CN113310594B 测定方法及测定系统 （东京毅力科创株式会社）

有腔室的半导体制造装置进行，该测定方法包所述腔室内的状态下发送至所述腔室内的电信数据，并将该第一测定数据作为基准数据的工室内的谐振频率和由在所述夹具上搭载的传感以及从取得的所述第二测定数据中减去所述基2基于在未将能够进行无线通信的夹具布置在所述腔室内的状态下发送至所述腔室内基于在将所述夹具布置在所述腔室内的状态下发送至所述腔室所述腔室内的谐振频率和由在所述夹具上搭载的传感器所检测出的谐振频率的第二测定在预测所述特性的工序中，取得具有由多个所述传感器计算在所述夹具上搭载的传感器的固有的谐振频率的峰值处的信号噪声比，即S/N比在计算出的所述信号噪声比大于预定的阈值的情况下，基于其中，所述读取器天线基于在未将所述夹具布置在所述腔所述信息处理装置取得由所述读取器天线接收到的第一测定数据所述读取器天线基于在将所述夹具布置在所述腔室内的状态下发送至所述腔室内的所述信息处理装置取得由所述读取器天线接收到的第二测定数34[0003]例如，专利文献2提出了一种通过多个传感器对半导体制造装置内的特性进行感从读取器天线经由读取器所输出的信号的多个传感器的检测结果来预541a2之间的距离相对应的、各个SAW传感器40的固有的频率的电信号通过谐振而变强并被[0033]读取器天线RA发送预定的频带的电信号，并且接收针对所发送的电信号从SAW传感器40a～40i选择性地提取的期望频率的电信号。根据实施方式的测定系统基于由SAW传器40a～40i的谐振频率不同，因此根据由SAW传感器40a～40i输出的电信号中所包括的谐使用SAW传感器的夹具LW来预测SAW传感器40a～40i的各个位置处6[0036]半导体制造装置100是对以晶圆作为一个示例的基板进行期望的处理的装置。半[0037]读取器天线RA被安装到设置在腔室1的侧壁上的诸如石英等的介电体窗。PC30经器天线RA接收的信号来计算由SAW器件41检测到的温度的计算机。PC30是信息处理装置的LW不需要电池和电源，并且被构成为能够与安装在腔室1的侧壁上的读取器天线RA进行无RA发送至腔室1内的电信号的影响，会产生意外的谐振波(在腔室1内谐振的谐振频率的置台ST的温度等半导体制造装置100内的物理特性精确地式的测定方法的概要的图。图4是示出在根据实施方式的测定方法中由PC30所进行的谐振7噪声的测量的一个示例的流程图。图5是示出根据实施方式的在腔室内产生的谐振噪声的一个示例的图。图6是示出在根据实施方式的测定方法中由PC所进行的温度测量的一个示[0044]根据实施方式的测定方法例如在图2中示出一个示例的腔室1内的载置台ST上未[0047]在图4的步骤S21中，PC30取得在未将夹具LW布置在腔室1内的状态下由读取器天[0048]第一测定数据的一个示例如图5所示。图5是示出根据实施方式的腔室1内的谐振35mm时的谐振噪声中包括的每个频率的信号强度的一个示例。图5(b)是当间隙G为40mm时的谐振噪声中包括的每个频率的信号强度的一个示例。图5(c)是当间隙G为85mm时的谐振的电信号之中的、在腔室1内反射的信号和由在夹具LW上搭载的多个SAW传感器40(在图3[0052]在图6的步骤S31中，PC30取得在将夹具LW布置在腔室1内的状态下由读取器天线率和由SAW器件41所检测处出的固有的谐振频率的第数据之后的第二测定数据来测定多个SAW器件41的各个位8[0056]特别地，在由半导体制造装置100进行的蚀刻等处理中，从生产稳定性等观点出且结构相同的半导体制造装置100能够共同地使用[0058]第一步骤的执行时间可以是半导体制造装置100启动时、腔室1内的零件更换后、频率与由SAW器件41(2)检测出的谐振频率不同。例如，在SAW器件41(1)的电极41a以频率[0062]参照图8和图9对上述的根据实施方式的测定方法的实施例进行说明。图8是示出根据实施例的测定方法(谐振噪声测量)的一个示例的流程图。图9是示出根据实施例的测个SAW器件41接收来自读取器天线RA的电信号(步骤S52)。接着，各个SAW器件41根据电极41a的图案分别以固有的特定的频率谐振(步骤S53)，并且发送具有谐振频率的电信号(步9得的第二测定数据中减去基准数据(步骤S56)，基于减法计算后的第二测定数据来计算温[0068]利用上述的根据实施例的测定方法从第二测定数据中去除谐振噪声(基准数据)线中检测到的第二测定数据的谐振噪声去除前(波形Aw)和去除后(波形[0076]当判定各个SAW器件41的S/N比大于预定的阈值时，PC30计算SAW器件41的各个位置处的温度(步骤S63)。另一方面，当判定各个SAW器件41的S/N比小于或等于预定的阈值