CN113009777B 光掩模及显示装置的制造方法 （Hoya株式会社）

201710333361.12017.05.12JP2011232605A,2011.11.17JP2015102608A,2015.06.04US2005202323A1,2005.09.15印用图案的光掩模时，准备在透明基板(1)上层叠了半透光膜(2)、中间膜(3)及遮光膜(4)而成外的区域的遮光膜(4)去除，然后形成抗蚀剂膜(2)去除。半透光膜(2)和遮光膜(4)都由Cr类材寸相对于与中间遮光部相邻的透光部的设计尺2在所述半透光部中，在所述透明基板上形成有所述半透光膜、％～在将与所述透光部及所述半透光部分别相邻的所述遮光部在所述中间遮光部中形成有凹部，该凹部中的所述遮光膜的膜所述中间遮光部的所述凹部对曝光光束代表波长的反射率大于光掩模坯体中的所述所述转印用图案具有与所述遮光部相邻且被所述遮光部包围所述转印用图案具有与所述半透光部相邻且被所述半透光部包围所述半透光膜具有的曝光光束的相位移位量在90使用曝光装置将所述光掩模具有的转印用图案转印3[0002]本发明涉及制造电子器件用的光掩模，特别是适合用于制造以液晶或有机EL模或者半色调掩模)在显示装置等的制造中能够形成可以在多次蚀刻工艺中使用的抗蚀剂件而搭载于智能电话或平板终端等的液晶显示装置和有机EL显示装置，不仅要求画面明[0010]显示装置等的电子器件通常是通过形成有图案的多个薄膜(层：Layer)的层叠而立体地形成的。因此，要求提高这些多个层中的各层的坐标精度、以及图案尺寸(CD：4有复杂构造的显示装置的需求，如同时形成主间隔柱(mainspacer)和辅间隔柱(subspacer)这样高度不同的感光性间隔柱。这些情况也成为在光掩模的转印用图案中强烈要[0012]专利文献1所记载的光掩模是使用光刻对掩模坯体进行图案形成而制得的，所述[0019]本发明的第1方式提供具有转印用图案的光掩模的制造方法，该转印用图案是通[0023]遮光部形成工序，通过蚀刻将成为所述遮光部的区域以5与所述中间遮光部相邻的所述透光部的设计尺寸A(μm)，在与所述中间遮光部相邻的边缘[0033]本发明的第3方式是根据上述第1或者第2方式所述的光掩模的制造方法，其特征[0035]本发明的第4方式是根据上述第1～第3方式中任意一个方式所述的光掩模的制造中间遮光部的与所述透光部相邻的边缘侧小于与所述半透光部[0037]本发明的第5方式是根据上述第1～第4方式中任意一个方式所述的光掩模的制造[0039]本发明的第6方式是根据上述第1～第5方式中任意一个方式所述的光掩模的制造[0041]本发明的第7方式是根据上述第1～第6方式中任意一个方式所述的光掩模的制造[0043]本发明的第8方式是根据上述第1～第7方式中任意一个方式所述的光掩模的制造[0045]本发明的第9方式是根据上述第1～第8方式中任意一个方式所述的光掩模的制造6述中间遮光部的所述凹部对曝光光束代表波长的反射率大于所述光掩模坯体中的所述遮7[0082]图2的(a)～(e)是说明本发明的实施方式的光掩模的制造方法的一例的图(之[0083]图3的(a)～(d)是说明本发明的实施方式的光掩模的制造方法的一例的图(之[0095]遮光部形成工序，通过蚀刻将成为所述遮光部的区域以8与所述中间遮光部相邻的所述透光部的设计尺寸A(μm)，在与所述中间遮光部相邻的边缘[0105]透明基板1是在使用光掩模进行曝光时相对于照射光掩模的曝光光束(主要是包[0106]在透明基板1的一个主表面成膜有半透光膜2。半透光膜2是调整了膜质及膜厚以[0108]作为其它的半透光膜材料，能够使用Si的化合物(SiON等)或者过渡金属硅化物9相同金属M的金属硅化物MxSi或者其化合[0117]另一方面，中间膜3由对半透光膜2和遮光膜4的蚀刻剂具有耐性的材料形成。例[0120]膜的蚀刻所要时间是指从对象区域的膜的蚀刻开始起到该膜消失所需要的时[0129]在第1描画中，使用规定的图案数据对抗蚀剂膜5进行遮光部形成用的图案描光部14的尺寸B(μm)形成遮光膜图案4。另外，成为加工裕量宽度的β(μm)是微小量，例如14的两侧的边缘产生上述侧蚀刻的情况下，通过将该遮光部14的尺寸设为照以上所述被图案化的遮光膜4和通过中间膜3的蚀刻而露出的半透光膜2被抗蚀剂膜6覆盖成为半透光部12的区域的图案。况下，裕量α的值能够根据起因于描画工序(特别是两次描画)的对准偏差的上限值进行决用于第2描画的图案数据进行加工，使形成尺寸在该半透光部12的遮光部14侧的边缘每一[0147]在此，优选按照以下所述设定半透光膜2和遮光膜4对同一蚀刻剂的蚀刻所要时间。即，优选将半透光膜2的蚀刻所要时间HT(sec)设定为比遮光膜4的蚀刻所要时间OT进行规定时，期望将各个蚀刻所要时间设定成使HT:O遮光膜4的上表面的表层由于一部分未被抗蚀剂图案6a覆盖而露出，因而该部分在蚀刻中使得即使是在蚀刻中受到损伤的遮光膜4的部分也能够作为遮光部14保持充足的遮光性。膜时的遮光膜4的表面反射率(对描画光)为10～15％时，受到蚀刻的损伤的部分的反射率上述图2(c)的工序中叙述的那样。实质上不变是指即使产生变化也在0.1[0155]本发明的实施方式的光掩模具有的转印用图案如图1所示具有遮光部14、半透光半透光部12由在透明基板1上形成的半透光膜2和中间膜3的层叠膜构成的情况。透光部11[0157]另外，在将与透光部11及半透光部12分别相邻的遮光部14在该中间遮光部14中形成有遮光膜4的膜厚在与透光部11相邻的边缘侧小于与半透光部12为固定宽度α1(μm)。此处叙述的α1是指与上述对准偏差对策所导入的裕量α相对应而最终为基准的凹部4a的深度E优选50-~200h,更优选70~150A。并且，膜厚因凹部4a的存在而尺寸变化对策而导入的裕量β相对应，在将最终形成于光掩模的中间遮光部14的尺寸设为[0160]另外，半透光部12具有的曝光光束的相位移位量优选在90度以下，更优选5～60在形成第1抗蚀剂图案55a时，首先使用描画装置对上述的带抗蚀剂膜光掩模坯体进行第1按照以上所述被图案化的遮光膜54被抗蚀剂膜5由此形成第2抗蚀剂图案56a。该第2抗蚀剂图案56a用于在下一个工序中以第2抗蚀剂图案该蚀刻工序中用作掩模的第2抗蚀剂图案56a，与在上述图5(b[0192]基于以上制造方法的光掩模如上所述由于在两次的描画之间相互产生的对准偏14(图1)的尺寸精度极高。这源于在上述实施方式的制造方法中不需要如参考例那样的遮光膜的第2蚀刻工序(伴随半透光膜的侧蚀刻的遮光膜的长时间的蚀刻)，而且遮光部的尺用该掩模最终得到的电子器件的制造过程中能够进行多次的蚀刻工艺的所谓多灰度光掩[0198]这样，本发明的光掩模能够适合用于使用了作为LCD(LiquidCrystalDispla液晶显示器)用或者FPD(FlatPanelDisplay：平板显示器)用而公知的曝光装置的曝光。与遮光部相邻且被包围的半透光