶硅n层203到非晶硅p层207膜层共同组成SHJ电[0094]采用磁控溅射沉积或反应等离子体沉积(RPD)在在非晶硅p层207上的另一选择区[0097]钙钛矿太阳电池的空穴传输层213选用氧化镍NiO或者硫氰酸亚铜(CuSCN)，厚度[0098]正面透明导电层214可以选择使用氧化铟锡(ITO)、氧化铟钨(IWO)通过磁控溅射其中一个本征非晶硅层上制作P型非晶硅层、其中另一个本征非晶硅层上制作N型非晶硅其中一个本征非晶硅层上制作P型非晶硅层、其中另一个本征非晶硅层上制作N型非晶硅[0117]例如，内层结构506包括片式的电池片阵列503、正面封装层502以及背面封装层[0118]正面封装层502包括依次叠置于电池片阵列正面的第一封装介质5022(例如EVA)和第一玻璃5021。背面封装层504包括依次叠置于电池片阵列背面的第二封装介质5041和[0119]以下结合实施例对本申请的一种叠层太阳能电池及其制作方法作进一步的详细[0121]在清洗且制绒好的n型硅片的上下两个表面通过等离子体增强化学气相沉积各镀[0127]在沉积好的空穴传输层上沉积正面采用氧化铟锡通过等离子体沉积膜厚为80nm[0128]在沉积好的透明导电层上通过丝网印刷制备多条银栅线，银栅线之间距离为2毫[0130]在清洗且制绒好的n型硅片的两个表面通过等离子体增强化学气相沉积各镀一层[0131]在上述两个本征非晶硅层上分别沉积一层p型非晶硅和n型非晶硅，其中p型非晶[0133]在n型非晶硅上利用相对应的掩模制备SHJ电池的厚度为120nm、材质为氧化铟锡[0134]在n型非晶硅层上还以纳米晶为原料通过化学气相沉积、利用相对应的掩模制备