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文档简介

CN213182092U,2021.05.11US2014376094A1,2014.12.25用2所述减反射膜包括厚度为10nm~90nm的第一低折射率膜层、设置于所述第一低折射率20nm~70nm的第二低折射率膜层、设置于所述第二低折射率膜层上的厚度为15nm~150nm的第二高折射率膜层、设置于所述第二高折射率膜层上的厚度为10nm~40nm的第三低折射率置于所述第三高折射率膜层上的厚度为70nm~100nm的第四低折射2.根据权利要求1所述的减反射光学制品,其特征在于,所述减反射膜还包括防指纹在所述基材表面依次沉积减反射膜的各膜层,所述减射率膜层和高折射率膜层,且所述减反射膜的底部膜层和顶部膜层均为所述低折射率膜沉积各膜层的方法为电感耦合等离子体辅助磁控溅射层线性离子源进行辅助线性离子束轰击;控制沉积时间使得所述氮化硅膜层的厚度为率为3kW~12kW,电感耦合等离子体源功率为2kW~5kW,阳极层线性离子源电流为300mA~3光学制品是根据权利要求1~11任一项所述的减反42O52O52O3层膜也增加了额外的制备工艺。射膜在400nm~700nm波段范围内的平均透光率在945[0010]所述第一高折射率膜层和所述第二高折射率膜层的材质分别独立地选自氧化锆射率膜层和高折射率膜层,且所述减反射膜的底部膜层和顶部膜层均为所述低折射率膜[0020]一种减反射光学制品,其包括基材和设置于所述基材至少一侧表面上的减反射减反射光学制品是上述任一实施例所述的减反6加其厚度,以有效提高减反射膜的纳米硬度。该减反射膜能够表现出11GPa以上的纳米硬[0033]在光学减反射膜中间或表面增加透明耐磨层是传统技术中较为常用的增加减反折射率材料交替循环组成。因为减反射膜的减反射效果依赖于各膜层的材质及厚度的搭而传统技术经常采用设置一层额外的耐磨层的方式以提高减反射膜的纳米硬度和耐磨性。同时,改进和优化耐磨层的成分与结构是提高传统多层减反膜耐磨性能的一种重要手段。[0034]本发明提供了一种通过结构设计以提升减反射膜的纳米硬度和耐磨性的新的技7[0037]进一步,该减反射膜具有11.4GPa以上的纳米硬度;更进一步,该减反射膜具有[0040]在一些具体示例中,设于基材上的减反射膜中的低折射率膜层的总数为三层以射率膜层220上的第二低折射率膜层230、设置于第二低折射率膜层230上的第二高折射率层250上的第三高折射率膜层260、设置于第三高折射率膜层260上的第四低折射率膜层折射率膜层240的厚度为15nm~100nm,进一步,第二高折射率膜层240的厚度为15nm~8[0051]适用于作为高折射率膜层的材料包括:氧化锆(ZrO2)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O522电感耦合等离子体辅助磁控溅射,并同时采用阳极层线性离子源进行辅助线性离子束轰[0055]采用阳极层线性离子源对基材表面进行清洗处理,并依次沉积减反射膜的各膜阳极层线性离子源进行辅助线性离子束轰击;控制沉积时间使得氮化硅膜层的厚度为9耦合等离子体辅助磁控溅射指的是通过放置在靶材与基材之间的电感耦合线圈以产生二130℃。[0063]在一些具体示例中,在线性离子清洗处理过程中,阳极层线性离子源的电流为[0066]具体地,采用电感耦合等离子体(ICP)辅助磁控溅射进行沉积各低折射率膜层和应气体为氧气。更具体地,在沉积低折射率膜层时的工艺为:氧气流速为100sccm~硅靶功率为3kW~12kW,电感耦合等离子体源功率为2kW~5kW,阳极层线性离子源电流为的减反射光学制品的制备方法制备所得的减反[0083]将经检验清洗合格的基材放置到真空室内抽真空及预热,真空压力≤5.0×10-℃。刚石玻氏纳米硬度计压头对材料表面进行压刻,采用基于载荷-深度数据确定纳米硬度和速率40次/min,钢丝绒型号为Bonstar#0000,钢丝绒摩擦面积为20mm*20mm,符合ASTM400nm

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