CN111640750B 存储器及其形成方法 （福建省晋华集成电路有限公司）

合第一分格阵列和第二分格阵列界定出节点接用于构成节点接触结构的导电材料执行图形化产生聚合物，防止节点接触结构上附着有聚合2衬底，所述衬底中形成有至少一有源区，所述有源区中形成有第一源多条位线和多条绝缘线，形成在所述衬底上，并且节点接触结构，填充在所述节点接触窗中，并且所述节点接所述隔离层包括：形成在所述位线的顶表面上的第一隔离部，以绝缘层覆盖所述绝缘线的侧壁，以及所述中间导电层覆盖所述间隔绝缘层并向上连续延在所述周边区中形成有晶体管器件、层间介质层和导电插塞3形成位线和绝缘线在所述衬底上，所述位线和所述绝缘线相交以界定出第一分格阵填充牺牲层在所述第一分格阵列的各个第一形成隔离材料层在所述衬底上，所述隔离材料层覆盖所述位线、所述去除所述牺牲层，并填充节点接触结构在所述节点接触窗中，所述节形成第一接触部在所述第一分格阵列中的第一分格的底部，以使所述其中，在形成所述位线时，还包括：形成晶体管器件的栅极结456层间介质层和导电插塞，所述层间介质层覆盖所述晶体管器件的栅极结构的侧壁和顶表平，以及所述第二层间介质层覆盖所述第一层间介质层的顶表面和所述栅极结构的顶表7第二层间介质层覆盖所述第一层间介质层和[0034]在本发明提供的存储器及其形成方法中，利用位线和绝缘线界定出第一分格阵的导电材料执行图形化过程中的刻蚀工艺，有利于提高所形成的节点接触结构的图形精[0036]图1a为本发明一实施例中的存储器其示意出节点接触窗的第一分格阵列的俯视[0037]图1b为本发明一实施例中的存储器其示意出节点接触窗的第二分格阵列的俯视[0039]图3为本发明一实施例中的存储器其示意出节点接触窗中填充有节点接触结构的[0042]图6a～图6e为本发明一实施例中的存储器的形成方法在其制备过程中的结构示8[0065]以下结合附图和具体实施例对本发明提出的存储器及其形成方法作进一步详细[0066]图1a为本发明一实施例中的存储器其示意出节点接触窗的第一分格阵列的俯视为本发明一实施例中的存储器其示意出节点接触窗的剖面示意图，图3为本发明一实施例[0067]结合图1a～图1b、图2和图3所示，所述存储器包括衬底100以及形成在所述衬底[0068]具体的，所述衬底100中形成有多个有源区AA。多个有源区AA中例如形成有第一[0070]继续参考图1a和图1b～图3所示，所述存储器中的多条位线200形成在所述衬底位线200中与所述有源区AA相交的部分例如构成位线接触部，所述位线接触部即与所述有9300的顶表面与所述位线200的位线遮蔽层220的顶表缘段310的两个端部分别连接至相邻的位线200上，从而可以利用所述绝缘段310和相邻的[0079]重点参考图2和图3所示，所述节点接触窗的下沟槽部还进一步延伸至所述衬底有利于实现填充在节点接触窗中的节点接触部500与有源区AA之间的电性连接。本实施例[0080]继续参考图1b～图3所示，所述隔离层400形成在所述位线200和所述绝缘线300述隔离层400的第一隔离部410和第二隔离部420相互连接，以围绕出所述第二分格G2。或所述第二隔离部420对应于所述绝缘线300而沿着第一方向(X方向)延伸，以及所述第一隔向上的宽度尺寸小于所述位线200的宽度尺寸，以及所述隔离层400中的所述第二隔离部应的使所界定出的第二分格阵列中的第二分格G2的开口尺寸大于所述第一分格阵列中的触窗中的节点接触结构500也相应的呈现为上宽下窄的结构，如此即有利于增加所述节点接触结构500与其上方的存储电容器(图中未示出)之间的接触面积，减小器件之间的接触述衬底100中，并且所述第一接触部510的顶表面高于衬底100的顶表面，并低于所述位线第二接触部520从所述第一分格G1向上填充至所述第二分格G2中，相应的使所述第二接触盖所述第一接触部510的顶表面，并且还覆盖所述绝缘线300的侧壁和所述隔离层400的侧第一中间导电层530例如为金属硅化物层(例如，所述第一中间导电层530可具体为钴金属第二中间导电层540还覆盖所述第一分格G1高于第一中间导电层530的侧壁以及第二分格[0091]本实施例中，所述第二中间导电层540覆盖所述绝缘线300的侧壁和所述隔离层遮蔽层720和所述位线200中的位线遮蔽层220可以采用相同的材料形成，例如均包括氮化[0096]继续参考图4所示，所述层间介质层800包括第一层间介质层810和第二层间介质层820，所述第一层间介质层810包覆所述栅极结构700的侧壁，以及所述第二层间介质层820覆盖所述第一层间介质层810的顶表面和所述栅极结所述第二层间介质层820的顶表面与所述隔离层400的顶表面[0099]本实施例中，所述多个导电插塞具有用于电性连接所述栅极结构700的第一导电二导电插塞920位于所述第二层间介质层820中的部分的宽度尺寸大于所述第二导电插塞920位于所述第一层间介质层810中的部分[0101]基于如上所述的存储器，以下结合附图对形成所述存储器的方法进行详细说图5为本发明一实施例中的存储器的形成方法的流程示意图，图6a～图6e为本发明一实施间隔有位线200。以及，所述第一分格阵列中的第一分格G1用于构成节点接触窗的下沟槽层610的顶部还可以和所述绝缘线300的顶部共平面，也相应的和所述位线200的顶部共平多晶硅反应，从而自对准的形成所述金属硅化物层在所述第一接触部510的顶表面上；接线200和所述绝缘线300的部分(本实施例中，所述隔离层400包括对应在位线200顶表面上的第一隔离部410和对应在绝缘线300顶表面上的第二隔离部420)，从而使所述隔离层400尺寸小于位线200的宽度尺寸，以及使所述隔离层400的第二隔离部420的宽度尺寸小于绝缘线300的宽度尺寸，进而使得所述第二分格阵列的第二分格G2的开口尺寸大于第一分格所述牺牲层时，可以利用所述间隔绝缘层610保护所述位线200的侧壁和所述绝缘线300的中间导电层540则保形的覆盖所述间隔绝缘层610并向上连续延伸，以覆盖所述隔离层400导电层540的材料例如包括钛和氮化钛中的执行图形化过程时容易产生聚合物而附着在节点接触结构