CN112445086B 显影处理方法和显影处理装置 （东京毅力科创株式会社）

工序(A)，向前述基板供给显影液以使前述抗蚀清洗了的前述基板上涂布水溶性聚合物的水溶液，在前述基板表面形成具有亲水性的亲水性用冲洗液进行清洗，前述工序(B)包括使前述基板的转速加速的工序(a)和在前述工序(a)后直至前述工序(C)开始之间使前述基板的转速减速2所述工序(m)中的所述基板的最高转速为700rpm以上且1800rp所述工序(n)如下：使所述基板的转速从所述工序(m)的所述基板的最高转速减速至直至该工序(x)结束，并且所述工序(y)的开始时的转速设为低于所述工序(m)中的最高转直至该工序(x)结束，并且所述工序(y)的开始时的转速设为低于所述工序(m)中的最高转3工序(f)，在所述工序(e)后，在不供给所述水溶性聚合物的水溶6.一种显影处理方法，其为对基板上的抗蚀膜进工序(f)，在所述工序(e)后，在不供给所述水溶性聚合物的水溶所述工序(B)中的所述水系清洗液的供给时间长于所述工序(C)中的所述水溶性聚合从所述工序(B)中的所述水系清洗液的供给停止至所述工序(C)中的所述水溶性聚合10.一种显影处理装置，其为对基板上的抗蚀膜进行显影处理的显影处理装置，其具水溶液供给喷嘴，其用于向保持于所述基板保持部的所述基板供给4使所述工序(b)中的减速度小于所述工序(a所述显影处理装置具有向保持于所述基板保持部的所述基板供给气体的气体供给喷11.一种显影处理装置，其为对基板上的抗蚀膜进行显影处理的显影处理装置，其具水溶液供给喷嘴，其用于向保持于所述基板保持部的所述基板供给5使所述工序(b)中的减速度小于所述工序(a工序(f)，在所述工序(e)后，在不供给所述水溶性聚合物的水溶直至该工序(x)结束，并且所述工序(y)的开始时的转速设为低于所述工序(m)中的最高转6进行清洗；工序(C)，在用前述水系清洗液清洗了的前述基板上涂布水溶性聚合物的水溶述(b)工序中的减速度小于前述(a)工序中的7RW在图案中产生的与基板平行方向的力与抗蚀膜相对于冲洗液的接触角θ和清洗液的表面张力γ处于以下的关系。8[0047]图1和图2为示出第1实施方式的显影处理装置1的构成的概要的纵剖视图和横剖盘20通过作为旋转机构的卡盘驱动部21(例如发动机等)以各种速度旋转自由地构成。另嘴36～39可以从设置于杯22的Y方向正方向侧的外侧的待机部41移动至杯22内的晶圆W的9[0057]水溶性聚合物的水溶液中所含的水溶性聚合物例如为包含亲水性基团的单体的显影处理的一例的流程图。图4为示出显影处理中的各时刻下的晶圆W的转速(以下，称为[0066]需要说明的是，以下的说明中，在搬入至处理容器10内的晶圆W的表面形成有SiARC(含硅防反射涂层(Silicon_containingAnti_ReflectiveCoating))等下层膜，在中央部上方移动代替显影液供给喷嘴33退避至杯图5的(B)所示那样，抗蚀图案R上的显影液的膜D被DIW所置换，成为形成有DIW的膜E的状[0076]步骤S3a的加速工序后，在紧接着步骤S3的清洗工序的步骤S4的亲水性层形成工结束后，减速至步骤S4的亲水性层形成工序开始时的预先设定好的低转速(例如50~工序(步骤S4b)。[0081]另外，从步骤S3的清洗工序中的DIW的供给停止至该步骤S4的工序中的聚合物水[0089]然后，旋转维持工序的执行时间设定为长于步骤S4a的水溶液供给工序的执行时该步骤S5的冲洗工序如图4所示那样，包括冲洗液供给工序(步骤S5a)和干燥工序(步骤[0094]步骤S5a的冲洗液供给工序为边向形成有亲水性层的晶圆W供给冲洗液边使该晶1冲洗液供给工序)序刚刚结束后的步骤S5a2的第2冲洗液供给工序中，为了面内均匀地形成含表面活性剂的1干燥工序中的最高转速的转速(500rpm以上且1000rpm以下)。因此，第1冲洗液供给工序中的最高转速HRS2的、第2冲洗液供给工序开始时的预先设定好的低转速LRS(500rpm以上2冲洗液供给工序)1干燥工序)2干燥工序)[0120]另外，本实施方式中，第1干燥工序中的晶圆W的最高转速HRS2为700rpm以上且[0123]本发明人等为了研究第2干燥工序中的最终达到晶圆转速的范围，改变上述最终设为低于第1干燥工序中的最高转速的、第2冲洗液供给工序开始时的预先设定好的低转[0126]上述第2冲洗液供给工序开始时的预先设定好的低转速例如为500rpm以上且[0127]本发明人等为了研究第2冲洗液供给工序开始时的预先设定好的低转速的范围，溶液供给工序中的聚合物水溶液的供给时间Tp。步骤S3的清洗工序中的DIW是为了排出显2冲洗液供给工序中的含表面活性剂的冲洗液的供给时间Tr。含表面活性剂的冲洗液的供[0135]而且，从第1冲洗液供给工序中的DIW的供给停止至第2冲洗液供给工序中的含表[0137]该冲洗液切换时间的研究结果也可以应用于上述对水溶液的切换时间。这是由以上的说明范围内的条件。根据本发明人等的研究结果，加速工序中的最高转速如果为[0142]图8的显影处理装置1a省略了图2等第1实施方式的显影处理装置1的混合液供给工序以及其之后的显影处理中的各时刻点的燥工序(步骤S10b)。而且，干燥工序包括第1干燥工序(步骤S10b1)和第2干燥工序(步骤[0149]步骤S10a的冲洗液供给工序为边对形成有亲水性层的晶圆W供给冲洗液边使该晶该工序中，将晶圆转速维持为例如与步骤S4b的旋转维持工序相同的转速(例如1000~1干燥工序)中的晶圆转速(例如1000～2000rpm)被加速，设为该工序2干燥工序)圆转速例如优选被减速至800以上且1800rpm以下，更优选被减速至800rpm以上且1500rpm减速直至该(x)工序结束，并且前述(y)工序的开始时的转速设为低于前述(m)工序中的最[0196]工序(e)，边向用前述水系清洗液清洗了的前述基板供给前述水溶性聚合物的水前述水系清洗液的供给时间长于前述(C)工序中的前述水溶性聚合物的水溶液的供给时的前述水系清洗液的供给停止至前述(C)工序中的前述水溶性聚合物的水溶液的供给开始减速直至该(x)工序结束，并且前述(y)工序的开始时的转速设为低于前述(m)工序中的最