CN112768549B 一种高光电转换效率的hjt电池及其制备方法 （通威太阳能（成都）有限公司）

空港经济开发区工业集中发展区六期内CN215220744U,2021.12.17一种高光电转换效率的HJT电池及其制备方法本发明公开了一种高光电转换效率的HJT电发明的HJT电池包括N型晶体硅片，所述N型晶体所述N型晶体硅片的背面依次设置本征非晶硅2层2层硅层和重掺B非晶硅层。本发明制备而成的异质结太阳电池，光电转换效率可提高至24.3％以2非晶硅掺杂N型层包括轻掺P非晶硅层(501)和重掺P非晶硅层(502)，轻掺P非晶硅层非晶硅掺杂P型层包括轻掺B非晶硅层(401)和重掺B非晶硅层(402)，轻掺B非晶硅层2.根据权利要求1所述的一种高光电转换效率的HJ3.根据权利要求2所述的一种高光电转换效率的5.根据权利要求1-4任一项所述的一种高光8.根据权利要求1-4任一项所述的一种高光电转9.根据权利要求7所述的一种高光电转换效率的HJ掺杂N型层的厚度为10-30nm；所述轻掺P非晶硅层(501)的厚度为1-20nm，重掺P非晶硅层10.一种用于权利要求1-9任一项所述的高光电转换效率HJT电池的制备方法，其特征步骤二、通过等离子体增强化学气相沉积法在N型晶体硅片11.根据权利要求10所述的一种高光电转换效率的HJT电池的制备方法，其特征在于：312.根据权利要求11所述的一种高光电转换效率的HJT电池的制备方法，其特征在于：13.根据权利要求12所述的一种高光电转换效率的HJT电池的制备方法，其特征在于：4[0002]目前市场主流电池产品为P型的单晶PERC电池，P型PERC电池的效率已经到了上的关注，主要有钝化发射极背表面全扩散电池(n-PERT)、隧道氧化物钝化接触电池结构的大禁带宽度而保持高效率的核心优势，但目前仍存在一些技术难点问题需要克服，5[0007]为克服上述现有技术的不足，本发明提供了一种高光电转换效率的HJT电池及其轻掺B非晶硅层和重掺B非晶硅层，轻掺B非晶硅层靠近C掺杂SiO2层，重掺B非晶硅层靠近轻掺P非晶硅层和重掺P非晶硅层，轻掺P非晶硅层靠近C掺杂SiO2层，重掺P非晶硅层靠近[0021]步骤二、通过等离子体增强化学气相沉积法在N型晶体硅片两面形成本征非晶硅层；非晶硅掺杂N型层包括轻掺P非晶硅层(即轻掺P原子的N型非晶硅层)和重掺P非晶硅层(即重掺P原子的N型非晶硅层)，非晶硅掺杂P型层包括采用TMB气体掺杂形成的轻掺B原子的P型非晶硅层和采用B2H6气体掺杂形成的重掺B原子6层对非晶硅层表面断键进行钝化，C掺杂SiO2层对p型和n型轻掺杂的非晶硅层中的掺杂原[0033](2)本发明的一种高光电转换效率的HJT电池，p型和n型重掺掺杂的非晶硅层与晶硅层的p型掺杂层采用TMB气体进行掺杂，比B2H6气体掺杂形成的非晶硅掺杂层禁带宽度72层[0041]所述的非晶硅掺杂P型层的厚度为10nm，所述的非晶硅掺杂N型层[0042]本实施例中硅基体表层的非晶硅层经由SiO2层对非晶硅层表面断键进行钝化，C[0046]所述的非晶硅掺杂P型层的厚度为30nm，所述的非晶硅掺杂N型层[0050]所述的非晶硅掺杂P型层的厚度为20nm，所述的非晶硅掺杂N型层2层其中：式容纳少量的轻掺B或轻掺P原子，避免氢化本征非晶硅薄膜层(i-a-Si:H)被不必要掺杂，[0055]所述的非晶硅掺杂P型层的厚度为20nm，该非晶硅掺杂P型层包括轻掺B非晶硅层[0056]所述的非晶硅掺杂N型层的厚度为20nm；该非晶硅掺杂N型层包括轻掺P非晶硅层8[0058]本实施例p型和n型重掺掺杂的非晶硅层与TCO层能够形成良好的电接触；背光面层；非晶硅掺杂N型层包括轻掺P非晶硅层(即轻掺P原子的N型非晶硅层)和重掺P非晶硅层(即重掺P原子的N型非晶硅层)，非晶硅掺杂P型层包括采用