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2026/5/4存储器外围电路2026/5/4TEE8502的总体结构2026/5/42026/5/42026/5/42026/5/42026/5/42026/5/42026/5/4外围电路内层外围电路：功能电路，它是直接控制存储矩阵工作的功能块。外层外围电路：工作模式控制电路，它把把外部信号转换成若干内部控制信号，对内层外围电路进行控制。2026/5/41.内层外围电路地址缓冲器地址译码器位写入电路灵敏读放电路存储管控制栅电平VCG产生电路存储管源电平VS产生电路2026/5/4（1）地址缓冲器2026/5/4地址缓冲器的功能把TTL电平转换成MOS电平，并使输出具有驱动大量地址译码器的能力。执行工作模式控制2026/5/4（2）地址译码器行译码器列译码器2026/5/4（3）位写入电路引脚I/O是共用的，因此数据线D和I/O间是双向信息通路。读出工作时，位读出电路工作；字节擦写模式时，位写入电路工作。2026/5/4（4）灵敏读放电路灵敏放大器的作用一方面要限制D的摆幅，另一方面要具有较大的放大系数，在较小负载电容的输出点上得到合适的电平和足够的电压摆幅，驱动输出缓冲器。灵敏放大器是影响读出速度的关键。2026/5/4（5）存储管控制栅电平VCG产生电路根据TEE8502存储矩阵工作原理，擦操作时VCG应接近21V，写操作时VCG应接近0V，读操作时VCG应接近3V左右。2026/5/4（6）存储管源电平VS产生电路在写的时候，PLOTOX存储管源接+5V，非写情况下接地，因此VS

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